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RSS订阅原创 LLC为什么不能工作在容性区
谐振电流 iL 超前谐振网络电压 Vin，在上图t2~ t3 时刻，MOS2、MOS3开通之前（死区时间内），iL 已经反向了，这时候iL只能流过MOS1、MOS4的BodyDiode;但是在t3时刻，MOS2、MOS3导通，直流输入电压直接加在MOS1、MOS4的BodyDiode两端，BodyDiode开始反向恢复过程。普通Si的体二极管反向恢复性能特别差，反向恢复时间过长，导致失效。如果换用反向恢复良好的mos，在容性区也可以工作。跟MOS的体二极管的反向恢复特性有很大关系。
2023-10-11 21:51:53
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原创 开关电源并联均流---输出阻抗法均流
两机参数全部一致，假定空载输出电压完全一致，分别得到两机的输出特性曲线。PSU1得到负载I1，PSU2得到负载I2，此时均流度很差。所以说需要调节PSU1的特性曲线，即降低PSU1的空载输出电压，让两台机近似均流。Fig1为两机并联均流模型。PSU1,PSU2并机, R1,R2为电源的输出阻抗(加上治具阻抗)，R为负载，Vo为负载两端电压。），PSU1的特性曲线向下调节，PSU2的特性曲线向上调节，最终可以实现近似均流。根据自身的负载，来控制你的输出电压，最终达到均流。Fig1：两机并联均流模型。
2023-08-09 22:03:29
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原创 示波器的阻抗1M欧和50欧、探头
示波器输入阻抗选1MΩ还是50Ω的详细解析 - Ecr_hool - 博客园熟悉示波器的朋友可能都会有过这样的困惑：输入...https://www.cnblogs.com/12xiaole/p/11743111.html
2022-05-30 15:42:32
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原创 【PIN二极管，肖特基二极管,内部结构说明][MOSFET，IGBT、内部结构_开通关断过程及损耗_驱动功率计算】
一、两类典型的 金属-半导体结https://wenku.baidu.com/view/a8703f75bb68a98270fefa09.htmlhttps://wenku.baidu.com/view/a8703f75bb68a98270fefa09.html（1）肖特基结（SBD）：此时半导体参杂浓度较低，具有单相导电性能，与PN结类似；（2）欧姆接触：当半导体参杂浓度很高时，无论是加正向电压还是反向电压，电流随电压快速增加，理想时呈线性关系，且电阻很小。半导体与金属接触时，多会形成势垒层，
2022-05-30 15:08:21
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转载 高边低边电流检测
高边和低边电流检测技术分析 - 电源新闻 - 电子发烧友网高边和低边电流检测技术分析-高边和低边电流检测技术分析当代电子系统中的电源管理可以通过高效的电源分配优化系统效率。电流检测是电源管理的关键技术之一，它不仅有助于保持理想的电压http://www.elecfans.com/news/power/20100104156597.html...
2022-04-05 16:43:12
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原创 FB_LLC 死区时间计算（保证ZVS）
这是FB_LLC，HB_LLC只是少了两个Ceq，道理一样。下面就以FB_LLC说明。首先必须要满足感性条件，其次再计算死区时间是否满足ZVS。LLC需要足够的死区时间，在死区时间内，谐振电感Lr中存储的能量必须大于存储在MOS的Ceq中的能量，只有这样才能将Ceq中的能量释放完毕，完成ZVS。实现ZVS，可以推出两个必要条件，如下所示：根据文章后面的拓扑和波形分析。以前半个周期为例，推导式（1）和式（2）。式（1）很好推导，在图2-5d中，死区时间的电流为C2、C3放电，同时为C1
2022-02-19 14:13:58
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原创 【光耦 Normalized...和 CTR 测试条件及测试曲线 解读 : PC817和LTV-1007-TP1-G】
一：PC817CTR:min 受环境温度影响，在125°左右可以降到最低值，即50%。从下图Fig7中可以看到。Relative是指相对于Ta=25°c，IF=5mA，VCE=5V。
2022-01-08 17:03:08
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原创 IGBT/ MOSFET并联吸收电容:二阶电路零输入响应
https://www.sekorm.com/news/77072102.html并联的吸收电容一般都是uf级别，而IGBT/ MOSFET的寄生电容是pf级，数量级增大，根据链接中得出的结论，吸收电容有效抑制尖峰电压。连接中的零输入响应公式亲自推算过，公式准确。...
2021-12-13 23:31:13
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原创 结合LLC（LLC以固有频率震荡）分析RLC电路
结合LLC（LLC以固有频率震荡）分析RLC电路的零状态响应结论公式是对的，已经再mathcad中验证。波形频率和固有频率相差无几。单纯的LC电路（电路中没有电阻），特征方程的解中没有衰减项，电容电压和电感电压会一直震荡下去。但是现实中的电容和电阻总会有等效电阻，所以是震荡衰减。...
2021-12-13 21:09:35
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转载 很完整的LLC-half bridge原理讲解
转至https://www.eetree.cn/doc/detail/1557ZVS和ZCS详解，半桥LLC在 fr1<fs<fr2 、fs>f2 范围内的各种模态分析
2020-07-12 16:39:18
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原创 STM32H750的最小系统设计资料整理（隔一段时间总是忘，还得查手册，所以将手册中用到的环节整理一下）
数据手册《RM0433 Reference Manual》一：BOOT引导方式第2章存储与总线架构仔细看，2.6小节讲的是boot引导。上述图片中有好几种RAM: TCM RAM，SRAM...其中TCM RAM是CPU内核RAM，速度快，详情见链接：https://www.cnblogs.com/armfly/p/11014230.html...
2020-05-23 15:05:04
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原创 XILINX FPGA和CPLD引脚约束步骤
XILINX FPGA和CPLD管教约束1、XILINX CPLD引脚配置打开ISE，这个工程所用的芯片是Coolrunner II CPLD系列的XC2C32A，找到floorplan IO-Pre-Synthesis双击打开之后出现下图，显示了引脚的各种约束状态，这些引脚约束当然是与你的编程代码是一致的：例如：你的Verilog代码中的时钟信号，肯定是输入信号，所以时钟引脚肯定得配...
2020-02-10 19:19:25
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PIN二极管特性详解(开通关断)
2022-12-14
PFC初步学习设计mathcad&matlab.zip
2020-05-12
空空如也
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