关于flash 部分擦除、写入的实现

方案适用flash存储器

在工作中总是遇到关于flash操作的问题，nandflash写之前必须先擦除，擦除还必须是页擦除，就写几个字节，页擦不全没了！真是不方便。

这里记录一下自己的实现，以便日后开发，也便利大家，如果有好的建议，欢迎大家讨论

先写一下思路：
由于flash的工作原理，故支持从1写0，不支持从0写1，利用这一点，最终只要保证我们要擦除、或将来写数据的地址为全ff即可。

1. 判断自己需要擦除多长的地址，需要连续处理几页。
2. 准备1～2页缓冲区（这里看内存可以大），擦除。
3. 将原始数据全部存放到缓冲区。
4. 擦除原始区，将本页要擦除地址之前的数据写回，需要计算偏移地址。
5. 操作地址偏移增加要擦除的长度。
6. 将本次要擦除地址之后的数据写回。
7. 操作结果为：擦除指定地址起始指定长度的数据区。

代码区：
//擦除指定地址、指定长度数据,length为字节数
#define FLASH_TMP（120 * FLASH_PAGE_SIZE）//交换区起始地址
BOOL flash_erase_byte(UINT32 start_addr, UINT32 length)
{
UINT8 i = 0；
UINT32 start_page = 0， page_cnt = 0;//起始页、操作的页数
UINT32 op_addr = 0, op_len = 0；//数据写回操作的偏移地址
//计算起始扇区号&扇区数
start_page = start_addr / FLASH_PAGE_SIZE;//除以扇区大小
page_cnt = (length / FLASH_PAGE_SIZE);//判断输入长度是否超扇区长度
op_addr =(start_page * FLASH_PAGE_SIZE;
//准备交换区，将原数据读出
for(i = 0; i < page_cnt; i++)
if(!FLASH_Eraser_Page(page_cnt, FLASH_TMP))//准备1页交换区
return FALSE;
if(!FLASH_Read(op_addr,(UINT32*)FLASH_TMP,(page_cnt * FLASH_ PAGE_SIZE)）)//数据转存交换区
return FALSE;//擦除起始扇区&扇区数
for(i = 0; i < page_cnt; i++)
if(!FLASH _Eraser_Page(page_cnt, op_addr))//擦除源数据
return FALSE;//将数据写回，除输入地址开始～长度之外
if(!FLASH_Read(FLASH_TMP,(UINT32*)op_addr,(start_addr - op addr)/4))
return FALSE;
op_addr +=(start_addr - op_addr);
if(op_addr != start_addr)
return FALSE;
op_addr += length;
op_len =(page_cnt * FLASH_PAGE_SIZE)-(op_addr -(start_page * FLASH_PAGB_SIZE))；//剩余需要写回的数据长度
if(!FLASH_Read((FLASH_TMP + (op_addr - (start_page * FLASH PAGE_SIZE))),(UINT32*)op_addr, op_Ien/4))
return FALSE;
//返回结果
return TRUE;
}