IAR for AVR 学习笔记（4）--Flash操作

最新推荐文章于 2023-07-28 10:07:05 发布

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分类专栏： IAR 文章标签： flash 编译器存储编程汇编 c

本文链接：https://blog.csdn.net/avrworld/article/details/7033973

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本文档介绍了IAR for AVR编译器中关于Flash存储的使用，包括如何定义和读取Flash变量、绝对地址定位、指针操作，以及宏函数和自编程函数的使用方法。通过实例展示了在AVR微控制器上进行Flash操作的各种技巧。

摘要由CSDN通过智能技术生成

FLASH常用类型的具体操作方法

4．1．FLASH 区域数据存储。
用关键字 __flash 控制来存放， __ flash 关键字写在数据类型前后效果一样
__flash unsigned char a;//定义一个变量存放在flash空间
unsigned char __flash a;//效果同上
__flash unsigned char p[];//定义一个数组存放在flash空间
对于flash空间的变量的读操作同SRAM数据空间的操作方法一样，编译器会自动用
LPM，ELPM 指令来操作。
例：
＃i nclude<iom8.h>
__flash unsigned char p[];
__flash unsigned char a;
void main(void)
{PORTB=p[1];// 读flash 数组变量的操作
PORTB=a;// 读flash 变量的操作
}
由于在正常的程序中，flash 空间是只读的，所以没有赋值的变量是没有意义的。定义常数在flash 空间，只要给变量赋与初值就可以了。由于常数在flash空间的地址是随机分配的，读取变量才可以读取到常数值。
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IAR-AVR –C 编译器简要指南
__flash unsigned char a=9;//定义一个常数存放在EEPROM空间。
__flash unsigned char p[]={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定义一个组常数存放在flash 空间。
例：
＃i nclude<iom8.h>
__flash unsigned c