电容爆浆

1,现象

主板电容爆浆,这样恐怕的事情对于大部分家庭用户而言,似乎有些耸人听闻,但是确实是存在这样的情况,特别是在长时间使用电脑或者使用高频高热量CPU的用户,比如网吧,近几年都频频传出大规模主板电容爆裂的事件,发生这样的情况,不仅出现在一些小品牌,包括一些大品牌也出现过类似的事情。
2,原因
多数爆浆的电容都是在CPU插座旁边的.这些电容作为主板电源模块的重要组成部
分作用是滤波,可以把脉动直流变成近似直线的直流。高温度是导致电容爆浆的主要原因,高温致使其电容内部电解液沸腾,压力升高,当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候,最终超过泄爆口的承受极限而爆浆。为了避免电容爆炸造的不必要的人身和物品损伤,每个电解电容的部都有刻上防爆纹,就是十字或三叉及其他形状的压力释放点,这是人为的制造压力薄弱点,当电容内部压力过大时,就会从此处泄压,避免产生爆炸情况,有点类似高压锅安全阀的原理。
3,危害
电容的作用是滤波的,可以把脉动直流变成近似直线的直流。所以在主板上会有不少电容来滤除相关电路产生的杂波,特别在CPU周围有的主板会有多达10余个电解电容,这是因为CPU工作在几百兆甚至数GHz的高频下,必须保证电源的绝对纯净,这时就需要使用大容量的电解电容来滤波。由于主板的安装空间和限制,只能使用十余个小容量的电解电容(6.3V 1500μF)并联的方法来达到大容量电容的效果。当电解电容的容量下降时,CPU
工作的核心电压就会变差,其中会窜入周围电路产生的杂波和开关电源电路自身的波形,这时主机就会表现出系统极端的不稳定,运行速度下降,容易蓝屏死机。

转载于:https://www.cnblogs.com/isAndyWu/p/9533351.html

汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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