flash擦写规则

经常需要和flash打交道，把flash的几个基本规则记录一下，如下:::::::::::::

1、常用FLASH擦写规则
最小擦除单位：扇区<sector>
可选择擦除单位：扇区、块、全片
最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。

2、关于按页编程

  1> 按页的编程是什么作用呢？

        大部分flash的擦除都是按照扇区sector擦除的，一般扇区也很大，而页page却比较小；如果按扇区编程的话，得先擦除才能编程，所以需要先将整个扇区原有的数据都需要读出来，而扇区有很大，比较占用资源。

       而page就比较小了，一般256bytes，在页内编程时，所以读数据时，只需要把原来page的所有的数据读出来即可

        按页编程只是写入速度快了？？

有人知道吗

-----------------有的flash支持，页擦除，这个得看数据手册，常见于MCU内部flash