Nand Flash数据存储规则与数据读写方法一二三

最新推荐文章于 2013-08-11 01:45:01 发布

csu_yang

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分类专栏： wince 驱动开发文章标签： flash 存储 byte cmd command 三星

本文链接：https://blog.csdn.net/csu_yang/article/details/5912646

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本文详细介绍了NAND Flash的数据存储结构，包括页、块的组织方式，以及数据读写和擦除的操作。文章指出，NAND Flash以页为单位进行读写，以块为单位进行擦除，地址由Block Address、Page Address和Column Address组成。读取数据时，需要通过特定的命令和地址传递步骤。此外，文章还探讨了Halfpage的概念，以及不同容量NAND Flash的寻址差异。

摘要由CSDN通过智能技术生成

转载自http://www.8xif.com/doc/nand-flash-data-storage-and-data-read-and-write-the-rules-of-method-c.html

Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(一)

       谈到Nand Flash的数据存储方式，关于NAND Flash的数据读写方法方面的文章不多，这篇文章详细讲述了Nand Flash数据存储方式和数据读写方法，并用具体的芯片为例作了详细的解释。
       Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(一)
       Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(二)
       Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(三)

NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell ，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，( Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block ， Sizeof(block)=16kByte 。1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=4096 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
N and flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据 。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：

--Block Address

-- Page Address

--Column Address 。

对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。

512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mb 的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 为例：
第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个h