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RSS订阅原创 半导体物理学——（四）半导体的导电性
载流子的漂移运动和迁移率*欧姆定律漂移运动与迁移率半导体的电导率与迁移率对于n型半导体Jn起主要作用，对于p型半导体Jp起主要作用，对于本征半导体，用本征载流子浓度分别于Jn Jp相乘。载流子的散射含义：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，就是说电子泊在半导体中传播时遭到了散射。自由载流子：实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自
2020-11-13 00:24:23
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原创 半导体物理学——（三）半导体中载流子的统计分布
产生导带电子和价带空穴的方式：杂质电离与本征激发。本征激发：在一定温度下，电子直接从价带跃迁到导带，形成导带电子和价带空穴。杂质电离：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子，电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴；当然，电子也可以能高能量的量子态跃迁至低能量的量子态，即电子向下跃迁到施主能级与价带，释放出能量，此时，价带中的空穴逐渐减少，称为载流子的复合。这一过程称为热平衡状态，热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。其浓度随温度变化。状态密度：在半导体的导带和价带中，有很多能级存在，但相邻能
2020-11-12 19:32:21
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原创 半导体物理学——（二）半导体中杂志和能级缺陷
实际半导体与理想半导体的区别理想半导体：假设晶格原子严格按照周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷线缺陷面缺陷等。杂质分类浅能级杂质的计算（杂质电离能）杂质的补偿作用施主杂质与受主杂质之间有相互抵消的作用双性行为Si(+4)在AsGe中取代As(+3)表现为受主杂质[吸收一个电子并形成负电中心]，取代Ge(+5)表现为施主杂质[释放一个
2020-11-11 15:50:19
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原创 半导体物理学——（一）半导体中的电子状态
半导体物理学——（一）半导体中的电子状态导带，价带，禁带根据电子先填充低能级的原理，则下面一个能带填满了电子，相应于共价键中的电子，称为价（满）带Ev；上面一个能带是空的，没有电子，称为导（空）带Ec；中间隔着禁带（Ec-Ev=Eg）。半导体与金属导体的区别半导体中，导带的电子和价带的空穴均参与导电，而金属导体里参与导电的是自由移动的电子。绝缘体与半导体的区别绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，常温时，较难将电子激发到导带中去，所以导电性很差。而半导体禁带宽度较小，常温时有不少电子被激发到导
2020-11-11 00:50:23
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空空如也
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