NAND FLASH vs NOR FLASH

一、正文之前：

    正题之前有必要唠叨一下关于内存的背景知识，因为我自己之前在脑子里面对对“内存”这两个字就是一团糟，各种混淆。

    在计算机领域里，内存指在电脑或者其他数字电路设备中用来存储程序（计算机指令序列）或者数据（例如，程序状态信息）在暂时或者永久单元上的物理设备。

    在硬件系统里，内存有主存（primary memory）和副存（secondary memory）之说。主存工作在较高的速度下（也就是RAM，如电脑中的内存条），副存是用来存储程序和数据的设备其速度较低但是容量很高（如电脑中的硬盘）。术语“内存”通常用来指代主存如各种类型的RAM，而术语“存储”通常用来指代副存，如各种类型的硬盘。

    根据数据在掉电时是否丢失，内存可以分为易失性存储器（Volatile memory） 和 非易失性存储器（No-Volatile memory）。掉电时数据如果丢失为易失性存储器，例如内存条。掉电时数据不丢失为非易失性存储器。易失性存储器需要被提供电源来保持存储器中的信息。现在主流的易失性存储器是Static RAM（SRAM）和 Dynamic RAM（DRAM）。通常CPU中的cache是SRAM，电脑中的内存条是DRAM。在不久的将来被寄希望能够替代SRAM和DRAM或者与其竞争的非易失性存储器技术包括，Z-RAM, TTRAM, A-RAM 和 ETA RAM。非易失性存储器例子包括，只读存储器（ROM）、闪存（flash memory）、绝大多数的磁性存储设备（如：硬盘，软磁盘，磁带）、光盘等等。即将到来的非易失性存储器技术包括FeRAM, CBRAM, PRAM, SONOS, RRAM, Racetrack memory, NRAM 和 Millipede。

二、正文：

        闪存（Flash Memory）有NOR Flash 和 NAND Flash之分。下图为两者最小单元的区别：

从上图可以看出，由于NAND Flash有效的体系架构，他的最小单元大小差不多只有NOR Flash的一半，这也是NAND Flash高集成度、低成本的基础。 

NOR-NAND 详细比较1：

PARAMETER	NOR	NAND
Capacity	1 to 16 Mbytes	8 to 128 Mbytes
XIP (code execution)	Yes	No
Performance  Erase                        Write                        Read	Very Slow (5 s) Slow Fast	Fast (3 ms) Fast Fast
Strengths	Addressable to every byte	More than 10% higher life expectancy
Erase cycle range	10,000 to 100,000	100,000 to1,000,000
Interface	SRAM-like, memory mapped	Accessed in bursts of 512 bytes; I/O mapped
Access method	Random	Sequential
Price	High	Very low

NOR-NAND 详细比较2：

三、结论：

    NAND Flash是高密度数据存储的理想选择。NOR Flash很适合用来通常是低密度的代码存储和执行，因为他能按位寻址而NAND Flash不可以。