神经科学探索脑第四章课后题

问题1：定义膜电位（Vm）和钠平衡电位（ENa）。如果有的话，在动作电位过程中会发生变化？

回答1:答：膜电位（Vm）是在任何时刻通过神经元膜的电压。静息膜的电位为-75mV。钠平衡电位（ENa）为 当细胞膜只能渗透到钠离子上时，就会达到稳定的平衡电位。ENa的值为62 mV。然而，在其静息状态下，膜不渗透到钠。在动作电位的应用过程中，钠通道打开，钠冲入细胞。大的钠电流将膜电位从其负的静息状态转向ENa。S 钠通道在1毫秒后失活，由于钾的流出，膜再极化，这使膜电位回到钾的平衡电位。

问题2：在动作电位过程中，哪些离子携带着早期向内和晚期向外的电流？

答：在动作电位的早期部分，钠离子通过膜的流入使膜短暂地去极化。短暂的向内钠电流是打开钠电流的结果 e电压门控钠通道只有1毫秒。膜复极化是钾流出的结果，钾流出是由于在延迟1毫秒后打开电压门控钾通道而产生的向外的钾电流。

问题3：为什么动作电位被称为“全有或全无”？

答：动作电位被称为“全或全无”，因为不存在部分动作电位存在。物理或电事件打开钠渗透通道，但由此产生的钠离子的流入 而由此产生的去极化，称为发电机电势，必须达到在轴突产生动作电位之前的临界水平。临界级别被称为阈值。在达到阈值去极化后，细胞触发一个动作电位。

问题4：一些电压门控的K+通道被称为延迟整流器，因为它们在动作电位时打开的时间。如果这些频道花了更长的时间，t会发生什么 是否正常打开？

答：膜去极化后1毫秒，电压门控钾通道打开。由此产生的钾电导整流或重置膜电位。这种电导率被称为 延迟整流器，因为整流膜电位延迟了1毫秒。如果这些通道打开的时间比正常时间长，动作电位就会更宽，这意味着它会 恢复静息膜电位。

问题5：想象一下你已经标记了河豚毒素（TTX），就可以用显微镜看到它。如果我们把TTX洗到一个神经元上，你期望细胞的哪些部分被标记出来？什么是 将TTX应用于神经元的结果吗？

答： TTX是一种干扰电压门控钠通道功能的天然毒素。TTX通过与通道外的特定部分紧密结合来阻断钠渗透孔 阻断所有钠依赖的动作电位。将TTX应用于一个神经元将阻断该神经中的所有脉冲，阻止它触发任何动作电位，而不管输入如何。标记的TX X可以在细胞轴突上看到，那里电压门控钠通道集中。

问题6：动作电位的传导速度如何随轴突直径而变化？为什么？

答：动作电位的速度取决于去极化在动作电位之前扩散的距离。这反过来又取决于轴突的物理特征。你的两条路 定向电荷可以在轴突内并穿过轴突膜。当轴突变窄，有许多开放的孔时，更多的电流穿过轴突膜并丢失。当轴突 电流很宽，有一些开放的孔隙，电流在轴突内流动。电流沿轴突向下流动越远，在动作电位越前面，膜就会去极化，速度就越快 呃，动作电位将会传播。因此，轴突的传导速度随着轴突直径的增加而增大。