Mini2440 SDRAM、NAND、MMU

1. SDRAM

   当加电默认从NAND启动时，先将4K代码复制到Steppingstone内RAM执行，在执行Steppingstone代码时，会将剩余的代码复制到SDRAM执行，但是使用SDRAM必须先对其有关SDRAM的寄存器进行初始化，以便能使用SDRAM

   主要包括寄存器： BWSCON、BANKCON0~7、REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6~7

   这些寄存器要根据相应的单板进行设置，如下为Mini2440默认设置

 0x22011110,     //BWSCON 
 0x00000700,     //BANKCON0
 0x00000700,     //BANKCON1
 0x00000700,     //BANKCON2
 0x00000700,     //BANKCON3  
 0x00000700,     //BANKCON4
 0x00000700,     //BANKCON5
 0x00018005,     //BANKCON6
 0x00018005,     //BANKCON7
 0x008C07A3,     //REFRESH
 0x000000B1,     //BANKSIZE
 0x00000030,     //MRSRB6
 0x00000030,     //MRSRB7

    0x22011110  ;       @ BWSCON     //对不同的128M块进行设置
    0x00000700  ;   @ BANKCON0  //块0的设置，以下类同
    。。。
    0x00018005     ; @ BANKCON6  //主要考虑内存的列地址的位数，下一个类同
    。。。
    0x008C07A3    ; @ REFRESH       //这个值要注意晶振频率导致的差异，Mini440初始晶振=12mhz
    0x000000B1     ; @ BANKSIZE    //内存块选取的设置
    0x00000030     ; @ MRSRB6       //对SDRAM时间参数进行设置

   对块初始化为例，如下

#define MEM_CTL_BASE 0x48000000

void memsetup(void)
{
	unsigned long const mem_cfg_val[] = {0x22011110,
										0x00000700,
										0x00000700,
										0x00000700,
										0x00000700,
										0x00000700,
										0x00000700,
										0x00018005,
										0x008c07a3,
										0x000000b1,
										0x00000030,
										0x00000030,
										};
	int i;
	volatile unsigned long* p = (volatile unsigned long*)MEM_CTL_BASE;
	for(i = 0; i<13; i++ )
	{
		p[i] = mem_cfg_val[i];
	}
}

这里将存储控制器所有的块以及特殊寄存器的设置都放到数组里，然后对他们一一初始化

2. MMU（内存管理单元)

     一般主要设置页表和内存的地址映射问题，先看一段启动的汇编代码

	AREA head,CODE,READONLY
	ENTRY
	CODE32
start
	ldr sp,=4096
	bl disable_watch_dog
	bl memsetup
	bl copy_2th_to_sdram
	bl create_page_table
	bl mmu_init
	ldr sp,=0xb4000000
	ldr pc,=0xb0004000
halt_loop
	b halt_loop
	END

这里可以看到主要有create_page_table 和mmu_init两部分进行MMU的设置，主要是地址的映射

下面看create_page_table虚拟地址的映射

void create_page_table(void)
{
	unsigned long virtaddr,physaddr;
	unsigned long *mmu_tlb_base = (unsigned long *)0x30000000;
	
#define MMU_FULL_ACESS  (3<<10)
#define MMU_DOMAIN      (0<<5)
#define MMU_SPECIAL     (1<<4)
#define MMU_CACHEABLE   (1<<3)
#define MMU_BUFFERABLE  (1<<2)
#define MMU_SECTION     (2<<0)
#define MMU_SECDESC     (MMU_FULL_ACESS | MMU_DOMAIN | MMU_SPECIAL | MMU_SECTION)
#define MMU_SECTION_WB  (MMU_SECDESC | MMU_CACHEABLE | MMU_BUFFERABLE)

	virtaddr = 0;
	physaddr = 0;
  //这个应该为mmu_tlb_base&fff00000
	*(mmu_tlb_base + (virtaddr>>20)) = (physaddr&0xfff00000)|MMU_SECTION_WB;


	virtaddr = 0xa0000000;
	physaddr = 0x56000000;
	*(mmu_tlb_base + (virtaddr>>20)) = (physaddr&0xfff00000)|MMU_SECTION;


	virtaddr = 0xb0000000;
	physaddr = 0x30000000;
	while(virtaddr < 0xb4000000)
	{
		*(mmu_tlb_base + (virtaddr>>20)) = (physaddr&0xfff00000)|MMU_SECTION_WB;
		physaddr += 0x100000;
		virtaddr += 0x100000;
	}
}

这个主要是虚拟地址的映射

virtaddr = 0xb0000000;     //虚拟地址，即连接后的地址
 physaddr = 0x30000000; //物理地址，实际程序在内存的运行地址
 while(virtaddr < 0xb4000000)
 {
  *(mmu_tlb_base + (virtaddr>>20)) = (physaddr&0xfff00000)|MMU_SECTION_WB;
  physaddr += 0x100000;
  virtaddr += 0x100000;
 }

这里是一级页表也就是采用段的方式，将页表的内存放到虚拟地址去，怎么放呢？

首先怎么得到页表？(physaddr&0xfff00000)段基址  MMU_SECTION_WB设置段的访问权限

那么如何放到虚拟地址呢？首先他一般是需要TLB寄存器的值和MVA的值组成，MVA即是virtaddr，TLB即是mmu_tlb_base，各位怎么放置请看手册

对于为何physaddr、virtaddr都是加0x100000？ 这里段默认是只能访问1M的空间，而0x100000正好是1M

对于如何实现MMU呢？

void mmu_init(void)
{
	__asm{
	mov r0,#0
	mcr p15,0,r0,c7,c7,0  //使无效Icache和Dcache
	
	mcr p15,0,r0,c7,c10,0 
	mcr p15,0,r0,c8,c7,0  //使无效指令，数据TLB
	
	mov r4,#0
	mcr p15,0,r4,c2,c0,0 //设置页表寄存器
	
	mov r0,#0
	mcr p15,0,r0,c3,c0,0 //域访问控制寄存器，不进行权限检查
	
	
	mrc p15,0,r0,c1,c0,0 //读取控制寄存器
	
	bic r0,r0,#0x3000    //清除V、I位
	bic r0,r0,#0x300     //清除R、S位
	bic r0,r0,#0x0087    //清除B、C、A、M位
	
	orr r0,r0,#0x0002    //对齐检查
	orr r0,r0,#0x0004    //开启Dcache
	orr r0,r0,#0x1000    //开启Icache
	orr r0,r0,#0x0001    //使能MMU
	
	mcr p15,0,r0,c1,c0,0 //写入寄存器
	}
}	

请看右侧的注释    

3.NAND设置

    请先看如下设置图示