NOR Flash的三种基本操作擦（erase），写（write），更新（update）实现方式

//分享一下芯片底层Flash操作，因为工作相关，主要接触三星的芯片居多。

很多芯片应用都是由芯片厂商提供API来辅助开发，API是个黑盒，知道输入条件和结果。

降低了客户开发的难度，但是API需要导入LIB才能使用，占用空间啊。其实根据芯片的usermanual完全可以自己实现。

一.擦（erase）

    Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0，而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的Page擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1 的过程。是寄存器控制的。都是0xFFFFFFFF才能被写入

1.擦除的单位是page，一个page可能是256B也可能是512B。

2.擦除的地址需要提前进行页对齐。

实现目标 擦除一个page的数据
流程：

（1）设置寄存器为page擦除状态
（2）加载一个无效数据dummy，任意值到目标区域上
（3）激活寄存器高电平状态
（4）加一个while死循环，等待高电平状态消失，高电平状态消失说明擦写完成
（5）使能寄存器的鉴别模式
（6）读出所有数据和0xFFFFFFFF比较
（7）数据相符，关闭寄存器verify模式，返回success。失败重复上面所有步骤
（8）失败次数达到门限值，关闭寄存器verify模式，返回fail


Note：在高电平操作之后，硬件已经记住了目标的擦除page，所以只会是目标page是表现出verify模式

二.写（write）

需要注意：

1.以word为写入单位
2.写前需要提前擦除。写入前，必须是0xFFFFFFFF。

实现目标写一个buffer的数据（需要注意操作的时候要按照具体芯片文档说明来操作，比如关闭一些时钟和中断）

流程：
（1）设置底层寄存器为写状态
（2）加载一个word的数据到buffer上
（3）通过设置寄存器设置为高电平状态
（4）等待高电平状态消失，判定为写结束
（5）数据比对，比对成功则写成功

（6）重复前面的步骤进行第二个一直到第n个word的写操作

三.更新（update）

Update!=Write

 Write是目标区域是空白，然后写入数据；Update是在目标区域已经存在数据的情况下，把目标区域的数据给覆盖更新成新数据

这样一说是不是很清晰了呢？

    按照已知的特点，flash是无法一次擦除，多次写入的。要想写入数据必须重新对目标区域进行擦除。而擦除一擦除就是一整个page，因此需要对数据进行备份到ram中，再擦除，再写入。把flash的擦和写结合一下就是upade了。


实现目标update，nword

流程：

（1）目标地址dst，Upade数据来源地址src，长度n个word，计算目标地址和page起始地址的偏移长度offset
（2）复制备份数据到ram中
（3）在ram中把数据update掉
（4）擦除page
（5）把ram buffer中的数据到目标区域，整个page都重新写入