半导体物理学——（四）半导体的导电性

最新推荐文章于 2024-11-17 00:29:32 发布
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载流子的漂移运动和迁移率

*欧姆定律
在这里插入图片描述
漂移运动与迁移率
在这里插入图片描述
半导体的电导率与迁移率
在这里插入图片描述
对于n型半导体Jn起主要作用，对于p型半导体Jp起主要作用，对于本征半导体，用本征载流子浓度分别于Jn Jp相乘。

载流子的散射

含义：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，就是说电子泊在半导体中传播时遭到了散射。
自由载流子：实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，而平均时间成为平均自由时间。
半导体的主要散射机构
产生散射的根本原因是载流子的周期性势场被破坏。

  1. 电离杂质的散射
    常以散射概率P来描述散射的强弱，它代表单位时间内的一个载流子受到散射的次数。
    <

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固体微电子学与半导体物理学（四）
qq_54929395的博客
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半导体材料（二）——半导体导电特性
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最近在研究半导体物理学，本文就半导体物理学中最基本的公式和图像做一个总结。
半导体物理复习总结（四）——半导体导电性
qq_45497666的博客
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半导体的导电性 电子在电场力作用下的定向运动是漂移运动。热运动是无规则的，杂乱无章的运动。 迁移率表示单位场强下电子的平均漂移速度。 散射指载流子在半导体中运动时与热振动的晶格原子或电离的杂质离子作用，载流子的速度大小和方向发生改变。两次连续散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，平均时间称为平均自由时间。散射率是平均自由时间的倒数，表示单位时间内一个载流子受到的散射的次数。 电离杂质散射是电离的施主或受主带电形成库伦势场，局部的破坏了杂质附近的周期性势场，载流子运动到电离杂质附近时，运动方向发生改变。特点
7价 半导体掺杂_关于金属、半金属以及半导体的电导率
weixin_39976251的博客
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本节作为一个记录：上图为金属、半金属以及半导体电导率随温度变化曲线解释：金属电阻随温度升高而增大原因： 微观来讲，金属导电的机制为 自由电子的自由移动，当温度升高后，电子开始在平衡位置振动，振动的幅度必然随着温度的升高而变大，这也就一定程度的对内部自由移动的电子起到了阻碍的作用，宏观来讲就会电阻随温度升高而增大了在金属导体里，原子的最外层电子（价电子）受原子的束缚较松，容易脱离原子，形成在金属中自...
半导体物理学知识重点总结.pdf
06-22
半导体物理学是研究半导体材料电子状态、电子运动规律以及由此衍生的各种现象与应用的一门基础学科。它对现代电子学、材料科学以及微电子技术等领域具有重要意义。接下来，我将根据提供的文件内容，详细解释半导体...
DP读书：《半导体物理学（第八版）》（四）半导体的导电性-玻尔兹曼-电导率
DarrenPig的博客
06-16 3506
欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系：I=VRI = \frac{V}{R}I=RV​。在半导体中，当施加电场时，载流子（电子和空穴）会发生漂移运动，形成电流。漂移速度是载流子在电场作用下的平均移动速度。迁移率是描述载流子在电场中移动能力的物理量，定义为载流子漂移速度与电场强度之比。电导率σ\sigmaσ是材料导电能力的度量，与迁移率μ\muμ和载流子浓度nnn 或ppp有关： σ=nqμ\sigma = nq\muσ=nqμ 或 σ=pqμ\sigma = pq\muσ=pqμ， 其中 (q) 是载流
半导体物理课件：第四章 半导体的导电性.ppt
09-21
半导体物理作为现代电子信息技术的基石，其导电性质的理解对于材料研究、器件设计与应用至关重要。在半导体的导电性这一章节中，我们详细探讨了载流子的输运现象，包括其漂移运动、散射、迁移率以及与杂质浓度和温度...
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半导体物理学——（一）半导体中的电子状态 导带，价带，禁带根据电子先填充低能级的原理，则下面一个能带填满了电子，相应于共价键中的电子，称为价（满）带Ev；上面一个能带是空的，没有电子，称为导（空）带Ec；中间隔着禁带（Ec-Ev=Eg）。 半导体与金属导体的区别半导体中，导带的电子和价带的空穴均参与导电，而金属导体里参与导电的是自由移动的电子。 绝缘体与半导体的区别绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，常温时，较难将电子激发到导带中去，所以导电性很差。而半导体禁带宽度较小，常温时有不少电子被激发到导
什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能
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迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作
电导率计算方法
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讲诉一些列电导率的测试方法，比如：例子电导率、电子电导率及混合电导率
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现代通信光电子学书中，电导率的推导过程，两种方法。
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我们只知道半导体的基本概念和载流子的统计分布，还得知道载流子的运动规律。所以需要学习载流子的漂移运动。 电导率和迁移率之间的关系：σ=nqμ 载流子在运动的过程中，受到晶格热振东或者电离杂质以及其他杂质离子的影响，不断遭到散射，载流子速度被改变 载流子为什么会遭受散射？根本原因是因为周期性势场被破坏。 电离杂质散射：主要是一个库伦势场。 晶格振动的散射：原子的振动都是若干不同的基本波...
半导体及常用零件
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物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三大类。金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级。1. 半导体的独特性能半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能
MOSFET基本结构
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MOSFET的基本结构 以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个器件，源端和漏端是人为定义的，两者是对称可交换的。对于NMOS器件，源端一般接在电路的最低电位（接地），但对与PMOS源端一般接在最高电位（Vdd）。源漏之间的存在导电沟道，其理论长度为Ldrawn,但是由于在形成过程中的非理想因素的影响，导电沟道的长度会有一定程度的减小，也即Leff,两者之间的距离
半导体物理与器件 第五章—载流子输运现象
u011790781的博客
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LEC3 文章目录LEC3空穴漂移电流密度电子漂移电流密度`弱电场情况下`，电子的平均漂移速度也与电场强度成正比。但是由于电子带负电，电子的运动与电场运动相反T=300时，低掺杂浓度下的迁移率典型值P114表5.1 {ignore=true}所以，总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度的和 {ignore=true}1.晶格散射2. 电离杂质散射3.总迁移率5.1.3电导率 在电场作用...
半导体器件与物理篇2 载流子输运现象
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迁移率的定义：用来描述载流子在单位电场下运动快慢的物理量电子迁移率的表达式： μn=qτcmn\mu_n=\frac{q\tau_c}{m_n}μn​=mn​qτc​​ 空穴迁移率的表达式： μp=qτcmp\mu_p=\frac{q\tau_c}{m_p}μp​=mp​qτc​​ 两个迁移率有相同的变化方式，就是在同一温度下，迁移率随杂质浓度的增加而减少。电子迁移率往往高于空穴迁移率。 定义的话，大家先捏着鼻子记忆一下。想进入这个领域，就得把前人的东西记住一些。 由能量均分理论能得到电子的动能为 12mn
半导体器件物理【11】载流子输运现象 —— 散射率Ρ、迁移率μ、电阻率ρ（电导率σ）、砷化镓
痛苦的时候装出幸福相，这不是那么难做到的事
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载流子输运就是求电流密度相关。 目录前言平均自由时间与散射概率   \;   \;   \; 平均自由时间与散射概率 自由时间：载流子在电场中漂移运动时，只有在连续两次散射之间的时间内才能加速 平均自由时间τ=1P平均自由时间\tau = \frac{1}{P}平均自由时间τ=P1​ NNN个电子，某一方向上速度vvv。 t0t_0t0​时刻未被散射的电子N0N_0N0​个，ttt时刻未被散射的电子NNN个。 N(t)=N0e−Pt=N0e−tτN(t)=N_0 e^{-Pt}= N_0 e^{-...
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