AT91SAM7S64入门笔记----LED闪烁实验

        今天终于把ARM开发软硬件平台搭载完成,开始了ARM的学习之旅.刚接触ARM7,感觉不知从哪里入手比较好.因为之前有单片机的开发基础,就先把它当做单片机来使用,于是我重新开始学习"单片机"了.我当初就是从最简单的LED闪烁实验开始学习的,不凡也弄一个在ARM7上跑跑,通过这个实验可以了解GPIO的基本操作.

        跟51,AVR等单片机很相似,7S64也是通过对寄存器的操作来实现I/O口的输入输出,在本实验中用到的寄存器有:PIO_PER(PIO使能寄存器),PIO_OER(PIO输出使能寄存器),PIO_SODR(PIO置位输出数据寄存器),PIO_CODR(PIO清零输出数据寄存器).以下程序在MDK-ARM4.11上编译通过并测试成功.

 

示例代码:

#include<at91sam7s64.h>
#define uchar unsigned char
#define uint  unsigned int
#define LED_MASK (1<<0)

AT91S_PIO * pPIO = AT91C_BASE_PIOA;         /* Global Pointer to PIO */
void Delay(uint tt)
{
 uint i;
 while(tt-->0)
  for(i=0;i<1000;i++);

}

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AT91SAM7S64的中文手册特点 • 集成了ARM7TDMI® ARM® Thumb® 处理器 – 高性能的32 位RISC架构 – 高密度的16 位指令集 – 性能/功耗(MIPS/Watt) 的领先者 – 嵌入式ICE电路仿真,支持调试通讯 • 64K 字节的片内高速Flash存储器,共512 页,每页128 字节 – 在最坏的条件下可以30 MHz 的速度进行单时钟周期访问, 预取(Prefetch) 缓冲器可以实现Thumb指令的优化,使处理器以最快的速度执行指令 – 页编程时间为4 ms,包括页自动擦除,全片擦除时间为10 ms – 10,000 次的写寿命, 10 年数据保持能力,扇区锁定功能,Flash 安全锁定位 – 适合量产的快速Flash编程接口 • 16K 字节的片内高速SRAM,可以在最高时钟速度下进行单时钟周期访问操作 • 存储器控制器(MC) – 嵌入式Flash控制器,异常中断(Abort)状态及未对齐(Misalignment) 检测 • 复位控制器 (RSTC) – 上电复位和经过工厂标定的掉电检测 – 提供复位源信息以及给外部电路使用的复位信号 • 时钟发生器(CKGR) – 低供耗RC 振荡器,3 到20MHz 的片上振荡器和一个PLL • 电源管理控制器(PMC) – 可以通过软件进行电源优化,包括慢速时钟模式( 低至500 Hz)和空闲(Idle)模式 – 三个可编程的外部时钟信号 • 先进的中断控制器(AIC) – 可以单独屏蔽的、具有8 个优先级的向量式中断源 – 两个外部中断源和一个快速中断源,可以防止虚假(spurious)中断 • 调试单元(DBGU) – 2线UART,支持调试通讯通道中断;可通过程序来禁止通过ICE进行访问

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