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SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。 很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是 S

ARM处理器模式用户模式(User):ARM处理器正常的程序执行状态快速中断模式(FIQ):用于高速数据传输或通道处理外部中断模式(IRQ):用于通用的中断处理管理模式(Supervisor):操作系统使用的保护模式数据访问终止模式(Abort):当数据或指令预取终止时进入该模式,可用于虚拟存储及存储保护系统模式(System):运行具有特权的操作系统任务未定义指令中止

这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的，没搞清楚这三个参数，后面的事就不用提了，那这三个参数到底是干什么的呢，我们怎么样去配置他们呢，今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示，一种是写命令或者地址的情况，一种是读写数据的情况：  由上图可知，这三个参数控制的是Nand Flash 信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的

以下内容摘自《步步惊芯——软核处理器内部设计分析》一书        页表一般都很大，并且存放在内存中，所以处理器引入MMU后，读取指令、数据需要访问两次内存：首先通过查询页表得到物理地址，然后访问该物理地址读取指令、数据。为了减少因为MMU导致的处理器性能下降，引入了TLB，TLB是Translation Lookaside Buffer的简称，可翻译为“地址转换后援缓冲器”，也可简称为

如今，已经是到了main的世界了。下面就要来体验ARM11的MMU，这个东西在STM32中是没有的。之前在核心初始化过程中，是将MMU功能给关闭的。那是因为那个时候，操作的都是物理地址，所以需要将MMU关闭。    MMU，内存管理单元。主要是有两个作用：1、  将虚拟地址转化为物理地址2、  内存的访问权限管理                  上面这个图就说明了MMU的作用

实验目的：启用MMU，映射SDRAM的地址空间，操作虚拟地址实现“点灯大法”，借此掌握MMU的使用。实验环境及说明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410核心板扩展有64MB的K4S561632 SDRAM(4M*16bit*4BANK)，地址范围是0x30000000~0x33FFFFFF。GPIO端口的地址范围是0x56000000~0X560000B0。实验思路：开发

ARM7是三级流水线，AMR7的三级流水线如下：执行指令地址=0     取指PC = 4解码执行指令地址=4    取指

1.为什么会出现坏块 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这 会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。2.坏块的分类 总体上，坏块可

根据“ARM-thumb 过程调用标准”：r0-r3    用作传入函数参数，传出函数返回值。在子程序调用之间，可以将 r0-r3 用于任何用途。            被调用函数在返回之前不必恢复 r0-r3。如果调用函数需要再次使用 r0-r3 的内容，则它必须保留这些内容。r4-r11 被用来存放函数的局部变量。如果被调用函数使用了这些寄存器，它在返回