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RSS订阅原创 电力电子技术-半导体器件2
在半导体器件设计中，实现 PN 结需要承受千伏级反向电压和千安级正向电流。相比PN结型二极管，中间多一个轻掺杂的 N-区以提高反向耐压能力。因N-浓度低接 近本征半导体，也称其为PiN二极管。
2025-04-22 13:58:25
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原创 电力电子技术-半导体器件1
本征半导体是一种纯净且结构完整的单晶体半导体材料，如硅或锗，其导电性完全由材料本身的热激发或光激发产生电子 - 空穴对决定。这类半导体不含任何杂质原子将P型半导体和N型半导体相连N区自由电子浓度高向P区扩散，邻近PN结的N型中的自由电子与P型中的 空穴结合（扩散运动）中间一部分区域缺少自由电子和空穴。这一部分被称为耗尽区（或空间电 荷区space charge）
2025-04-18 16:04:14
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空空如也
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