美光面经

本文介绍了美光面试中涉及的计算机基础知识,包括C语言基础题、存储器类型如SRAM、DRAM、Flash的区别,NOR和NAND Flash特性,以及中断模式IRQ和FIQ的区别。还讨论了CPU Cache的作用,ARM处理器的模式,链表操作,以及一些计算机体系结构相关的问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

笔试有写程序的,也有给一段程序让你写运行结果的题目(这个题目是保密的)

0有写程序和给一段程序写运行结果的C语言基础题(可能不止这一道)

eg.1

for (i=0; i<=10; i++){

    count=i++;

    Printf(“%d”, count);

}

eg.2

int a=5,b=7,c=0;

c=(a++)+(++b);

Printf(“a=%d, b=%d, c=%d”, a, b, c);

求运行结果。类似这种基础题做的时候要仔细点哦

1、SRAMDRAMFlash的区别,NOR NAND Flash的区别,简述nand

RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

NAND Flash和NOR Flash的比较

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值