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RSS订阅转载 高压电容1206B471K102CT应用程序
高压电容一般指的是1kv以上的电容，或者10kv以上的电容。通常，一颗额定工作电压为10KVAC的高压电容，如果以直流电压来判断，往往要用额定为40KVDC以上的产品才合适.因为40KVDC的电容，往往只能经受住10KVAC约2分钟的测试，更高电压时就容易击穿。 产品型号：120...
2019-08-31 15:50:00
380
转载 BZG03C30TR稳压二极管
产品型号：BZG03C30TR 商品目录：稳压二极管 稳压值(典型值）：30V 反向漏电流：1uA @ 22V 最大功率：1.25W 特性： 可靠性高 电压范围从10v到270v 适合5毫米SMD脚垫 波浪焊和回流焊可焊 AEC-Q101合格 ...
2019-08-30 14:10:00
418
转载 BTS50010-1TAD总结特点
BTS50010-1TAD是1.0mΩ单通道智能高端电源开关,嵌入在pg-263-7-10包,提供保护功能和诊断。它包含英飞凌?reverseave?功能。功率晶体管由n通道功率MOSFET和电荷泵构成。它是专为驱动高电流负载高达80a，如开关电池联轴器，电源分配开关，加热器，辉光插头，在...
2019-08-29 17:11:00
492
转载 BAW56-E3-08开关二极管特性
产品型号：BAW56-E3-08 商品目录：开关二极管 反向恢复时间：6ns 反向耐压VR：70V 平均整流电流IF：250mA 正向压降VF：1.25V@150mA 特性： 硅外延平面二极管 快速开关双二极管与普通阳极 AEC-Q101合格 基...
2019-08-28 14:53:00
511
转载 压敏电阻14D471K
产品型号：14D471K 商品目录：压敏电阻 浪涌电流：4.5KA 变阻区电压（压敏电压）：470(423~517) 钳位电压：775V 标称电压：385V 规格说明: 压敏电阻动作电压范围：18V~1800V(dc) 在8/20us电流波形最大通流量：...
2019-08-22 16:26:00
1698
转载 TLC7135CDWR推荐的操作条件
ICL7135C和TLC7135C转换器采用德州仪器公司的高效cmostnology技术制造。这些4又1/2位的双斜积分模数转换器(adc)被设计用来为微处理器和视觉显示器提供接口。数字驱动器输出D1到D4，多路二进制编码-十进制输出B1、B2、B4和B8为LED或LCDdecoder/d...
2019-08-14 14:51:00
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转载 TLC7135CDWR推荐的操作条件
ICL7135C和TLC7135C转换器采用德州仪器公司的高效cmostnology技术制造。这些4又1/2位的双斜积分模数转换器(adc)被设计用来为微处理器和视觉显示器提供接口。数字驱动器输出D1到D4，多路二进制编码-十进制输出B1、B2、B4和B8为LED或LCDdecoder/d...
2019-08-14 14:51:00
1104
转载 TJA1051T/1参数
TJA1051是一种高速CAN收发器，提供了a控制器区域网络(CAN)协议控制器和物理两线CAN总线。 该收发机是专为高速CAN应用于汽车工业，为(具有)CAN的微控制器提供差分发射和接收能力协议控制器。 TJA1051属于NXP第三代高速CAN收发器与第一代和第二代相比，半导体有...
2019-08-13 16:58:00
5238
转载 LT3042EDD规格
DC2246B是一款线性稳压器，采用LT3042EDD，具有200mA、超低噪声、超高电源抑制比(PSRR)、RF低漏出(LDO)、可编程电流限制的稳压器。DC2246B工作在3.8Vto 20V的输入电压范围内。LT3042的最大输出电流为200ma。具有超低噪声(0.8μvrms从10...
2019-08-12 17:11:00
1047
转载 N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11
NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。 产品型号：NCE75H11 产品种类：MOSFET 产品特性：N沟道增强型场效应晶体管 漏源极击穿电压（最大）：75V 连续漏极电流（最...
2019-08-09 16:39:00
1015
转载 H5DU1262GTR-E3C特征
H5DU1262GTR是一个134,217,728位CMOS双数据速率(DDR)同步DRAM，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用程序。这个Hynix 128Mb的DDR SDRAMs提供了对锁的上升和下降边缘的完全同步操作。当所有的地址和控制输入都被锁定在CK的上升边(/CK的下降...
2019-08-08 15:02:00
84
转载 H5DU1262GTR-E3C特征
H5DU1262GTR是一个134,217,728位CMOS双数据速率(DDR)同步DRAM，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用程序。这个Hynix 128Mb的DDR SDRAMs提供了对锁的上升和下降边缘的完全同步操作。当所有的地址和控制输入都被锁定在CK的上升边(/CK的下降...
2019-08-08 15:02:00
377
转载 LM317K特征
LM317K用于作为正向可调电压调节器。它们被设计用来提供超过1.5A的负载电流和输出电压可调超过1.2至37V范围。标称输出电压仅通过电阻分压器来选择，这使得该设备非常容易使用，并消除了许多固定稳压器的库存。 LM317K特征： 输出电压范围：1.2~37V 输出电流超过：1...
2019-08-06 15:25:00
1432
转载 LM317K特征
LM317K用于作为正向可调电压调节器。它们被设计用来提供超过1.5A的负载电流和输出电压可调超过1.2至37V范围。标称输出电压仅通过电阻分压器来选择，这使得该设备非常容易使用，并消除了许多固定稳压器的库存。 LM317K特征： 输出电压范围：1.2~37V 输出电流超过：1...
2019-08-06 15:25:00
804
转载 1N5623GP-E3通用二极管
产品型号：1N5623GP-E3 商品目录：通用二极管 反向耐压VR：1kV 平均整流电流IF：1A 正向压降VF：1.2V@1A 特征： 高可靠性条件下的超膨胀结构 无腔玻璃钝化结 快速切换，效率高 泄漏电流低 高正向浪涌能力 焊料倾角最大...
2019-07-29 10:18:00
244
转载 UMB2NTN三极管
产品型号：UMB2NTN 商品目录：三极管 额定功率：150mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 类型：2 个 PNP 预偏压式(双) UMB2NTN特性： 两个DTA144E芯片在EMT或UMT或SMT包中。 可安装EMT3或...
2019-07-24 15:27:00
205
转载 TPS767D325PWPR特性
TPS767D301-EP双电压调节器提供快速瞬态响应、低辍学(LDO)电压,和双输出在一个紧凑的包和包含稳定10-?Flow-ESR输出电容器。 TPS767D301-EP双电压调节器主要用于DSP应用。该设备可用于任何混合输出电压应用，每个调节器支持多达1a。双有源低复位(复位)信...
2019-07-18 16:09:00
298
转载 场效应管的使用注意事项
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。...
2019-07-16 16:39:00
1024
转载 PDS540-13机械数据
产品型号：PDS540-13 用于瞬态保护的保护环模结构 低功耗，高效率 低正向电压降 适用于低压、高频逆变器，免费使用 轮毂和极性保护应用 高正向浪涌电流能力 无铅完成;符合RoHS规定(注1和2) 无卤素和锑。“绿色”装置(注3) 符合AEC-Q10...
2019-07-04 16:12:00
112
转载 RT4801HWSC应用
RT4801H是一个高度集成的升压、ldo和逆变电荷泵，可产生正负输出电压。通过I2Cinterface协议，输出电压可以通过100mV的步长，从4v调整到6V。RT4801H的输入电压范围为2.5Vto5.5V，适用于单电池供电、输出电流对称至80mA的产品。RT4801H在WL-CSP...
2019-07-03 15:21:00
234
转载 LSF0108PWR设备信息
LSF系列支持高达100兆赫以上的翻译且≤30pF下平移大于100mhz上限负载和高达40mhz的上升/下降平移在50pF帽负载，允许LSF家族支持更多的消费者或电信接口(MDIO或SDIO)。LSF系列具有双向电压翻译不需要DIR引脚最小化系统工作(对于PMBus,I2c,或SMbus)...
2019-07-01 16:38:00
886
转载 L1084DG特性
L1084G是一个积极和低辍学三端5A输出稳压器当前的能力。这个设备是用于低压应用提供更低的脱扣电压和更快的瞬态响应。这个装置被完全保护起来电流故障，过温操作，反向输入极性，反向引线插入，瞬态电压尖峰等。 在芯片上微调参考电压到1%，最大辍学率低1.45伏特。 L1084G系列稳压...
2019-06-28 16:09:00
182
转载 MAX903ESA参数说明
MAX900-MAX903高速，低功耗，单/双/四电压比较器的特点是差分模拟输入和ttl逻辑输出与有源内部脉冲。快速传播延迟(5mV超速时的8nstyp)使MAX900-MAX903成为快速A/D转换器和采样电路、线路接收器、V/F转换器以及许多其他数据识别应用程序的理想选择。所有的比较器...
2019-06-14 17:30:00
517
转载 MMSZ5248C典型的应用程序
MICRF211是一种通用的3VQwikRadio接收机，工作在433.92MHz，典型的灵敏度为-110dBm。 MMSZ5248C特性： 硅平面齐纳二极管 标准齐纳电压公差为±5%，带“B”后缀(如:MMSZ5225B)，后缀“C”为±2% AEC-Q101合格可用...
2019-06-10 16:42:00
144
转载 NTA4001NT1G场效应管
产品型号：NTA4001NT1G 商品目录：MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：238mA（Tj） 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压（最大值）：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻（最大值）：3 Ω @ 10mA，4.5V 类型：...
2019-06-06 15:17:00
286
转载 LM1117MPX-2.5参数
LM1117是一组低压稳压器，在800mA负载电流下，其输出电压为1.2V。它具有与国家半导体工业标准LM317相同的引脚输出。 LM1117有一个可调的版本，它可以设置输出电压从1.25V到13.8V只有两个外部电阻。此外，它还可在五个固定电压，1.8V,2.5V,2.85V,3.3...
2019-06-06 13:53:00
1296
转载 PESD5V0F1BSF特性好处
产品型号：PESD5V0F1BSF 商品目录：ESD二极管 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：3A (8/20us) 箝位电压：13.5V 击穿电压（最小值）：6V 反向关断电压（典型值）：5V PESD5V0F1BSF特...
2019-05-30 15:09:00
423
转载 LM5005MHX/NOPB产品说明
产品型号：LM5005MHX/NOPB 商品目录：DC-DC芯片 输出电压（最小值/固定）：1.225V 可输出电流：2.5A 开关工作频率：50kHz ~ 500kHz 输出类型：Adjustable 输出电压的路数：1 最小输入电压：7V： 输入电压（最...
2019-05-29 14:48:00
504
转载 1N5236BTR稳压二极管
产品型号：1N5236BTR 商品目录：稳压二极管 精度：±5% 稳压值(典型值）：7.5V 反向漏电流：3uA@6V 最大功率：500mW 产品展示： 绝对最大额定参数： 超过绝对最大额定值的应力可能会损坏设备。该设备不能在推荐的操...
2019-05-10 16:52:00
242
转载 BQ24073RGTR产品说明
产品型号：BQ24073RGTR 电池化学：锂离子 电池数：1 CurrentCharging：恒流-可编程 可编程特性：电流，定时器 故障保护：超温，过压，反向电流，短路 充电电流-最大值：1.5A BatteryPackVoltage：4.2V 电压-?...
2019-05-07 14:15:00
694
转载 2SB1184TLQ三极管
产品型号：2SB1184TLQ 商品目录：三极管 额定功率：1W 集电极电流Ic：3A Vce的电压值：50V 类型：PNP 2SB1184TLQ结构： 外延平面类型 硅PNP晶体管 尺寸(单位：mm)： 绝对最大额定值(Ta=25℃...
2019-04-29 14:32:00
683
转载 STD45NF75T4特征应用说明
STD45NF75T4简介： 这种功率MOSFET是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。 所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高，因此具有可标记的制造重现性。 特征说明： 典型的RDS(on) = 0.018Ω...
2019-04-26 14:54:00
109
转载 PN8368应用领域及工作范围
PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提...
2019-04-23 16:01:00
977
转载 STD2HNK60Z特征
STD2HNK60Z简介： 塑料封装的肖特基整流二极管。适用于低压、高频开关电源的输出整流器。 STD2HNK60Z特征： 低正向电压降 快速切换 反向过载能力 高热循环性能 低的热阻 STD2HNK60Z限制的值： 按绝对最大系统计算的极限值(...
2019-04-19 15:33:00
90
转载 STD2HNK60Z特征
STD2HNK60Z简介： 塑料封装的肖特基整流二极管。适用于低压、高频开关电源的输出整流器。 STD2HNK60Z特征： 低正向电压降 快速切换 反向过载能力 高热循环性能 低的热阻 STD2HNK60Z限制的值： 按绝对最大系统计算的极限值(...
2019-04-19 15:33:00
81
转载 SMAJ15A特征说明
简介： SMAJ系列是专门为保护敏感的电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬态影响而设计的。 SMAJ15A说明： 用于表面安装应用，以优化板的空间 低调的包 内置的应变救济 玻璃钝化结 低电感 优秀的夹紧功能 400w峰值脉冲功率容量10/...
2019-04-17 14:33:00
1102
转载 OPA333AIDBVR应用说明
产品型号：OPA333AIDBVR 商品目录：精密运放 增益带宽积（GBP）：350kHz 放大器组数：1 输出类型：Rail-to-Rail 运放类型：Zero-Drift 压摆率（SR）：0.16V/us 工作温度：-40°C~125°C 电源电压：1....
2019-04-16 14:50:00
1120
转载 NC7WZ14P6X绝对最大额定参数
NC7WZ14是一个双逆变器与施密特触发器输入的仙童的超高速系列微型逻辑在节省空间的SC70 6引线封装。 该设备采用先进的CMOS技术制造，实现超高速、高输出驱动，同时在非常宽的VCC工作范围内保持低静态功耗。该设备被指定在1.65V到5.5V VCC范围内工作。当VCC为0V时，输...
2019-04-12 11:25:00
3736
转载 LM2903VQDR特性说明
简介：通用标准系列LM393/LM339/LM2903/LM2901单片机集成了两个/四个独立的比较器在一个芯片上，具有高增益、低功耗、工作电压范围从2[V]到36[V](单电源、的特点。 LM2903VQDR特性： 1、工作温度范围 商品级LM339/393系列:0[℃]...
2019-03-28 10:43:00
3444
转载 LF253DT输入运放介绍
简介： 这些电路是高速JFET输入双运算放大器，在一个单片集成电路中集成了匹配良好的高压JFET和双极晶体管。 该器件具有旋转速率高、输入偏置和偏置电流小、偏置电压温度系数小等特点。 产品型号：LF253DT 商品目录：FET输入运放 工作带宽：4MHz 内含放大...
2019-03-27 10:25:00
1015
空空如也
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