LPC214X笔记（一）

0、ARM7-TDMI-S（Thumb、Debug、Multiplie、ICE\ synthesis）

1、小端模式

2、32KB+8KB的SRAM(8kb是与USB DMA共用)、2KB 终端USB RAM、512KB FLASH；FLASH的编程方式：JTAG;ISP;UART0(..)IAP;

3、SRAM可字节寻址，（半字寻址忽略地址线0，即02468ACE；字寻址忽略地址线01，即048C）；SRAM包含回写缓冲，数据只有在软件执行下一次写操作时才把这一次的数据写入（虚写）

4、AHB外设占据存储器顶端，也即3.75G-4G的顶端2M空间，其余为保留，每个外设固定16KB，共可分配128个AHB外设；VPB外设占据3.5G-3.75G的底端2M空间，也是共可分配128个VPB外设，且每一个寄存器固定分配1个字（32bit），即每一个寄存器地址最后都为048C。向量中断控制器位于4G空间的最顶端，被设计成离中断向量表最近（默认在4G空间最底端）。

5、高速IO、片内RAM、片内FLASH控制器挂在ARM7局部总线上；向量中断控制器、AHB译码器、USB DMA RAM挂在AHB总线上（两个外设？）；其他外设均挂在VPB总线上。局部总线128bit宽，加上MEM加速功能，代码可直接在FLASH中运行，无需复制到RAM。

6、地址映射即给某一功能部件分配某一范围的地址，可重映射即地址可重新分（LPC_214x_user_en-P14）配。