模拟电路
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chenyizhuang
这个作者很懒,什么都没留下…
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防反接保护电路设计
终于可以写文章了,新开的博客竟然要三天才能写文章,郁闷。网上收集了一些关于反接保护的文章。通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示:图1.二极管型防反接保护电路这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以汽车HID安定器为例,安定器的输入电流额定值达到8A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR30转载 2013-05-05 23:20:50 · 2007 阅读 · 0 评论 -
MOS管开关电路设计
首先要进行MOSFET的选择,MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空,器件转载 2013-05-09 23:33:50 · 6595 阅读 · 0 评论