两种闪存：NAND Flash与NOR Flash对比

1 NOR Flash与NAND Flash基本概念

闪存主要有两种阵列结构，一种是NOR Flash,另一种是NAND Flash，NOR闪存是由Intel公司开发的，是一种随机访问设备，具有专用的地址和数据线（和SRAM类似），以字节的方式进行读写，允许对存储器当中的任何位置进行访问。而NAND闪存则没有专用的地址线，不能直接寻址，是通过一个间接的、类似I/O的接口来发送命令和地址来进行控制的，这就意味着NAND闪存只能够以页的方式进行访问。NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。

2 内部电路对比

NOR Flash阵列结构如下

NAND Flash阵列结构如下

两个主要阵列体系结构总结如下：

1. NOR闪存采用并行阵列架构，其中每个cell都可以通过触点直接访问，这也是NOR闪存具有卓越随机性能的原因。
2. 相比之下，NAND闪存中的存储单元是按顺序组织的。NAND闪存的阵列图中显示了夹在两个大型选择晶体管和两个触点之间的 32 个存储单元。由于没有直接访问存储单元的触点，随机性能很慢。但是，由于每32个存储单元只有两个触点，因此有效单元尺寸比NOR闪存小得多，从而导致更小的芯片尺寸和更低的每比特成本。NAND闪存的单元大小通常在$4F^2$范围内，由于NOR闪存的并行架构，其单元尺寸接近$10F^2$。
3. 然而，由于能够同时写入 4-8 kB数据，NAND 表现出快速的页面写入，从而导致非常高的顺序写入吞吐量，串行架构和小尺寸的优点使NAND闪存在低成本大容量的数据存储中流行，而NOR闪存主要应用于针对性能的代码存储和执行。

为了更清楚观察两者对比，对比图如下所示：