电力电子技术-半导体器件1-CSDN博客

在绝对零度时，本征半导体的价带被电子填满，导带为空，无法导电。当温度升高或受光照时，价带中的电子获得足够能量跃迁至导带，形成自由电子，同时在价带中留下带正电的空穴。这两种载流子（电子和空穴）在外电场作用下分别向相反方向运动，共同参与导电。由于电子与空穴总是成对产生且浓度相等，这一特性被称为 “本征激发”，其动态平衡状态下的载流子浓度随温度呈指数增长。

“本征” 一词源于其导电机制完全依赖材料自身的内在特性，而非外部掺杂。这种纯净性使得本征半导体的电导率较低且对温度敏感，因此在工程应用中受限，主要用于理论研究或特殊场景（如高温传感器）。与之相对的杂质半导体通过掺杂特定元素显著增强导电性，成为现代电子器件的核心材料。

P掺杂

掺杂价电子为5的磷；有一个电子可在其中自由移动。

P型半导体有很多空穴，仅有少量的自由电子；

空穴为N区多数载流子(多子)，自由电子为少数载流子(少子)；

N掺杂

掺杂价电子为3的铝；有一个可放置电子的空穴；

相邻电子可随时填上，电子运动即空穴相对运动；

N型半导体有很多自由电子，仅有少量的空穴；自由电子为N区多数载流子(多子)，空穴为少数载流子(少子)；

PN结

定义

将P型半导体和N型半导体相连

N区自由电子浓度高向P区扩散，邻近PN结的N型中的自由电子与P型中的空穴结合（扩散运动）

中间一部分区域缺少自由电子和空穴。这一部分被称为耗尽区（或空间电荷区space charge）

势垒区

正负离子使得P-N结中形成了一个空间电荷区，也是静电场的势垒区。

势垒区内静电场的形成

N型材料本体呈电中性（自由电子和正供体离子'positive donor ions'数目相等）

P型材料本体呈电中性（空穴和负受体离子'negative acceptor ions'数目相等）

在 PN 结形成初期，N 型半导体中的自由电子（多数载流子）因浓度差向 P 区扩散，导致 N 区靠近交界处的区域失去电子，暴露出不可移动的掺杂施主正离子（例如磷原子核的正电荷）。这些正离子被固定在晶格结构中，无法自由移动。

N 区原本的多数自由电子已通过扩散迁移至 P 区，而剩余的正离子周围缺乏足够的自由电子进行中和。此时，空间电荷区内的正离子形成内建电场，方向由 N 区指向 P 区。

势垒区内静电场的动态平衡

内建电场会阻碍多数载流子的进一步扩散，同时促使少数载流子（如 N 区的空穴和 P 区的电子）发生漂移运动。当扩散电流与漂移电流达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和电荷分布趋于稳定，正负离子形成的电场持续存在，但宏观上无净电流流动。

正向偏置

当加入一个正向偏置的电场(P正N负)，即与势垒区方向相反的电场时，势垒区内的静电场被破坏（动态平衡被打破），电子可以自由移动形成电流。破坏内部静电场的外加电压随PN结的材料变化而不断改变，这个电压称为正向偏置电压(硅0.7V，锗0.3V)；

反向偏置

P区接电源负极，N区接电源正极，称为反向偏置(reverse biased)；

正极吸引N区的自由电子远离PN结，负极吸引P区的空穴远离PN结；

空间电荷区随着反偏电压增加而变宽；

N区自由电子和P型区空穴不能穿过厚的空间电荷区，电流不流过二极管。

反向饱和电流

反向饱和电流的形成

当 PN 结外加反向偏压时，空间电荷区（势垒区）的电场强度增强，阻碍多子的扩散运动，但会加速少子的漂移运动。此时，P 区中的少子（电子）在反向电场作用下向 N 区漂移，N 区中的少子（空穴）则向 P 区漂移。这两种漂移运动形成的电流方向一致，叠加后构成反向饱和电流。

需特别指出，反向饱和电流的 “饱和” 特性源于少子来源的有限性。尽管反向电场持续抽取少子，但材料内部的热激发和复合过程会不断补充少子，维持其浓度梯度，从而保证电流的稳定性。

反向饱和电流的特点：

微小且稳定：由于少子浓度极低，其数量由材料本征激发速率决定，与反向电压大小无关，仅受温度影响显著。

温度敏感性：温度升高会增强本征激发，导致少子浓度指数级增长，从而使反向饱和电流显著增大。

动态平衡：在反向偏压下，多子扩散被完全抑制，仅剩少子漂移贡献电流，而少子数量受热平衡限制，故电流达到饱和值。

Q&A

PN结中的少子从何而来？

PN 结中的少数载流子（少子）来源于半导体材料的热激发和杂质电离。在热平衡状态下，即使 P 型半导体中的多子是空穴、N 型半导体中的多子是电子，材料内部仍会因晶格热振动（本征激发）和掺杂原子的不完全电离产生少量自由电子（P 区的少子）和空穴（N 区的少子）。这些少子的浓度与温度密切相关，遵循载流子浓度分布规律。

雪崩击穿

定义

当 PN 结反向电压超过临界值时，空间电荷区电场强度显著增强（通常达到 10^5 V/cm 量级），高能载流子与晶格原子碰撞时，将共价键中的价电子击出，产生新的电子 - 空穴对。新生成的载流子继续被电场加速，引发次级碰撞电离，形成几何级数增长的载流子数量。

特点

这种链式反应导致反向电流急剧增大（可达微安级至安培级），超过器件承受极限时造成不可逆击穿。此过程具有正反馈特性，电流增幅呈现指数关系。

齐纳击穿（隧道击穿）

定义

在高掺杂浓度的PN结中，P区与N区的间距较窄；一定的反偏电压的场强足以直接将电子从耗尽层内的共价键拉出并产生电流；最终致使势垒区瓦解；该电压称为齐纳击穿电压，齐纳击穿也被称为隧道击穿。

特点

高掺杂浓度与窄势垒区
该效应仅发生于 P 区和 N 区均为高掺杂的 PN 结中。杂质浓度极高（约 10¹⁸/cm³ 量级）导致空间电荷区极窄（典型宽度 1-10nm），从而在反向偏压下形成超强电场（可达 10⁶ V/cm 量级），这是触发隧穿效应的必要条件。
量子隧穿主导机制
在强电场作用下，P 区价带顶的能级被提升至与 N 区导带底近似等高，此时价带电子无需跨越禁带宽度（约 1.12eV），而是通过量子隧穿效应直接穿透势垒进入 N 区导带，形成电子 - 空穴对。这种载流子倍增机制具有瞬时响应特性，无显著载流子加速过程。
击穿电压特征
典型击穿电压范围为 2-5.5V，与材料禁带宽度和掺杂浓度呈负相关。击穿电压的温度系数为负值（约 - 2mV/℃），即温度升高时击穿电压略微下降，这是隧穿概率随晶格振动增强而变化的直接结果。
可逆工作特性
在功率耗散允许范围内，击穿过程完全可逆 —— 反向电压降低后，载流子生成立即停止，器件恢复阻断状态。这种特性使其能够稳定应用于稳压电路，通过动态调节反向电流实现电压箝位。
陡峭的击穿曲线
伏安特性在击穿点呈现极陡峭的转折，击穿后电压波动范围小于 1%（典型值），这种高精度稳压特性源于隧穿效应对电场的强敏感性。电流变化范围可达三个数量级（μA 至 mA 量级）而维持电压基本恒定。