完全取决于内存和CPU体系结构。根据经验，SRAM比闪存快，尤其是在高速MCU（> 100 MHz）上。SRAM位单元产生（或多或少）逻辑电平输出，而闪存必须经历较慢的电流感测过程。
再快多少（如果有的话）又取决于体系结构-存储器的字大小，每个存储器上的等待状态数，是否存在缓存，CPU指令的大小等。足够低的频率，闪存和RAM上的等待状态可能为零，因此它们可能以相同的速度运行。
代码也很重要。如果您的代码严格是线性的（无分支），则闪存可以足够快地预取指令，即使在较高频率下，也可以保持CPU饱和。正如Olin所说，当代码和数据位于不同的存储器中时，具有单独的程序和数据读取路径的哈佛体系结构CPU可能会执行不同的操作。
金属ROM（以及其他非易失性存储器，例如FRAM）具有自己的特性，并且可能与SRAM一样快，也可能不与SRAM一样快。写作能力不一定会有所不同；更多有关位单元输出和感应电路的特性。
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