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功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch- mode powersupplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较 大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系 统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一 谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流。
I = C(dv/dt)
实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算。
QG是MOSFET栅极电容的一部分&#