电力电子技术
一.导论
1.1 定义
对电能进行变换和控制的技术
1.2 分类
电力电子技术
- 信息电子技术
- 模拟电子技术
- 数字电子技术
- 电力电子技术
- 电力电子器件制造技术
- 变流技术
- 电路
- 控制装置
1.3 电能变换
种类
- 电能输入
- 控制输入
- 电能输出
含义
在输入和输出之间,将电压 电流,频率 ,相数中的一项加以改变。
####四大变换类型
输入/输出 直流 交流 交流 整流 交流电力控制变频,调功 直流 直流斩波 逆变 基本原理
将电能任意的,高效率的变换和控制,***应采用开关方式***
开关电路的开关模式:相位控制,斩波控制两种,简称相控和斩控。斩波控制又称脉宽调制(PWM)
ω t = 2 π f t ( r a d ) ω = 2 π f ( 电 角 频 率 ) \omega t=2\pi ft (rad) \\ \omega=2\pi f (电角频率) ωt=2πft(rad)ω=2πf(电角频率)
AC—AC
AC—DC
DC—AC
DC—DC
如果交流电的电压和频率同时按一定规律控制,这种简称为VVVF控制。
1.4 电力电子技术的应用
- 工业应用
- 电解电镀
- 电气传动
- 加热淬火
- 冶炼和焊接
- 能源电力
- 输配发电
- 电能质量控制
- 新能源
- 交通运输
- 电力机车和城市轨道交通技
- 汽车和舰船
- 灯光照明
- 办公自动化和家电
- 航天,航空
二.电力电子器件
分类
- 可控性
- 不可控
- 如电力二极管,没有控制极,只有阴极和阳极两个端子,正向导通反向截止
- 半可控
- 如晶闸管,特点是可以通过控制门极的信号控制器件开通和关断,但其关断取决于器件承受的外部电压和电流,不受门极信号控制。
- 全可控
- 如电力晶体管,电力场效应管,IGBT。可以通过控制极导通和关断器件。
- 驱动信号
- 电流型驱动信号。eg :晶闸管,电力晶体管
- 电压型驱动信号。
2.1 电力二极管
主要参数
额定电压和反复重复峰值电压
定义:额定电压是能够反复施加在二极管上,二极管不会呗击穿的反向重复峰值电压 Urrm
该电压一般为击穿电压 Ub 的2/3。(在交流电路中是交流电压峰值)。
额定电流和通态平均电流
- 定义:规定管壳温度下,二极管能通过工频正弦半波电流的平均电流值 I_F(AV)
结温
- 半导体器件的最高温度一般限制在 150。~~ 200。
在PN结正偏时结电容很大,反偏是结电容很小。
在高频工作时要采用快恢复二极管和肖特基二极管
2.2 晶闸管器件
2.2.1晶闸管(见书P30)
结构:四层三端器件,由PNPN四层半导体材料组成。在上层 P1引出阳极A,下层 N2引出阴极K,在中间
P2引出门极(G),也称控制极。
工作原理:等效成双三极管模型。
双三极管模型分析:
- 由于两个三极管之间存在正反馈,尽管==IG==很小,但在及短的时间内三极管就可以达到饱和,使晶闸管导通。
- 由于正反馈的形成,因为IC1>>IG,因此即使开关S断开,晶闸管也将继续导通。
- 若将EA反向,则T1和T2管都反偏即使有门极电流,晶闸管也不会导通。
伏安特性
正向特性
- IL称为擎住电流
- IH称为维持电流,一般 IH<I L
- 管压降 UAK
- 阳极电流IA,取决于外电路电阻RA
反向特性
- 与二极管反向特性相似
结论
晶闸管导通条件:
晶闸管受正向电压时,并且有一定强度(大小和持续时间)的正触发脉冲。导通后阳极电流要大于擎住电流IL,才能可靠导通。
######晶闸管关断条件:
晶闸管受反向电压或者阳极电流下降到维持电流**IH**以下。
2.2.2 双向晶闸管
有四种触发方式
2.2.3 门极可关断晶闸管GTO
2.3 全控型电力电子器件
类型 |
---|
电力晶体管 |
电力场效应管 |
IGBT |
2.3.1 电力晶体管 GTR
2.3.2 电力场效应管
- 工作原理
- 主要特性和参数
2.3.3 绝缘栅双极性晶体管IGBT
- 等效电路和工作原理
- 擎住效应
- 主要参数
- 最大集射极电压 UCES
- 最大集极电流
- 最大集电极功耗 PCM
- 开通时间和关断时间
三.交流-直流变换——整流器
3.1 单相可控整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路
电阻性负载
- id = u 2 R = u d R = 2 U 2 s i n ω t R \frac {u~2~}{R}=\frac {u~d~}{R}=\frac {\sqrt 2U~2~sin \omega t}{R} Ru 2 =Ru d =R2U 2 sinωt ( α ≤ ω t ≤ π \alpha \le \omega t \le \pi α≤ωt≤π)
- 输出直流电压平均值 Ud = 0.45 U 2 1 + c o s α 2 0.45U~2~ \frac {1+cos \alpha}{2} 0.45U 2 21+cosα
- 输出直流电流平均值 Id= U d R \frac {U~d~}{R} RU d
电阻-电感负载
- 带续流二极管的单相半波整流电路
- 公式略…
3.1.2 单相桥式全控整流电路
电阻负载
- 参数计算
- 输出直流电压平均值 Ud=0.9U2 1 + c o s α 2 \frac {1+cos \alpha}{2} 21+cosα
- 输出直流电流平均值==** Id = U a R \frac {U~a~}{R} RU a **==
- 通过晶闸管电流
- 平均值==IdVT= 1 2 \frac 12 21Id==
- 有效值==**IVT = 2 U 2 R 1 2 π s i n 2 α + π − α π \frac {\sqrt {2}U~2~}{R} \sqrt{\frac {1}{2\pi}sin 2 \alpha +\frac {\pi-\alpha}{\pi}} R2U 2 2π1sin2α+ππ−α **==
- 晶闸管额定电流 INVT = (1.5~2) I V T 1.57 \frac {I~VT~} {1.57} 1.57I VT
4. 晶闸管额定电压 UNVT =(2~3) 2 U 2 \sqrt {2}U~2~ 2U 2- 变压器副边电流有效值 I2和变压器容量S
电阻-电感负载
3.1.3 单相桥式半控整流电路(见书 P64)
- 电阻负载
- 参数计算
- 输出直流平均电压: U d = 0.9 U 2 1 + c o s α 2 U_d~ =0.9U_2~ \frac {1+cos \alpha}{2} Ud =0.9U2 21+cosα
- 输出直流平均电流: I d = 0.9 U 2 R 1 + c o s α 2 = U d R I_d~ =\frac {0.9U~2~}{R} \frac {1+cos \alpha}{2} = \frac {U~d~}{R} Id =R0.9U 2 21+cosα=RU d
- 纯阻性负载电流等于电压除以电阻
- 通过晶闸管的平均电流: I d V T = 1 2 I d I_dVT = \frac 12I_d~ IdVT=21Id
- 因为两组晶闸管轮流导通,所以通过每个晶闸管的电流是输出平均电流的一半
- 通过晶闸管的电流有效值: I V T = 2 U 2 R ( 1 2 π s i n 2 α + π − α π ) I_VT_ = \frac{\sqrt 2 U~2~}{R} \sqrt (\frac{1}{2\pi}sin 2\alpha+\frac {\pi-\alpha}{\pi}) IVT=R2U 2 (2π1sin2α+ππ−α)
- 变压器副边电流: I 2 = 2 I V T I~2~ = \sqrt 2 I_VT~ I 2 =2IVT
- 与输出电流有效值相等
- 变压器容量: S = U 2 I 2 S =U_2 I_2 S=U2I2
- 功率因数: α \alpha α角越大功率因数越低
- 电感负载
- 参数计算
1.