清翔零基础教你学51单片机_个人学习笔记(14)_数字温度传感器DS18B20（理论+实践）

最新推荐文章于 2024-09-11 16:46:54 发布
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分类专栏： 清翔51学习笔记 文章标签： 51单片机 学习 笔记
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版权

说明

本人使用的是清翔的51单片机开发板，如果型号相同最方便，但是如果型号不同也可以参考，因为芯片都是一样的，只是外设不同而已，使用时只需要对照自己的开发板原理图稍微修改下引脚即可。

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本次笔记对应视频教程的第40，,41集 数字温度传感器DS18B20（理论+实践）

如果笔记之中有任何错误，请在评论区指出，谢谢

目录

一、DS18B20 

1.1 总览

1.2 两种供电方式 

1.3 温度寄存器的格式​编辑

 1.4 内部存储器结构

配置报警 

配置精度 

 1.5 访问DS18B20的顺序

1.6  ROM指令

 1.7 功能指令

 1.8 功能指令总结表

二、 单总线信号

2.1 初始化时序

2.2 写时序

2.3 读时序

2.4 操作举例

三、 开发板原理图上的DS18B20

四、编程

4.1 创建工程

4.2 main.c

4.3 main.h

4.4 修改后的代码

 4.5 现象

 

一、DS18B20 

1.1 总览

注意中文数据手册有些许错误，看的时候需要留心。

 

1.2 两种供电方式 

DS18B20可以不接VCC而从数据引脚吸取电源，这样最少只需要数据脚和接地两根线就行了。

寄生供电
外部电源供电

 

1.3 温度寄存器的格式

S为0表示正的温度，S为1表示负的温度

 

 注：上电默认温度85℃

 1.4 内部存储器结构

 设置完数据之后可以再发送拷贝命令把数据复制到EEPROM中，上电后会自动把EEPROM的数据复制到TH,TL,和配置寄存器中，实现掉电不丢失数据。

配置报警 

 

 位0和位1是测得的温度，位2位3是用户设置的高低温度报警数据，位4是配置寄存器

配置精度 

存储器位4是配置精度的

 

 

 1.5 访问DS18B20的顺序

通过单线总线端口访问 DS18B20 的协议如下：

  1. 步骤1. 初始化
  2. 步骤2. ROM 操作指令必须先发出一条ROM指令表明了顺序很重要
  3. 步骤3. DS18B20 功能指令

 每一次 DS18B20 的操作都必须满足以上步骤，若是缺少步骤或是顺序混乱，器件将不会返回值。

1.6  ROM指令

Search ROM [F0h] ( 搜索 ROM 指令)

READ ROM [33h] （ 读取 ROM 指令 ） 

 MATH ROM [55h] （ 匹配 ROM 指令 ）

 SKIP ROM [CCh] ( 忽略 ROM 指令)

ALARM SEARCH [ECH] 报警 搜索指令 

 1.7 功能指令

 1.8 功能指令总结表

清翔PPT总结ROM指令和功能指令

 

二、 单总线信号

2.1 初始化时序

 主机先拉低总线480us以上，构成复位脉冲，然后释放总线，DS18B20会在探测到上升沿后，等待15到60us，再拉低总线60到240us构成存在脉冲。

2.2 写时序

要产生写时序，先把总线拉低至少1us，如果写0，总线必须拉低60到120us，然后释放总线，如果写1，在写时序之后15us内把总线拉高，总时长要大于60us。注意两次写周期之间至少要间隔1us

2.3 读时序

 要产生读时序，必须把总线拉低至少1us，然后释放总线，在读信号开始后15us内总线控制器采样总线数据，读一位数据至少保持在60us以上。两次读周期之间至少间隔1us

2.4 操作举例

 

三、 开发板原理图上的DS18B20

 由于开发板上只挂载了1个DS18B20，所以可以直接发送忽略ROM指令，不需要发送64位地址，节省时间。

四、编程

4.1 创建工程

复制上一份工程文件夹，修改名称为“14.数字温度传感器DS18B20”，进入项目文件夹，打开工程文件，删除main.c函数的内容。

4.2 main.c

void main()
{
    int TEM;
    uchar TEML;
    uchar TEMH;
    while(1)
    {
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0x44);  //发送温度转换功能指令
        //上面3个步骤已经完成，再次操作需要再次进行3步
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0xBE);  //读取暂存器功能指令
        TEML = DSReadByte();    //读取1个字节(温度低位)
        TEMH = DSReadByte();    //读取1个字节(温度高位)
        DSinit();       //停止读取数据
        TEM = TEMH;
        TEM <<= 8;
        TEM |= TEML;
        TEM = TEM * 0.0625*10 + 0.5;    //扩大十倍并四舍五入
        SEG_DIS3(TEM);
        SEG_DIS(2,22);
    }
}

/**********************************************************************************/
/*************************  DS18B20  *********************************************/
/**********************************************************************************/

    //DS18B20初始化
bit DSinit()
{
    bit i;
    DS = 1;
    _nop_();
    DS = 0;
    delay_us(73);  //11.95 + 6.5*x = 480,得x ≈ 73
    DS = 1;     //释放总线
    delay_us(8);  //等待60us, 11.95 + 6.5*x = 60,得x=8
    i = DS;
    delay_us(29);  //等待DS发送完存在信号，200us, 11.95+6.5*x=200,得x=29
    DS = 1;
    return (i);
}

    //DS18B20写时序，写一个字节
void DSWriteByte(uchar DAT)
{
    uchar i;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();
        DS = DAT & 0x01;
        DAT >>= 1;
        delay_us(11);  //写0和写1都要求时长超过60us,11.95+6.5*x=80,->x=11
        DS = 1;     //释放总线，等待下一次传输
        _nop_();
    }
    DS = 1;
}

    //DS18B20读一个字节
uchar DSReadByte()
{
    uchar i;
    uchar j;
    uchar dat;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();    //产生读时序
        DS = 1;     //释放总线
        delay5us(); //延时一会儿
        j = DS;
        delay_us(10);   //延时等待这次数据DS18B20发送完全
        DS = 1;
        _nop_();
        dat = (j<<7)|(dat>>1);	//接收到的数据是从低位到高位，顺序调换一下
    }
    return (dat);     
}

void delay_us(uchar us)
{
    while(us--);    //进入需要11.95us，执行一次us--需要6.5us
}

delay_us的时间可以用debug功能查看 。本代码并未考虑温度为负的情况。根据温度寄存器的格式，高字节前5位都是符号位，所以可以判断高字节前5位的任何1位是否为1，为1则表示温度为负。再处理一下数码管显示部分，就可以实现负温度显示了。

注意负数是以补码的形式存储在内存中的，所以还要处理一下，还原温度值。关于负数如何以补码的形式存储，请自行查阅资料。为了验证自己的负数代码是否正确，可以注释掉从DS18B20读取数据的代码，然后自己手动给对应的变量赋值，编译下载看数码管是显示正常。

对于显示位数，也可以通过处理显示函数来实现，温度整数部分最大是3位，小数部分最大是4位，可以先判断温度是否为负，来决定是否显示负号，再判断百位，十位，个位是不是0，如果是0则不显示，位置可以用一个变量来判断，某个位有数字显示（非0），就显示完之后让这个变量自加，如果某个位是0，就不运行这个位的代码，从而能实现自动向左靠齐。个位判断完后，在个位显示代码里面要加上小数点，然后再处理剩下的小数部分。小数部分最多4位，如果想实现不显示小数最后的0，可以判断最后1位是否为0，为0则不显示，如果最后一位为0，再判断倒数第2位是否为0，如此连续判断4位小数，就可以实现去掉小数末尾的0

在显示全部整数和小数中，就没必要进行四舍五入了，直接显示原转换精度，把转换后的TEM乘以0.0625再乘以10000，这样就能去掉全部的小数，把小数转换成了一个整数，再送入数码管显示处理。

注意，由于DS18B20测温范围最大125℃，日常测温在10到40度之间，但是第二位的小数点是手动打上去的，实际变量的值要乘以10倍，也就是100到400，超过了uchar类型的范围，因此我修改了一下SEG_DIS3为

void SEG_DIS3(uint i) 
{
    SEG_DIS(1, i / 100);
    SEG_DIS(2, i % 100 / 10);
    SEG_DIS(3, i % 10);
}

只需要修改一下参数由uchar编程uint就行了。

如果想要修改成其他精度，可以参考

  • 1.5 访问DS18B20的顺序
  • 1.6  ROM指令
  • 1.7 功能指令

这三个小节的内容。

	DSinit();//初始化DS18B20
	DSWriteByte(0xcc);//发送跳跃ROM指令
	DSWriteByte(0x4e);//写暂存器指令
	DSWriteByte(0x7f);
	DSWriteByte(0xf7);
	DSWriteByte(0x1f);//配置工作在9位模式下
	DSinit();//初始化DS18B20
	DSWriteByte(0xcc);//发送跳跃ROM指令 
	DSWriteByte(0x48);//把温度上下限和精度设置存储到EEPROM中，下次上电自动读取

这些内容放在while循环的前面就行了，因为这些内容只需要执行一次，不需要一直在while循环里面重复执行，而且EEPROM有写入次数限制

4.3 main.h

写入函数声明和变量定义

/**************  DS18B20函数  *************************/
bit DSinit();                //DS18B20初始化
void DSWriteByte(uchar DAT);    //DS18B20写时序，写一个字节
uchar DSReadByte();         //DS18B20读一个字节

sbit DS = P2^2;

4.4 修改后的代码

void SEG_DIS(uchar position, uchar number)
{
    //P0 = 0xFF;
    DU = 0;
    P0 = we[position - 1];
    WE = 1;
    WE = 0;
    
    //P0 = 0x00;
    P0 = du[number];
    DU = 1;
    DU  = 0;
}

bit s;  //标志温度是否为负的变量

void main()
{
    //这些内容只需要执行一次即可，执行完可以注释掉
    unsigned long TEM;
    uchar TEML;
    uchar TEMH;
    uchar i;
//    
//    DSinit();       //初始化DS18B20
//    DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
//    DSWriteByte(0x4e);  //写暂存器指令
//    DSWriteByte(0x1e);   //设置报警温度上限：30
//    DSWriteByte(0x1d);   //设置报警温度下限：29
//    DSWriteByte(0x7f);  //设置12位精度
//    
//    DSinit();       //初始化DS18B20
//    DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
//    DSWriteByte(0x48);  //拷贝暂存器数据到EEPROM实现掉电不丢失
    //循环部分
    while(1)
    {
        
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0x44);  //发送温度转换功能指令
        //上面3个步骤已经完成，再次操作需要再次进行3步
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0xBE);  //读取暂存器功能指令
        TEML = DSReadByte();    //读取1个字节(温度低位)
        TEMH = DSReadByte();    //读取1个字节(温度高位)
        DSinit();       //停止读取数据
        TEM = TEMH;
        TEM <<= 8;
        TEM |= TEML;
        if (TEMH & 0x80)    //符号位为1，说明温度小于0，需要根据补码求原码，显示负号
        {
            TEM = ~TEM + 1;
            s = 1;
        }
        else
            s = 0;  //温度为正数，不显示负号，标志位为0
        TEM = TEM * 0.0625*10000;    //扩大10000倍,4位小数全部变成整数
        i = 0;
        //符号位
        if (s) SEG_DIS(++i, 20);
        //百位
        if (TEM < 1000000);
        else SEG_DIS(++i,TEM/1000000%10);
        //十位
        if (TEM < 100000);
        else SEG_DIS(++i,TEM/100000%10);
        //个位
        SEG_DIS(++i,TEM/10000%10);
        delay(1);       //延时是因为个位显示比较暗
        SEG_DIS(i,22);
        //第一位小数
        SEG_DIS(++i,TEM/1000%10);
        //倒数第3位小数
        if (TEM % 1000) SEG_DIS(++i,TEM/100%10);
        //倒数第2位小数
        if (TEM % 100) SEG_DIS(++i,TEM/10%10);
        //最后1位小数
        if (TEM%10) SEG_DIS(++i,TEM%10);
    }
}

/**********************************************************************************/
/*************************  DS18B20  *********************************************/
/**********************************************************************************/

    //DS18B20初始化
bit DSinit()
{
    bit i;
    DS = 1;
    _nop_();
    DS = 0;
    delay_us(73);  //11.95 + 6.5*x = 480,得x ≈ 73
    DS = 1;     //释放总线
    delay_us(8);  //等待60us, 11.95 + 6.5*x = 60,得x=8
    i = DS;
    delay_us(29);  //等待DS发送完存在信号，200us, 11.95+6.5*x=200,得x=29
    DS = 1;
    return (i);
}

    //DS18B20写时序，写一个字节
void DSWriteByte(uchar DAT)
{
    uchar i;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();
        DS = DAT & 0x01;
        DAT >>= 1;
        delay_us(11);  //写0和写1都要求时长超过60us,11.95+6.5*x=80,->x=11
        DS = 1;     //释放总线，等待下一次传输
        _nop_();
    }
    DS = 1;
}

    //DS18B20读一个字节
uchar DSReadByte()
{
    uchar i;
    uchar j;
    uchar dat;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();    //产生读时序
        DS = 1;     //释放总线
        delay5us(); //延时一会儿
        j = DS;
        delay_us(10);   //延时等待这次数据DS18B20发送完全
        DS = 1;
        _nop_();
        dat = (j<<7)|(dat>>1);	
    }
    return (dat);     //接收到的数据是从低位到高位，顺序调换一下
}

 4.5 现象

位数会随温度变化而变化，要测试负数，可以自己赋值s=1 

本次笔记对应视频教程的第40，,41集 数字温度传感器DS18B20（理论+实践），到此结束。

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下次笔记将对应视频教程的第42，43集 红外通讯（理论+实践）

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如果笔记之中有任何错误，请在评论区指出，谢谢

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专栏目录
51单片机18B20
04-20
51单片机通过DS18B20温度传感器对温度进行采集，通过单总线将温度信号传给单片机，在由数码管进行温度采集显示（蓝桥杯）
【51单片机】DS18B20（江科大）
2302_80796399的博客
02-12 7865
DS18B20是一种常见的数字温度传感器,其控制命令和数据都是以数字信号的方式输入输出,相比较于模拟温度传感器,具有功能强大、硬件简单、易扩展、抗干扰性强等特点· 测温范围 :- 55℃到+125℃· 通信接口:1-Wire(单总线)· 其它特征:可形成总线结构、内置温度报警功能、可寄生供电。
【硬件模块】DS18B20温度传感器
最新发布
m0_63235356的博客
09-11 1835
DS18B20是只需要一根通讯线的温度传感器。首先先看看它的通信时序，一共就仨，初始化时序，写时序，读时序。第一个，初始化时序，我们（MCU）先拉低总线最少480us，然后释放总线（拉高）。DS18B20收到上升沿之后会在15~60us之后把总线拉低，拉低60~240us之后再释放总线。这样一套流程下来我们就算是初始化DS18B20了。那我们要做的就是先把MCU用于和DS18B20通信的那个引脚设置为输出模式。然后拉低480us（可以稍微久一点，但是我试过了，480us是没问题的）后，再拉高。
51单片机-温度传感器DS18B20
好乐无荒之地
06-25 1760
DS18B20的核心功能是它可以直接读出数字的温度数值。温度传感器的精度为用户可编程的9，10，11或12位，分别以0.5℃，0.25℃，0.125℃和0.0625℃增量递增。在上电状态下默认的精度为12位。DS18B20启动后保持低功耗等待状态,当需要执行温度测量和AD转换时，总线控制器必须发出[44h]命令。转换完以后，产生的温度数据以两个字节的形式被存储到高速暂存器的温度寄存器中，DS18B20继续保持等待状态。
51单片机——温度传感器DS18B20的原理、通信时序及检测周围环境温度
2201_75518371的博客
04-20 3351
DS18B20 是美信公司的一款温度传感器，单片机可以通过 1-Wire 协议与 DS18B20 进行通信，最终将温度读出。1-Wire 总线的硬件接口很简单，只需要把 DS18B20 的数据引脚和单片机的一个 IO 口接上就可以了。在学习温度传感器中，时序是非常重要的概念，理解它尤为重要。在之后的实操中，想让传感器工作首先就得写时序，所以还需要更加深入的学习。DS18B20时序分析详细步骤_ds18b20时序示波器测量-CSDN博客。
51单片机—DS18B20学习
purple_xiaohan的博客
03-31 1125
DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线（单总线） ” 接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比， 它是一种新型的体积小、适用电压宽、 与微处理器接口简单的：管脚 1 为 GND， 管脚 2 为数据DQ， 管脚 3 为 VDD。， 通常我们在开发板上都会标出传感器的凸起出。所以只需要把传感器凸起的方向对着开发板凸起方向插入即可。测温范围：-55℃到+125℃通信接口：1-Wire（单总线DQ）
【STM32学习笔记】DS18B20温度传感器工作时序和编程指南
yy199806的博客
09-20 585
本章先介绍了DS18B20的存储器结构和控制命令，又介绍了单总线协议的时序和代码实现，最后介绍了DS18B20典型的应用，温度读取和ROM读取，并给出了实现代码。首先来看实验结果，注意ROM值打印的是10进制。
【蓝桥杯-单片机学习笔记（十三）】DS18B20温度传感器
Backlight__的博客
01-27 6865
一、温度传感器-DS18B20介绍 DS18B20是单总线数字化温度传感器，测量温度范围是-55℃~+125℃，在-10℃~+85℃范围内，精度为±0.5℃。支持3V~5.5V的供电电压范围。DS18B20可以程序设定9~12位的分辨率，精度为±0.5℃。 1.DS18B20内部结构 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20引脚配置如下所示： DQ为数字信号输入/输出端，GND为电源地，VDD为外接供电电源
AVR学习笔记7、基于DS18B20的温度测量实验.rar_avr学习笔记_howeverbhr
09-20
在本AVR学习笔记中，我们将深入探讨如何利用DS18B20数字温度传感器进行温度测量，并将这个功能集成到AVR单片机系统中。这篇笔记是为初学者设计的，旨在帮助他们理解DS18B20的工作原理以及如何在AVR微控制器上实现...
DS18B20shuziwenduji.rar_ds18b20_单片机程序
09-23
标题中的“DS18B20shuziwenduji.rar”是一个压缩文件，其中包含了与DS18B20数字温度传感器相关的单片机程序资料。DS18B20是一款广泛应用于各种环境监测和控制系统的高精度温度传感器。这款传感器能够直接输出数字...
STM32学习和实践笔记（40）：DS18B20温度传感器实验
qq_37191547的博客
07-15 912
DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速的暂存器RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPROM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和配置寄存器。60~240 us，以产生低电平应答脉冲。单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。比如我们要计算+85度，数据输出十六进制是0X0550，因为高字节的高5位为0，表明检测的温度是正温度，接着主机释放总线，外部的上拉电阻将单总线拉高，延时 15～60 us，并进入接收模式。
51单片机的ds18b20温度显示程序
01-05
基于51单片机的ds18b20的C语言程序
ds18b20温度传感器编程指令功能
07-18
ds18b20温度传感器编程指令功能 （1）ROM操作指令： 1. 读ROM指令 ：Read ROM [33h] 这个命令允许总线控制器读到DS1820 的8 位系列编码、唯一的序列号和8 位CRC 码。只有在总线上存在单只DS1820 的时候才能使用这个命令。如果总上有不止一个从机，当所有从机......
DS18B20关于search rom指令的使用
06-17
基于51和DS18B20的温度采集，用到了DS18B20的search rom指令，可以自动搜索序列号。
清翔51单片机 简易计算器.zip
08-10
(51单片机，C语言编写)通过矩阵按键输入一位数字后，紧随其后通过数码管随机输出+或-或*或/号，之后再输入一位数字后，紧随其后输出=号，并在随后自动计算出结果。结果显示两位，小于10时，十位显示0，为负数时，十位显示-号，除数为零时，显示ER。
ds18b20搜索rom命令
08-03
ds18b20搜索rom命令，当单线挂载多个ds18b20时，需要确定每个device的ID，ds18b20的搜索rom命令可以用来枚举所有device的ID
51单片机复习：DS18B20
weixin_30455365的博客
04-08 835
DS18B20温度传感器：（初始化，写字节，读字节，发送温度转换命令，发送读取温度命令，读取温度） 1.一些注意点： .适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V .测温范围－55℃～+125℃，在-10～+85℃时精度为±0.5℃ .可编程的分辨率为9...
51单片机外设篇：DS18B20
qq_28576837的博客
08-01 4922
51单片机外设篇：DS18B20
使用51单片机模拟单总线时序与温度传感器DS18B20通信
weixin_74345079的博客
04-25 941
DS18B20是一种数字温度传感器，采用单总线接口进行通信。它可以测量环境温度，并将其转换为数字信号输出。DS18B20具有高精度、数字输出、工作电压范围广、低功耗等特点，常用于各种温度监测应用中，如室内温度监控、工业自动化等。由于采用单总线接口，它可以方便地与微控制器等设备进行通信，并且可以通过一条总线连接多个DS18B20传感器，简化了布线结构。DS18B20传感器有几种不同的封装类型，包括TO-92、TO-220、TO-263等，适用于不同的应用场景和安装需求。
AVR单片机学习笔记：DS18B20温度传感器详解
DS18B20是一款常见的数字温度传感器，由Dallas Semiconductor（现Maxim Integrated）生产。这款传感器以其独特的特性在各种温度测量应用中广泛使用，尤其适用于嵌入式系统。DS18B20的主要特点在于它采用了一线总线...
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