wafer晶圆几何形貌测量系统：厚度(THK)翘曲度(Warp)弯曲度(Bow)等数据测量

晶圆是半导体制造的核心基材，所有集成电路（IC）均构建于晶圆之上，其质量直接决定芯片性能、功耗和可靠性，是摩尔定律持续推进的物质基础。其中晶圆的厚度（THK）、翘曲度（Warp） 和弯曲度（Bow） 是直接影响工艺稳定性和芯片良率的关键参数：
1、厚度（THK） 是工艺兼容性的基础，需通过精密切割与研磨实现全局均匀性。
2、翘曲度（Warp） 反映晶圆整体应力分布，直接影响光刻和工艺稳定性，需通过退火优化和应力平衡技术控制。
3、弯曲度（Bow） 源于材料与工艺的对称性缺陷，对多层堆叠和封装尤为敏感，需在晶体生长和镀膜工艺中严格调控。
在先进制程中，三者共同决定了晶圆的几何完整性，是良率提升和成本控制的核心参数。通过晶圆几何形貌测量系统在线检测，可减少其对芯片性能的影响。

晶圆几何量测系统适用于裸晶圆、图案晶圆、键合晶圆、贴膜晶圆、超薄晶圆等复杂结构晶圆的量测应用。
（1）搭配中图全自主研发的EFEM系统，可以适配loadport、smifport、carrier等多种形式，实现全自动上下料，实现在单系统内完成晶圆厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型参数的高精度测量。
（2）系统覆盖衬底切磨抛，光刻/蚀刻后翘曲度检测，背面减薄厚度监测等关键工艺环节。

晶圆作为半导体工业的“地基”，其高纯度、单晶结构和大尺寸等特点，支撑了芯片的高性能与低成本制造。其战略价值不仅体现在技术壁垒和产业核心地位，更在于推动全球电子设备小型化、智能化及新兴领域（如AI、自动驾驶）的发展。晶圆技术的持续创新，是半导体行业进步的核心驱动力之一。