STM32片外内存的使用

最新推荐文章于 2024-09-04 19:12:57 发布

关中娃

最新推荐文章于 2024-09-04 19:12:57 发布

阅读量7.4k

点赞数 1

分类专栏： STM32

本文链接：https://blog.csdn.net/cuishumao/article/details/22818709

版权

STM32 专栏收录该内容

2 篇文章 0 订阅

订阅专栏

1、STM32分为片上内存和片外内存。
（1）片上内存
用于任务栈，变量等。
（2）片外内存
一般编程人员会自己写内存管理方便的函数。例如通过总线挂载一个16M的内存，地址0x68000000。用户可以管理一个指针，通过移动指针来管理这块内存。
包括分配和释放。

typedef struct 
{
	WORD wFlag;
	WORD wLen;
}TReserveSramInfo;
//静态RAM操作
typedef struct 
{
	int totalLen;
	int startPos;
	int curLen;
}STATICRAMINFO;
STATICRAMINFO gSRAMInfo;
void InitSRAM(void)
{
	TReserveSramInfo * pReserve;


	gSRAMInfo.totalLen = SRAM_SIZE-10*1024;/*最后面留了10k字节做特殊用途*/
	gSRAMInfo.startPos = SRAM_START_ADDR;
	gSRAMInfo.curLen = 0;


	pReserve = (TReserveSramInfo *)(gSRAMInfo.startPos+gSRAMInfo.totalLen+1024*10);
	pReserve->wFlag = RESERVESRAMFLAG10;
	pReserve->wLen = 1020;
}
void * SRAMMalloc(int len)
{
			if( gSRAMInfo.totalLen == 0 )
			{
				void * p;
				p = malloc(len);
				if( p )
					memset(p, 0, len);
				else
					p = 0;
				return p;
			}
			else
			{
				DWORD pos;
			
				if( (len+gSRAMInfo.curLen) > gSRAMInfo.totalLen )
					return 0;
			
				pos = gSRAMInfo.startPos + gSRAMInfo.curLen;
				gSRAMInfo.curLen += len;
				if( gSRAMInfo.curLen & 0x03 )
				{
					gSRAMInfo.curLen >>= 2;
					gSRAMInfo.curLen <<= 2;
					gSRAMInfo.curLen += 4;
				}


				return (void *)pos;
			}


}

2、Flash
这一部分通常用于存储设备的一些启动参数和历史信息。因为其运行速度远没有SDRam那么快，所以只用于保存使用。而后者常用语程序运行起来的缓存。
因为这个原因，Flash的价格就比SDRam低很多。
下面是一个简单的Flash的操作，包括对这段地址的读写操作。其实和SDRAM操作原理上相同，唯一不同的是两者的速度问题。
这是本人的理解。

/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "includes.h"


/* Private define ------------------------------------------------------------*/
#define NOR_FLASH_START_ADDR       ((uint32_t)0x64000000)
/*16M*/
#define NOR_FLASH_END_ADDR         ((uint32_t)0x64FFFFFF)


/* Delay definition */   
#define BlockErase_Timeout         ((uint32_t)0x00A00000)
#define ChipErase_Timeout          ((uint32_t)0x30000000) 
#define Program_Timeout            ((uint32_t)0x00001400)


#define ADDR_SHIFT(A)              (NOR_FLASH_START_ADDR + (2 * (A)))
#define NOR_WRITE(Address, Data)   (*(vu16 *)(Address) = (Data))


#define BUFFER_SIZE                0x400
#define WRITE_READ_ADDR            0x8000
/*128k*/
#define FLASH_SECTOR_SIZE	0x20000   


//参数区1M分配如下：
//参数0 系统通讯报警参数等
//参数1传感器参数等
//参数2设备校准参数
//参数3原始波谱参数
//参数4插值参数暂时用4个扇区
//128k*10
#define PARA0_ADDRESS		0
#define PARA1_ADDRESS		(PARA0_ADDRESS+FLASH_SECTOR_SIZE)
#define PARA2_ADDRESS		(PARA1_ADDRESS+FLASH_SECTOR_SIZE)
#define PARA3_ADDRESS		(PARA2_ADDRESS+FLASH_SECTOR_SIZE)
#define PARA4_ADDRESS		(PARA3_ADDRESS+FLASH_SECTOR_SIZE)




//剩余全用于存历史数据
#define HIS_DATA_ADDRESS	0x100000
#define SOE_SIZE	0x20000
#define SOE_ADDRESS	HIS_DATA_ADDRESS
#define SOE_ADDRESS2	SOE_ADDRESS+SOE_SIZE
#define TIMEYC_ADDRESS	SOE_ADDRESS2+SOE_SIZE
//#define TIMEYC_SIZE	FLASH_SECTOR_SIZE*TYC_POINT_MAX_NUM


/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
typedef struct
{
  uint16_t Manufacturer_Code;
  uint16_t Device_Code1;
  uint16_t Device_Code2;
  uint16_t Device_Code3;
}
NOR_IDTypeDef;


/* NOR Status */
typedef enum
{
  NOR_SUCCESS = 0,
  NOR_ONGOING,
  NOR_ERROR,
  NOR_TIMEOUT
}
NOR_Status;


/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
void FSMC_NOR_Test(void);
void FSMC_NOR_ReadID(NOR_IDTypeDef* NOR_ID);
NOR_Status FSMC_NOR_WriteHalfWord(uint32_t WriteAddr, uint16_t Data);
NOR_Status FSMC_NOR_WriteBuffer(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint32_t NumHalfwordToWrite);
NOR_Status FSMC_NOR_ProgramBuffer(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint32_t NumHalfwordToWrite);
u16 FSMC_NOR_ReadHalfWord(uint32_t ReadAddr);
void FSMC_NOR_ReadBuffer(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint32_t NumHalfwordToRead);
NOR_Status FSMC_NOR_ReturnToReadMode(void);
NOR_Status FSMC_NOR_Reset(void);
NOR_Status FSMC_NOR_GetStatus(uint32_t Timeout);


#ifdef __cplusplus
extern "C"
{
#endif
void FSMC_NOR_Init(void);
NOR_Status FSMC_NOR_EraseBlock(uint32_t BlockAddr);
NOR_Status FSMC_NOR_EraseChip(void);
void ReadParaData(WORD ParaSectionNo, void *pBuf,DWORD num);
void WriteParaData(WORD ParaSectionNo, void *pBuf,DWORD num);
#ifdef __cplusplus
}
#endif
#endif /* __FSMC_NOR_H */

下面是一个项目中的相关代码，可以作为参考：

一、 Flash区域说明：
1、起始地址（NOR_FLASH_START_ADDR）：0x64000000
2、结束地址（NOR_FLASH_END_ADDR）：0x64FFFFFF

3、参数区0（PARA0_ADDRESS）：0x64000000——0x64020000
空间大小：0x20000，用于存储系统参数；

4、参数区1（PARA1_ADDRESS）：0x64020000——0x64040000
空间大小：0x20000，用于存储板卡门限信息；

5、参数区2（PARA2_ADDRESS）：0x64040000——0x64060000
空间大小：0x20000，暂时未用；

6、参数区3（PARA3_ADDRESS）：0x64060000——0x64080000
空间大小：0x20000，暂时未用；

7、参数区4（PARA4_ADDRESS）：0x64080000——0x640A0000
空间大小：0x20000，暂时未用；

二、存储系统参数说明：
1、 TFlashPara0 * gpFlashPara0：

typedef struct
{
	TSysPara sys;
	TFBGPara fbg;


	TFBGLoca remarks[64*30];
}TFlashPara0;


typedef struct 
{
	WORD wVersion;
	WORD wRsv0[5];
	WORD wfsr;
	WORD wFlag;
	WORD wOrder[6];		// 通道顺序
DWORD dwIPAddress;
	DWORD dwGWAddress;
	TSerialInfo tSerialInfo[2];
	WORD wOnoff;
	WORD wNeedDownFBGPara;
	WORD wNeedDownDevicePara;
}TSysPara;


typedef struct 
{
	WORD wChannelNum;
	WORD fbgNum[CHANNEL_MAXNUM];
}TFBGPara;
#define	CHANNEL_MAXNUM		64


typedef struct 
{
	WORD wAddr;
	WORD wProtocol;
	WORD wBaud;		//1200 2400 4800 9600 14400 19200 38400 57600 115200 
	WORD wRsv;
}TSerialInfo;


typedef struct 
{
	WORD noteinfo[20];
}TFBGLoca;

2、 TFBG_SensorPara * gpFlashPara1：
typedef struct
{
int type; //类型
int ctrlflag; //插值点数/时标遥测标志/插值计算标志
int warnPara[3]; //上限下限突变
int para[10];
int jznum;
}TFBG_SensorPara;

3、 TFBG_DevicePara * gpFlashPara2：
typedef struct
{
int wave;
int correction;
}TFBG_DevicePara;

4、 BYTE *gpFlashPara3：
typedef unsigned char BYTE;

5、 BYTE * gpFlashPara4=NULL：
typedef unsigned char BYTE;

6、 TFBG_TimeYCInfo * gpESRAMTimeYcInfo：
typedef struct
{
WORD wflag;
WORD wCurSectorPos[TYC_POINT_MAX_NUM];
}TFBG_TimeYCInfo;

7、 TFBG_TIMEYCInfo2 * gpTimeYcInfo：
typedef struct
{
WORD wCurTimeYcNum;
short Secno[CHANNEL_MAXNUM*FBG_MAXNUM];
WORD w5MinFlag[TYC_POINT_MAX_NUM];
}TFBG_TIMEYCInfo2;

8、
三、存储变量空间说明：
1、 gpFlashPara0空间说明【sizeof(TFlashPara0)】：
TSysPara空间： 0x64000000——0x64000030 – 1
TFBGPara空间： 0x64000030——0x640000B4 – 1
TFBGLoca空间：0x640000B4——0x64012CB4 – 1
//空闲空间： 0x64012CB4——0x64020000 – 1
2、 gpFlashPara1空间说明【sizeof(TFBG_SensorPara)*64*30】：
TFBG_SensorPara空间： 0x64020000——0x6403E000 – 1
空闲空间： 0x6403E000——0x64040000 – 1
3、 gpFlashPara2空间说明【sizeof(TFBG_DevicePara)*64*120】：
TFBG_DevicePara空间： 0x64040000——0x6404F000 – 1
空闲空间： 0x6404F000——0x64060000 – 1
4、 gpFlashPara3空间说明【(BYTE *)SRAMMalloc(776)】：
BYTE空间： 0x64060000——0x64060308 – 1
空闲空间： 0x64060308——0x64080000 – 1
5、 gpFlashPara4空间说明【sizeof(TFBG_InterpolationItem)*0x10000】：
BYTE空间： 0x64080000——0x640FFFFF

四、全局变量说明
1、 typedef struct
{
DWORD dwFBGAlmState[CHANNEL_MAXNUM];
DWORD dwFBGcheckState[CHANNEL_MAXNUM];
DWORD dwFBGcheckNum[CHANNEL_MAXNUM];
DWORD dwFBGWenshenAlmState[CHANNEL_MAXNUM];
DWORD dwFBGbreak[2];
DWORD syserr;
int alarmRecordNum[3];
int alarmRecord[MAX_RECORD_ALARM_NUM];
int fiberBreakRecord[MAX_RECORD_ALARM_NUM];
int sensorLostRecord[MAX_RECORD_ALARM_NUM];
}TFBG_State;

#define CHANNEL_MAXNUM 64 //最多64个通道
#define MAX_RECORD_ALARM_NUM 10
① dwFBGAlmState：传感器报警状态，置1为报警，为标志位；
#define SOE_ALARM_TEMPERATURE 1
例如通道1传感器10报警，则赋值：dwFBGAlmState[0] |= （1 << 9）;
② dwFBGcheckState：传感器检测状态，置1为丢失，为标志位；
例如通道2传感器6丢失，则赋值：dwFBGcheckState [1] |= （1 << 5）;
③ dwFBGcheckNum：传感器检测个数，丢失1个计数器加1，为计数器；
#define SOE_ALARM_FIBERBREAK 3
#define SOE_ALARM_FIBERBREAK_RESTORE 4
④ dwFBGWenshenAlmState：传感器温升状态，置1为报警，为标志位；
#define SOE_ALARM_TEMP_JUMP 2
⑤ dwFBGbreak：传感器断纤状态，置1为断纤，为标志位；
#define SOE_ALARM_FIBERBREAK 3
#define SOE_ALARM_FIBERBREAK_RESTORE 4
通道1到通道32记录在数组dwFBGbreak[0]，通道33到通道64记录在数组dwFBGbreak[1]；
⑥ syserr：系统故障状态，置1为告警，为状态标志位；
⑦ alarmRecordNum：告警记录个数数组，告警1个计数器加1，为计数器；
alarmRecordNum[0]对应告警记录数组alarmRecord[10]；
alarmRecordNum[1]对应告警记录数组fiberBreakRecord[10]；
alarmRecordNum[2]对应告警记录数组sensorLostRecord[10]；
⑧ alarmRecord：告警记录，最多10条；
⑨ fiberBreakRecord：断纤故障记录，最多10条；
⑩ sensorLostRecord：传感器丢失故障记录，最多10条；

3、keil在编译之后的提示信息
http://blog.chinaunix.net/uid-21227800-id-3316051.html
KEIL RVMDK编译后的信息
Program Size: Code=86496 RO-data=9064 RW-data=1452 ZI-data=16116
Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write）初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Initialize）没有初始化的可读写变量的大小。ZI-data不会被算做代码里因为不会被初始化。
简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code+RO Data+RW Data
程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为： RW Data + ZI Data