s3C2440 Memory controller

硬件设计篇

 

首先是BANK0 的选择， 如果是把BANK0 选择连接NAND Flash，需要引脚OM1 和OM0的状态 如果是都设置成0 是NAND FLASH 模式。。 NANDFlash 模式会自动的把NANDFLASH前4MB的内容拷贝到内存中来。

其次是S3C2440 的SDRAM的引脚如下：

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 nSRAS： SDRAM行选择引脚　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 nSCAS： SDRAM 列选择引脚

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 nSCS： 片选信号

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 DQM[3:0]： 掩码，就是为了屏蔽不需要的位， 比如一个连接了32位的芯片需要写入一个8bit的数据，那么其他的的位就会被掩码屏蔽

                                                                  SCLK：时钟

                                                                  SCKE： 时钟使能

　　　　　　　　　　　　　　　　　　nBE[3:0]：DATA mask。 因为每次SDRAM只能从内核提取8bit的数据，这个DQM是为了当用户选择了32位 16位数据的时候 区分高八位和第八位用的。 一般连接SDRAM的 LDQM和HDQM上面。LDQM连接DQM0 HDQM连接DQM1（只是对于16bit的SRAM）

                                                                 nWBE： Write Byte Enable

 

其中nBE 、 nWBE,还有 DQM共用一个引脚阵列 他们的关系如下：

如果连接ROM 则 nWBE 需要连接在芯片的nWE引脚。  byte enable

如果要是连接SRAM 则 nWE连接芯片上面的nWE引脚 SRAM上面的UB和LB分别连接在BE0和BE1上面

如果连接在SDRAM上面则 DQM0 需要连接芯片上面的LDQM DQM1需要连接到UDQM上面。

 

下面看芯片手册：

                               1. CLK 接连芯片的SDRAM CLK上面

                               2. CKE： Clock enable

　　　　　　　　  3. BA0 和BA1 这两个形成了一个选择器可以选择SDRAM里面四个BANK （0,1,2,3）

                               4. A0 ~ A12 是地址选择器 其中A10是判断是否进行预充电。。。

                               5 CS： 片选

                               6. CAS：列地址选择

                               7. RAS： 行地址选择

                               8. WE： 写使能

                               9. LDQM 和UDQM 掩码。。

 

时序的操作

 根据手册来确定程序和时序的走向:

                                                          1. 我们用的SDRAM是EM63A165TS 

                                                           2. 首先来看BWSCON： 由于我们把SDRAM设置到了bank 6 上面所以我们要看的寄存器是：

                                                                ST6： 是否用了UB 和LB 由于是SDRAM只是用到了DQM而不是UB/LB故为0

                                                                WS6：等待。 由于没有用到等待所以为0 （SDRAM没有等待的引脚）

　　　　　　　　　　　　　　　　　　DW6： 位宽 选择16位   

                                                                 Bank7 需要设置和bank6 相同 故BWSCON = 0x22000000

                                                          3. 设置BANKCON6 由于是SDRAM 所以MT设置成11

                                                               Tac ： 片选之前地址建立的时间  由于HCLK为100M 所以为此位可以位0

                                                               Tcos 由于时间很短可以设置成0

                                                               最后一位SCAN：由于手册上面列是9 所以是选择01

                                                          4. 设置refresh 寄存器：

                                                              22 23位都是1 来刷新SDRAM

                                                              Trp手册是21ns HCLK是100M（10ns）所以应该是01 3个时钟周期（10*3 》 21ns）

                                                              刷新频率： 手册上面频率是8192 刷新64ms 代入公式 Refresh period = (2^11-refresh_count+1)/HCLK

                                                              为1267 

                                                         5 bank Size： 使用突发模式 第七位设置为1

                                                                                 第五位： SDRAM可以进入休眠状态

                                                                                第四位：SCLK只是在进入SDRAM访问的时候才执行

                                                                                  第2:0位：选择64M

                                                           6：  MRSRB6 ： 0x20 

                                                             

 

 

 

 

     

 

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