46、vSAN 存储系统的操作与管理指南

vSAN 存储系统的操作与管理指南

导入分布式交换机配置

在 vSphere 环境中,若要导入分布式交换机配置,可按以下步骤操作:
1. 以具有管理员权限的用户身份,使用 vSphere 6.x Web 客户端连接到 vCenter 服务器。
2. 导航至网络视图。
3. 在库存树中选择数据中心对象。
4. 右键单击数据中心对象,然后选择“分布式交换机”>“导入分布式交换机”。此时会出现“导入分布式交换机”向导。
5. 在“选择分布式交换机备份文件”字段中,点击“浏览”。
6. 找到备份文件所在位置,选择该文件,然后点击“打开”。
7. 选中“保留原始分布式交换机和端口组标识符”复选框,然后点击“下一步”。
8. 在向导的“准备完成”步骤中,查看导入设置的详细信息,然后点击“完成”。

固态驱动器和闪存存储概述

自超融合基础设施(HCI,包括 vSAN)概念引入以来,对闪存存储(包括固态硬盘,SSD)的需求不断增加。下面将介绍各种类型的闪存驱动器及其对 vSAN 使用的适用性。
- 闪存存储历史 :早期的晶体管收音机上有“固态”标志,那时人们只知道它没有真空管。后来了解到晶体管如何彻底改变了电子行业,而晶体管的发展也促成了闪存存储等计算机行业应用。晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电功率的半导体设备,其名称是“跨电阻”的缩写。场效应晶体管(FET)的概念在 1926 年左右获得专利,但直到二战结束后的 20 世纪 40 年代末才得以实际制造。晶体管通过电场控制设备的电气行为,可用于放大或切换电流,常见应用是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSF

STM32电机库无感代码注释无传感器版本龙贝格观测三电阻双AD采样前馈控制弱磁控制斜坡启动内容概要:本文档为一份关于STM32电机控制的无传感器版本代码注释资源,聚焦于龙贝格观测器在永磁同步电机(PMSM)无感控制中的应用。内容涵盖三电阻双通道AD采样技术、前馈控制、弱磁控制及斜坡启动等关键控制策略的实现方法,旨在通过详细的代码解析帮助开发者深入理解基于STM32平台的高性能电机控制算法设计工程实现。文档适用于从事电机控制开发的技术人员,重点解析了无位置传感器控制下的转子初始定位、速度估算系统稳定性优化等问题。; 适合人群:具备一定嵌入式开发基础,熟悉STM32平台及电机控制原理的工程师或研究人员,尤其适合从事无感FOC开发的中高级技术人员。; 使用场景及目标:①掌握龙贝格观测器在PMSM无感控制中的建模实现;②理解三电阻采样双AD同步采集的硬件匹配软件处理机制;③实现前馈补偿提升动态响应、弱磁扩速控制策略以及平稳斜坡启动过程;④为实际项目中调试和优化无感FOC系统提供代码参考和技术支持; 阅读建议:建议结合STM32电机控制硬件平台进行代码对照阅读实验验证,重点关注观测器设计、电流采样校准、PI参数整定及各控制模块之间的协同逻辑,建议配合示波器进行信号观测以加深对控制时序性能表现的理解。
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