（嵌入式）关于arm中的存储控制器（二）

关于存储控制器（memory controller）的寄存器使用：
接上一篇继续：
S3C2440芯片有Bank0~Bank7，8个块。存储控制器有13个寄存器，Bank0~Bank5只用BWSCON（BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER）和BANKCONx（BANK CONTROL REGISTER x为0~5）两个寄存器。 
Bank6和Bank7外接SDRAM时，除上面两种寄存器，还需要用到REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等四个寄存器。
13个寄存器如下：
BWSCON   （Bus Width & Wait Control Register）
BANKCONx （Bank Control Register  x=0~7）
REFRESH  （Refresh Control Register刷新控制寄存器）
BANKSIZE （Banksize Register）

MRSRB6/7 （SDRAM Mode Register Set Register） 

1.位宽和等待控制寄存器

BWSCON寄存器中每4位控制一个BANK，从高往低一次类推BANK7~BANK0。

STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM此位为0，对于SRAM此位为1。

WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常都设为0。

DWx：用来设置相应的BANK位宽。

2.BANK控制寄存器（BAN0~BANK5）。

                          BANK CONTROL REGISTER (BANKCONN: NGCS0-NGCS5)

这几个寄存器用来控制BANK0~BANK5外接设备的访问时序。设置的时候具体需要参考外接芯片的手册中时序图。针对我们这个开发板我们使用0x0700即可。

3.BANK控制寄存器（BAN6、BANK7）。

在8个BANK中只有BANK6和BANK7可以外接SRAM或SDRAM，因此这俩个BANK控制寄存器和上面的不太相同。

MT：确定这个BANK外接的设备是什么芯片，由于我们外接SDRAM，所以设置为0b11。

Trcd：推荐值0b01。

SCAN：列地址位数，我们这里是设置为9位，即0b01。

其它的和BANK0~BANK5一样设置。

4.刷新控制寄存器（REFRESH CONTROL REGISTER ）。

REFEN：使能/禁止 SDRAM刷新功能

TREFMD：SDRAM刷新模式，我们这里使用0b0。Self Refresh（一般在系统休眠时使用）。

Trp：设置当SDRAM中RAS（列地址信号）需要重新寻址时，要隔多久时间才能开始下次的寻址动作。理论上越短越好，我们这里设置为0b00。

Tsrc：SDRAM半行周期时间，我们这里设置0b11。

Refresh Counter：SDRAM刷新的计数值。HCLK即为SDRAM时钟频率

刷新周期=（2^11-刷新计数值+1）/HCLK  所以 刷新计数值=2^11+1-刷新周期*HCLK

我们这里通过查阅SDRAM芯片手册知道 Refresh period=64ms/8192=7.8125us

设HCLK=12MHz，所以refresh_count=2^11+1-12*7.8125=1955。

综上：我们这里的这个寄存器设置为0x008C0000+1955（0x7A3）=0x008C07A3。

5.BANKSIZE寄存器

BURST_EN: 使能/禁止 ARM核的突发传输。

SCKE_EN: 禁止/使能 通过SCKE信号让SDRAM进入省电模式。

SCLK_EN: 0: 一直使能SCLK信号 1：只有当使用SDRAM时才使能SCLK信号（推荐）

BK76MAP：设置BANK6/7的大小。

BANK0~BANK5的地址空间大小都是固定不变的128MB，而BANK6/7的大小是可变的，以保持这两个空间的大小连续，即BANK7的起始地址会随它们的大小变化。我们用的SDRAM是64MB，所以设置为0b001。

6.SDRAM模式设置寄存器（MRSBx）

通过上面我们可以看到能修改的只有一个CL：CAS（列地址信号）延迟，我们这里设置为0x30。

》》》》》》》》 至此，关于本实验中所有的存储控制器相关的寄存器学习完毕，那么接下来。就是最后一步了。写代码《《《《《《《《