H5DU1262GTR-E3C特征

　　H5DU1262GTR是一个134,217,728位CMOS双数据速率(DDR)同步DRAM，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用程序。这个Hynix 128Mb的DDR SDRAMs提供了对锁的上升和下降边缘的完全同步操作。当所有的地址和控制输入都被锁定在CK的上升边(/CK的下降边)时，数据、数据频闪和写数据掩码的输入都被采样在它的上升边和下降边。数据路径是内部流水线和2位预取的，以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平均与SSTL_2兼容。
　　H5DU1262GTR-E3C特征：
　　VDD、VDDQ = 2.3V min ~ 2.7V max(DDR266、333,400、500典型2.5V操作+/- 0.2V)
　　所有输入和输出都与sstl_2接口兼容
　　全差分时钟输入(CK， /CK)操作
　　双数据速率接口
　　源同步-数据事务对齐到双向数据频闪(DQS)
　　x16设备每个x8 I/O有两个bytewide数据频闪(udq, ldq)
　　读取时DQS边缘上的数据输出(edge DQ)写入时DQS中心上的数据输入(centeredDQ)
　　芯片上的DLL将DQ和DQS转换与CKtransition对齐
　　DM掩模在数据频闪的上升和下降边缘写入数据
　　所有地址和控制输入(数据、数据星盘和数据掩模除外)都锁定在上升边缘
　　销的配置：

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