模拟CMOS学习笔记（二）电阻负载共源级放大电路设计

测量m0上的out输出电压

Ade l仿真

在Tools->Parametric Analysis对电阻进行参数化扫描（相当于改变电阻进行扫描）其电阻变化范围从5k→50k，扫描步长选择10k，方式为Linear Steps

 

最上绿色为5k，最下蓝色为45k，由仿真图可知，共源放大器的增益

（图中斜线的斜率绝对值）随输出电阻的增大而增大设置参数

当栅极电压（Vgs）小于Vth时，晶体管截止，无电流流过，输出电压被RD上拉至VDD1.8V，跨导gm = 0；当Vgs大于Vth并逐渐增加时，晶体管先进入饱和区，Id随着Vgs的增加而增加，输出Vout随着Vgs的增加而减小，跨导gm随着Vgs的增加而增加;当晶体管进入线性区后，晶体管可以看作一个电阻，与负载RD进行分压，Id和Vout基本没有变化，但跨导随着随着Vgs的增加而减小。与理论知识相符合。

                

选择观察的器件Results->Print->DC Operating Points，选择观察mos管M0和rd

 仿真测量

Ac仿真

• 结果分析

先模拟求出mos管的饱和电压，根据要求设置电压值

最终达到要求。

问题：os使用不了，ac仿真不了，放大倍数怎么看