如下图所示,是来自TI的参考设计TIDA-00982中的一个电路,功能主要是防止输入反接,R6和C6形成吸收回路,可以对上电过冲有一定的抑制作用。电源正常接入时,PMOS导通,给负载供电,由于VDS的存在,所以负载两端的电压相对输入电压会有降低,MOS也会有一定的损耗和温升,这是这种类型的防反接电路不可避免的。D1的作用是保护MOS的VGS不被反向击穿,在TI的该应用中的最高输入电压为28V,而这个MOS的VGS最大为25V,所以这里加了一个8.2V的稳压管将VGS的电压稳定在8.2V左右,以保护MOS不被高压击穿损坏。而R9是为D1提供静态电流的,起限流左右。当电源接反时,PMOS关断,MOS的寄生二极管也截止,负载与电源断开,不能供电。但是发现一个隐患就是,VDS电压为-28V,而TI选的这个MOS的最大VDS电压为-30V,个人感觉裕量有点小。
基于PMOS的电源防反接电路
于 2023-09-13 10:56:05 首次发布