TLC存储器取得储存市场成长动能

三级单元(triple-level cell;TLC)快闪记忆体在进入客户端市场两年后，预计将进一步在资料中心获得动能。但长期来看，由于 3D NAND 逐渐取代，传统的 NAND 记忆体成长开始趋缓。
　　截至目前为止，TLC主要用于 USB 驱动器、快闪记忆卡、低成本智慧型手机与客户端固态固碟(SSD);不过，市调公司Forward Insights首席分析师Gregory Wong指出，市场上目前已经看到 iPhone 6 开始采用了，预计它将在2015-2016年进一步渗透到高阶智慧型手机与企业资料中心 SSD 应用中。
　　另一家市调公司Gartner 也发表类似的预测看法。Gartner半导体研究副总裁Joe Unsworth表示今年已经有一些特定客户选择在资料中心采用 TLC 了。该研究公司预计，在未来的一年， TLC 和 3D 将成为 NAND 技术进展关注重点，特别是三星电子(Samsung)已在2014年为 3D NAND 实现商用化，但预计业界采用的脚步仍缓慢，大约要到2016年以后所有厂商都实现商业化后才可能普及应用。在那之前，该产业仍将会是一个多级单元 (MLC)和 TLC 并存的世界，他说。
　　


 
　　NAND技术革命：TLC和3D NAND将成为关注重点
　　(来源：Gartner，2014/12)
　　Gregory Wong预计，在2016年以前， MLC 将继续应用在智慧型手机、平板电脑和 SSD ，以及可能用于一些越来越普及的 Android 智慧型手机中;而单级单元(SLC)则持续用于机上盒(STB)、数位相机、印表机与行动装置等消费应用中。然而，Gregory Wong指出，由于越来越多的行动装置与相机改采用 MLC ， SLC 采用量正逐渐减少，主要的成长力道来自工业与汽车应用。
　　推动 TLC 成长以及在资料中心应用找到立足点的原因之一在于更智慧化的控制器，它克服了对于耐用性的顾虑。整体而言，Gartner认为，快闪记忆体管理韧体与先进控制器将成为 NAND 市场的差异化因素。热门元器件： 74LS244
　　Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示， TLC 以往多半用于低阶写入应用，如快闪记忆卡、 USB 快闪驱动器与 MP3 播放器等，一直到2013年才成功地应用于三星与SanDisk提供的客户端 SSD中。“使 MLC 得以取代 SLC 的相同基础架构技巧，也适用于让 TLC 取代 MLC ，”Jim Handy表示。然而，　MLC 的成本约为 SLC 的50%，改用 MLC 能够带来更大的成本优势;相形之下， TLC 的定价约为 MLC 的80%，因而无法为 TLC 取代 MLC 带来什么推动力量。
　　Jim Handy预期， SLC 并不至于完全消失，但逐渐地，当市场上只有几家供应商(如Spansion与旺宏Macronix)就足以满足市场需求时， SLC 的出货量将会逐渐萎缩，成本也会日趋增加。
　　Jim Handy认同Gartner的看法——控制器成为一项重要的差异化关键。控制器变得更智慧、更复杂，尽管得花更多的成本，但却降低了 TLC 进入新领域的成本。不过，控制器也有其局限性，他说，当达到极限时，就必须增加快闪记忆体与内建冗余。
　　Jim Handy强调， TLC 将不会完全取代 MLC 。 “MLC 的应用基本上已经是无处不在了，这样的情况还将延续到接下来的两年，或甚至更长的时间。”然而， 3D NAND 更适于采用 TLC ，因而可能比平面 NAND 使用更多的 TLC 。
　　不过，他同样认为， 3D NAND 至少要到2016年以后才能加速成长;最终，TLC 和 3D NAND 将竞相成为 NAND 快闪记忆体的最低成本选择。

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