闪存测试带你“看透”长江存储 TLC!

固态硬盘测试属于成品测试,而行业人士都知道,固态硬盘的最主要组成部分就是闪存颗粒,也就是说闪存颗粒的质量与性能很大程度上决定着固态硬盘的质量。

 

因此从颗粒本身出发了解其质量与性能,从而规避和减少原材料的损失和浪费是很有必要的,这就需要进行“闪存测试”。

 

而论“长江存储64层TLC 3D NAND 原厂颗粒”质量和性能究竟如何,恐怕还是需要拥有对颗粒进行专业检测技术和设备的企业来验证。

 

忆数存储此次就采用自我研发的专业闪存测试设备FT-1008长江存储64层TLC 3D NAND 原厂颗粒进行了全面系统地检测并得出了数据报告。

 

具体内容如下▼

 

 

 

 

 

  • 测试对象:长江存储TLC
  • 型号:YMN08TB1B1HU1B
  • 大小:128GB/颗
  • 测试数量:4pcs

 

注:闪存测试是 SSD 生产前的 FLASH 数字化精准检测,实现了对 FLASH 质量、等级、寿命的把控,以确保成品质量的一致性及可靠性。客户可通过本报告,对我司 SSD 的 FLASH 质量进行全面了解。同时,可参考本报告对 SSD 成品应用环境实施评估,充分发挥其使用价值。

 

 

 

01闪存信息

 

 

  • 品牌:长江存储
  • 类型:TLC
  • 块数:2012
  • 块大小:1152
  • 页大小:18432
  • 备注:宽温测试

 

 

02测试项目

① 测试平台

 

②测试项目汇总

 

 

03测试结果

4 颗闪存测试结果一致性很强,选取一颗作为范例分析。

①PE

(图1)

 

说明:该芯片常温错误数在各页面分布差异较大,个别页面偏高但整体错误率较低;在高温及低温环境下新增 7 坏块,不适用于宽温温度环境(坏块未计入错误率,所以高温新增坏块后错误率反而降低,属正常现象)。

②寿命实测

(图2 错误数)

说明:该芯片寿命常温实测中错误数增长缓慢,趋势较平稳,接近 MLC。

(图3)

说明:错误数增长远低于普通 TLC 芯片,表现优秀。ECC 设置 400 为寿命终结条件时,芯片寿命常温为 23399;ECC 设置 800 为寿命终结条件时,常温寿命为 27300,达到了普通 MLC的标准。宽温环境下错误数变化异常,且有新增坏块产生,不适应宽温环境,图形仅供参考。

*编程

(图4)

说明:寿命周期内,常温编程时间相对衰减较平稳,符合芯片特性。当达到寿命终结条件时,编程时间衰减明显加大。高低温编程时间从开始即衰减严重,仅供参考。

*擦除

(图5)

说明:寿命周期内,符合芯片特性,表现正常。宽温异常,不适应宽温环境。

③与同类型闪存对比

*1 次 P/E

(图6)

 

说明:长存芯片的最大页面错误数较高,但整体错误率及坏块低于 B17。

*寿命实测 P/E

(图7)

说明:寿命周期内,长存的错误增长相对平稳很多,寿命 23399 远超 B17(3200),表现稳定。

*编程、擦除对比

(图8)

说明:在 B17 生命周期 P/E 内对比可见,长存的编程、擦除时间变化比 B17 平稳很多。

 

04测试结论

①测试值

 

注:↑表示偏高;↓表示偏低;•表示适中;×表示不适用;★表示星级(满分 5★)

 

②应用建议

 

注:红色“●”表示不适用;橙色“●”表示适用;绿色“●”表示优秀

 

*该芯片寿命长、表现稳定,常温成品应用可保证长效稳定。

 

—— 总结 ——

 

长存的 TLC 在常温下几乎达到了 MLC 的所有标准,甚至超出部分 MLC,尤其是在寿命方面超出部分 3D MLC,特别是读写错误率也非常低,远超其它TLC,完全能够当 MLC 去承担大量写的应用要求,目前拿到的样品还不能满足高低温下的使用要求,当然市面上大部分 TLC 都无法满足高低温应用要求,所以长存的这颗 TLC 已经非常优秀了,不仅实现了国产化,还实现了弯道超车。期待容量更大更好的产品出来,后续我们还会继续做实际的应用测试。

 

申明:本次测试是采用武汉忆数存储自主研发的测试设备,具体技术指标请参考原厂技术资料,本次所有测试数据仅供参考!

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当然,以下是一个基本的 Arduino 测试例程,用于使用 TLC5615C 数字-模拟转换芯片输出模拟电压。在使用之前,请确保你已经正确连接了 Arduino 和 TLC5615C。 ```cpp // 定义 TLC5615C 连接的引脚 #define SCK_PIN 13 // 时钟引脚 #define SDI_PIN 11 // 数据引脚 #define CS_PIN 10 // 片选引脚 void setup() { // 设置引脚模式 pinMode(SCK_PIN, OUTPUT); pinMode(SDI_PIN, OUTPUT); pinMode(CS_PIN, OUTPUT); // 初始化串行通信 digitalWrite(CS_PIN, HIGH); // 禁用芯片 digitalWrite(SCK_PIN, LOW); digitalWrite(SDI_PIN, LOW); // 发送初始化命令 sendCommand(0x0000); // 初始化为最低输出电压(0V) } void loop() { // 发送一个测试模拟值 sendValue(2048); // 发送一个中间值(约为VREF/2) delay(1000); // 延迟1秒 } // 发送命令函数 void sendCommand(unsigned int command) { digitalWrite(CS_PIN, LOW); // 使能芯片 // 发送命令位(BIT15 = 0) shiftOut(SDI_PIN, SCK_PIN, MSBFIRST, (command >> 7) & 0x7F); digitalWrite(CS_PIN, HIGH); // 禁用芯片 } // 发送数值函数 void sendValue(unsigned int value) { digitalWrite(CS_PIN, LOW); // 使能芯片 // 发送数值位(BIT15 = 1) shiftOut(SDI_PIN, SCK_PIN, MSBFIRST, ((value >> 7) & 0x7F) | 0x80); digitalWrite(CS_PIN, HIGH); // 禁用芯片 } ``` 这个例程简单地初始化了连接的引脚,并在 `loop()` 函数中以1秒的间隔发送一个测试模拟值。你可以根据需要修改 `sendValue()` 函数来发送不同的模拟值。 请注意,这只是一个基本的例程,你可能还需要根据你的具体需求进行适当的修改和扩展。同时,确保你已经正确连接了电路,并且参考 TLC5615C 的数据手册以了解更多详细信息。
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