19、CMOS电路与互连的特性分析及应用

CMOS电路与互连的特性分析及应用

1. CMOS电路特性概述

CMOS（互补金属氧化物半导体）数字电路由互补的p - MOS和n - MOS晶体管对构成，具有近乎理想的电压传输特性、极小的直流功耗、高集成密度和高速度等优点。

1.1 电压传输特性

CMOS反相器的电压传输特性可通过使n - MOS和p - MOS器件的漏极电流相等来计算，基于这两个器件的工作模式，可分为五个区域。

1.2 传播延迟

对于具有突变输入电压和集总负载电容的CMOS反相器，低到高的传播延迟（$t_{PLH}$）与负载电容成正比，与p - MOS器件的跨导参数成反比；高到低的传播延迟（$t_{PHL}$）与负载电容成正比，与n - MOS器件的跨导参数成反比。公式如下：
- $t_{PLH} \propto \frac{C_{L}}{g_{mp}}$
- $t_{PHL} \propto \frac{C_{L}}{g_{mn}}$

其中，$C_{L}$为负载电容，$g_{mp}$和$g_{mn}$分别为p - MOS和n - MOS器件的跨导参数。

1.3 功耗

功耗通常由电容开关功耗主导，与负载电容和电源电压的平方成正比，公式为：
$P_{switching} = C_{L}V_{DD}^{2}f$

其中，$V_{DD}$为电源电压，$f$为开关频率。

1.4 短沟道CMOS情况

当采用短沟道MOS晶体管（$L < 0.5\mu m$，典型电源电压）实现CMOS时，需要考虑载流子速度饱和。此时