基于3D-NAND闪存的新型超高密度和低功耗CAM设计

An ultra-high-density and energy-efficient content addressable memory design based on 3D-NAND flash
内容寻址存储器CAM，特点：高并行、快速搜索；
为解决现有传统的基于CMOS的CAM设计存在电路面积和待机功耗过大的问题，北大研究团队（杨昊璋、黄鹏、康晋锋）提出新方案：一种基于3D-NAND闪存的新型超高密度和低功耗CAM设计，用于数据密集型计算。
创新点：
1.CAM设计采用两个再WL相邻的NAND晶体管来构成CAM单元，其上存储的数据由两个晶体管的阈值电压共同决定。当采用16层3D-NAND阵列时，搜索能耗（0.196fJ/bit/search）显著低于传统基于SRAM的RCAM（32nm节点下为0.58fJ/bit/search），此外得益于三维堆叠的优势，其单元密度是传统TCAM的157倍。
2.还提出一直基于3D-NAND闪存的多比特CAM设计，即在一个CAM单元中存储多个逻辑状态，可以进一步提升单元密度，并扩展功能应用。仿真结果显示在最难区分的情况（fully match和1-bit mismatch）下仍存在较大的读出窗口（>0.6V），进而验证了方案的可行性。最后通过分析3D-NAND叠层数和寄生效应对CAM性能的影响，为工艺和材料的改进提供了指导准则。

来源：https://mp.weixin.qq.com/s/u_3Y1lPx5pH6XywGNH3YMg