DDR3笔记

——以MT41J128M16为例

1.内存芯片寻址基本原理：

先指定bank地址，再指定row地址，最后指定colum地址。

DDR3目前基本都是固定8bank设计，行、列地址长度跟容量有关

2.内存的3种频率指标：

-核心频率：内存cell阵列的工作频率，内存的真实运行频率。

-时钟频率：内存本身不会产生频率，而是由主板（AM3352）提供，该差分频率就是时钟频率

-有效数据传输频率：数据的传输频率。

3者关系：有效数据传输频率=2×时钟频率=8×核心频率

例子：DDR3-1600有效数据频率1600MHz

时钟频率800MHz

核心频率200MHz

3. 几个内存名词：

-tCK时钟周期，由时钟频率而定

-RAS行地址选通脉冲，即行激活命令，该命令实际包含bank地址和row地址

-CAS列地址选通脉冲，即读/写命令，该命令包含colum地址和读/写操作

-tRCD RAS至CAS延迟，即从行有效到读/写命令发出之间的间隔。以tCK数为单位，如DDR3-1600，tRCD=11，则代表1.25ns×11=13.75ns延迟

-CL列地址脉冲选通延迟，即发出CAS命令（特指读命令）后，数据从存储单元输出到真正出现在内存I/O口所需的时间。以tCK数为单位。

-tRP行预充电有效周期。内存芯片在对不同row进行操作时，必须要先关闭原先 row，再打开目标row，之间的间隔就是tRP。以tCK数为单位