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RSS订阅转载 MOS管开关电路设计
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件
2013-05-09 23:33:50
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转载 SLC和MLC闪存芯片的区别
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有
2013-05-08 23:39:55
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转载 DDR设计指导（二）
认识DIMM常见的内存模组有三种：Unbuffered DIMM(UDIMM)，Registered DIMM(RDIMM)和SODIMM。首先解释DIMM的含义，DIMM指Dual Inlined Memory Module，即双列直插式内存模组。 Unbuffered DIMM：Unbuffered DIMM，指没有经过缓冲，定位在桌面市场，是市面上最常见的内存模组。早期的
2013-05-07 22:15:36
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转载 DDR设计指导（一）
认识DDR严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产
2013-05-06 23:52:36
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转载 防反接保护电路设计
终于可以写文章了，新开的博客竟然要三天才能写文章，郁闷。网上收集了一些关于反接保护的文章。通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：图1.二极管型防反接保护电路这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以汽车HID安定器为例，安定器的输入电流额定值达到8A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR30
2013-05-05 23:20:50
2011
空空如也
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