Linux MTD下获取Nand flash各个参数的过程的详细解析

最新推荐文章于 2023-11-23 16:25:56 发布

dongzhichen

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文章标签： flash linux maf 编程 byte cache

下面是Linux MTD中，获取nand flash型号,各个参数，以及硬件特性的函数，其实也就是 nand_get_flash_type，下面对其详细解析：

【看此文之前，一些有必要先解释的术语】

1. Program(编程)：此处的编程，不是写软件，写代码，而是对于硬件来说的，可以理解为对硬件编程，只不过其工具是硬件内部的逻辑，而不是你用的软件。对Nand Flash的编程，本质上就是实现写操作，将数据写到Nand Flash里面去，所以对于nand flash，可以简单的理解为 program编程＝write写（数据）。

2. Datasheet(数据手册)：这个词，本来没啥好说的，接触多了，自然就知道了。但是对于和我类似，最开始接触的时候，就是没搞懂这个词的具体含义。其中文翻译，一般称作，数据手册，意思就是，一个关于描述硬件各个硬件特性，参数以及/或者如何操作，如何使用的文档。

3. Erasesize /Writesize：这个是Linux MTD中，关于块大小和页大小的别名，第一次见到的时候，把我搞糊涂了，后来才慢慢明白的。因为，nand操作的写基本单位页，所以，writesize，对应的就是pagesize，页大小。而擦除操作的基本单位是blocksize，块大小，所以也叫它erasesize。在此简单提一下这几个名词，方便和我遇到类似问题的朋友。

4. Spare Area /Redundant Area / OOB：nand flash中每一页对应一块区域，用于存放校验的ECC数据和其他一些信息，比如上层文件系统放的和自己文件系统相关的数据。这个区域，在Linux MTD相关系统中，被称作oob（out of band），可以翻译为带外，也就是nand flash的一个页，可以称作一个band，band之外，对应的就是指那个多出来的，特殊的区域了。而nand flash的datasheet中，一般成为spare area，可译为空闲区域，另外，在ID的含义解释中也叫做redundant area，可译为冗余区域，归根结底，都是一个含义。不要被搞糊涂了就好。

5. Page Register(页寄存器)：nand flash硬件中的一块地方，名字叫做register，实际就是一个数据缓存，一个buffer，用于存放那些从flash读出来或者将要写入到flash中的。其实叫做页缓存，更合适，更容易明白其含义。此页寄存器的大小＝页大小+ oob 大小，即pagesize+oob，对于常见的页是2KB的，此页寄存器就是2KB+64=2112字节。

6. Chip和Plane：对于chip，其实任何某个型号的flash，都可以称其是一个chip，但是实际上，此处的chip，是针对内部来说的，也就是某型号的flash，内部有几个chip，比如下面会举例说到的，三星的2GB的K9WAG08U1A芯片（可以理解为外部芯片/型号）内部装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A，此时就称K9WAG08U1A内部有2个chip，而有些单个的chip，内部又包含多个plane，比如上面的K9K8G08U0A内部包含4个单片是2Gb的Plane。只有搞清楚了此处的chip和plane的关系，才能明白后面提到的多页（Multi Plane / Multi Page）编程和交互（interleave）编程的含义。

7. 编程(Program)：此处的编程，不是写软件，写代码，而是对于硬件来说的，可以理解为对硬件编程，只不过其工具是硬件内部的逻辑，而不是你用的软件。对Nand Flash的编程，本质上就是实现写操作，将数据写到Nand Flash里面去，所以对于nand flash，可以简单的理解为 program编程＝write写（数据）。

详细代码可以在这里找到：

linux/drivers/mtd/nand/nand_base.c

2407/*

2408 * Get the flash and manufacturer id and lookup if the type is supported

2409 */

2410static struct nand_flash_dev *nand_get_flash_type(structmtd_info *mtd,

2411 struct nand_chip *chip,

2412 int busw, int *maf_id)

2413{

2414 struct nand_flash_dev *type = NULL;

2415 int i,dev_id,maf_idx;

2416 int tmp_id,tmp_manf;

2417

/*选中芯片，才能对其操作。 */

2418 /* Select the device */

2419 chip->select_chip(mtd, 0);

2420

2421 /*

2422 * Reset the chip, required by some chips (e.g. Micron MT29FxGxxxxx)

2423 * after power-up

2424 */

2425 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_RESET, -1, -1);

2426

/*发送ReadID的命令：0x90，去驱动芯片的ID信息 */

2427 /* Send the command for reading device ID */

2428 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_READID, 0x00, -1);

2429

/*根据datasheet中的定义，第一个字节，简称byte1，是生产厂商的信息，不同的厂商，对应不同的数字。而byte2是芯片类型，不同的nand flash芯片，对应不同的设备ID，也就是一个字节的数字。

关于读取出来的ID的具体含义，可以参考三星K9K8G08U0A的datasheet中解释。 */

2430 /* Read manufacturer and device IDs */

2431 *maf_id =chip->read_byte(mtd);

2432 dev_id =chip->read_byte(mtd);

2433

2434 /* Try again to make sure, as some systems the bus-hold or other

2435 * interface concerns can cause random data which looks like a

2436 * possibly credible NAND flash to appear. If the two results do

2437 * not match, ignore the device completely.

2438 */

2439

/*再次发送ReadID命令，其目的，上面注释代码中说了，有些特殊的系统中，第一次读取的信息，看起来是很正常，但是实际是错的，所以这里读两次，正常的设备，肯定都会一样的，如果两次不一样，那么说明设备有问题，也就直接函数返回了。*/

2440 chip->cmdfunc(mtd,NAND_CMD_READID, 0x00, -1);

2441

2442 /* Read manufacturer and device IDs */

2443

2444 tmp_manf =chip->read_byte(mtd);

2445 tmp_id =chip->read_byte(mtd);

2446

2447 if (tmp_manf != *maf_id || tmp_id !=dev_id) {

2448 printk(KERN_INFO "%s: second ID read did not match "

2449 "%02x,%02x against %02x,%02x/n", __func__,

2450 *maf_id,dev_id,tmp_manf,tmp_id);

2451 return ERR_PTR(-ENODEV);

2452 }

2453

/*下面根据读取出来的flash ID，也就是具体flash芯片，或叫做设备ID，不同的数值，对应不同的容量和物理参数的flash。

其中，nand_flash_ids是个预先定义好的数组，其定义在：

drivers/mtd/nand/nand_ids.c中，此处简要摘录如下：

* Chip ID list

* Name. ID code, pagesize, chipsize in MegaByte, eraseblock size, options

* Pagesize; 0, 256, 512

* 0 get this information from the extended chip ID

+ 256 256 Byte page size

* 512 512 Byte page size

struct nand_flash_dev nand_flash_ids[] = {

。。。。。

/* 4 Gigabit */

{"NAND 512MiB 1,8V 8-bit", 0xAC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS},

{"NAND 512MiB 3,3V 8-bit", 0xDC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS},

{"NAND 512MiB 1,8V 16-bit", 0xBC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS16},

{"NAND 512MiB 3,3V 16-bit", 0xCC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS16},

/* 8 Gigabit */

{"NAND 1GiB 1,8V 8-bit", 0xA3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},

{"NAND 1GiB 3,3V 8-bit", 0xD3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},

{"NAND 1GiB 1,8V 16-bit", 0xB3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS16},

{"NAND 1GiB 3,3V 16-bit", 0xC3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS16},

。。。。。

}

而结构体nand_flash_dev的定义如下：

include/linux/mtd/nand.h：

/**

* struct nand_flash_dev - NAND Flash Device ID Structure

* @name: Identify the device type

* @id: device ID code

* @pagesize:Pagesize in bytes. Either 256 or 512 or 0

* If the pagesize is 0, then the real pagesize

* and the eraseize are determined from the

* extended id bytes in the chip

* @erasesize: Size of an erase block in the flash device.

* @chipsize:Total chipsize in Mega Bytes

* @options: Bitfield to store chip relevant options

struct nand_flash_dev {

char *name;

int id;

unsigned long pagesize;

unsigned long chipsize;

unsigned long erasesize;

unsigned long options;

};

在结构体数组nand_flash_ids[]中，预先定义了，目前所支持的很多类型Nand Flash的具体物理参数，主要是上面结构体中的页大小pagesize，芯片大小chipsize，块大小erasesize，而id变量表示此类型的芯片，用哪个数字来表示。

下面代码中，通过刚读取到的设备ID，去和预先定义好的那个结构体数组nand_flash_ids[]中的每一个ID去比较，如果相等，那么说明支持此款nand falsh，而其他的信息，就可以直接从后面几项中直接获得了。

其中，有个要注意的是，前面代码注释中也解释了，就是如果pagesize是0，那么说明关于pagesize和其他一些信息，要通过读取额外的ID来获得，这也就是待会下面要详细解释的。

而对于旧的一些nand flash，在表项中其pagesize不是0，就可以直接可以从上面的预定义的表里面获得了。

比如，对于常见的三星的型号为K9K8G08U0A的nand flash，其设备号是0xD3，找到匹配的表项就是;

{"NAND 1GiB 3,3V 8-bit", 0xD3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},

因此也就知道，其容量是1024MB，设备相关物理特性是1GiB 3,3V 8-bit了。

而关于pagesize和块大小erasesize此处都是0，就只能另外从后面读取的ID中获得了。

2454 /* Lookup the flash id */

2455 for (i = 0;nand_flash_ids[i].name != NULL;i++) {

2456 if (dev_id ==nand_flash_ids[i].id) {

2457 type = &nand_flash_ids[i];

2458 break;

2459 }

2460 }

2461

2462 if (!type)

2463 return ERR_PTR(-ENODEV);

2464

2465 if (!mtd->name)

2466 mtd->name = type->name;

2467

/*此处由于上面表中的chipsize是MB＝2^10为单位的，所以要左移20位，换算成byte单位 */

2468 chip->chipsize = (uint64_t)type->chipsize << 20;

2469

2470 /* Newer devices have all the information in additional id bytes */

2471 if (!type->pagesize) {

2472 int extid;

/*解释下面代码第三个字节之前，要先把图标帖出来，才更容易看得懂具体的解释：

由数据手册的表中定义可以看出：

1．Internal Chip Number

意思是，内部芯片有几颗。有些型号的Nand Flash，为了实现更高的容量，在芯片内部封装了多个芯片，比如三星的K9WAG08U1A容量是2GB，内部是装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A，对应地，里面要包含2个片选CE1和CE2（均是低电平有效），而4GB的K9NBG08U5A包含了4片的K9K8G08U0A。

2．Cell Type：SLC / MLC

bit2&bit3表示的是芯片的类型，是SLC还是某种MLC。

Bit2,bit3=0x00： SLC，简单说就是内部单个存储单元，存储一位的数据，所能表示的数值只有0，1，也就需要两种不同的电压来表示，所以叫做2 Level的Cell。

Bit2,bit3=0x01/0x10/0x11： 4 /8/16 Level Cell，都叫做MLC，其含义是内部单个存储单元设计成可以表示多个，即4/8/16个不同的电压，对应地，可以表示2，3，4位的数据。

这类的MLC的nand flash，由于单个存储单元，要存储更多的数据，所以内部结构更复杂，读取和写入数据的逻辑更复杂，相对数据出错的几率也比SLC要大。所以，一般MLC的使用，都需要检错和纠错能力更强的硬件或软件算法，以保证数据的正确性。软件实现此类的多位数据的检错和纠错的效率相对较低，一般是硬件本身就已经提供此功能。

对应的其为硬件ECC，也就是Linux内核MTD中的HW_ECC。

其他关于SLC/MLC的更详细解释，感兴趣的可以去看另一个帖子：

【简介】如何编写linux下nand flash驱动 v1.0 .pdf

http://www.rayfile.com/zh-cn/files/f513b02b-778b-11de-91d4-0014221b798a/

3．Number of Simultaneously Programmed Pages

可以对几个页同时编程/写。此功能简单的说就是，一次性地写多个页的数据到对应的不同的页。对应支持此操作的，硬件上必须要有多个plane，而每个plane，都有一个自己的页寄存器。比如K9K8G08U0A有4个plane，分别叫做，plane0，plane1，plane2，plane3。

它们共分成2组，plane0和plane1，plane2和plane3。在多页编程时候，只能对某一组中的两个plane操作，不允许类似于plane0和plane2或plane3一起去做多页编程。以plane0和plane1为例，在实现具体的编程动作之前，将你要写入的2个页的数据，分别写入plane0和plane1中的页寄存器，然后才能发命令，去实现具体的编程操作。正是因为多页编程需要底层的多plane支持，底层实现的时候，是同时对多个plane编程，所以，也被叫做Multi Plane Program。

4．Interleave Program Between Multiple chips

交错，从字面意思就可以看出，此操作涉及对象就不止一个。交错编程，就是对多个chip，交错地进行编程，先对一个编程，充分利用第一个编程过程中需要等待的时间，转去操作另一个，以此实现总体效率的提高。

如果支持Interleave Program的话，那么前面的chip number必然大于1。

5．Cache Program

Cache读：在开始了一次cache读之后，在你把数据读出去的这段时间，nand flash会自动地把下一页的数据读取出来放到页寄存器。

Cache写：在你写入数据的时候，对应的内存中的数据，不是直接写到页寄存器中，而是到了cache buffer中，然后再发cache写的命令，此时，数据才从cache buffer中，转递到页寄存器中，然后把数据一点点编程到nand flash，此时，你可以去利用页编程的时间，去准备下一次的数据，然后依此地写入下一个页。

Cache读或写，是充分利用了读一页数据出来，或者将一页数据写到flash里面去的时间，去准备新的一页的数据，这样就可以实现连续的读或写，大大提高读写效率。

2.SLC/MLC

2473 /* The 3rd id byte holds MLC / multichip data */

2474 chip->cellinfo = chip->read_byte(mtd);

/*读取4th ID */

2475 /* The 4th id byte is the important one */

2476 extid =chip->read_byte(mtd);

/* 4^th ID的含义：

（1）Page Size：

如图，页大小，是bit0和bit1组合起来所表示的。

extid & 0x3，就是取得bit0和bit1的值，而左移1024位，是因为上面表中的单位是KB＝2^10=1024。此处关于1024 << (extid & 0x3)这样的写法，再多说一下。

我之前也是看了很长时间，都没看懂，后来才看懂具体的意思的。

1024 << (extid & 0x3)其实就是

1024×（1<< (extid & 0x3)）＝前面的1024是因为单位是KB，而后面的写法，就是2的extid & 0x3的次方，比如，如果extid & 0x3是3，那么，1<< (extid & 0x3)就是1<<3＝8，对应的上面的8KB。

2477 /* Calc pagesize */

2478 mtd->writesize = 1024 << (extid & 0x3);

2479 extid >>= 2;

(2)Redundant Area Size(byte/512byte)：

前面介绍过了，此处的oob，就是datasheet中的redundant area size就是linux中的oob大小。

上面表中的意思是，512个byte，对应8还是16个字节的redundant area。

之所以是512字节对应多少个是因为以前的nand flash页大小是512（除了最早的好像是256之外），所以估计是硬件设计就这样设计了，512个字节对应多少个冗余的数据用作oob，而后来的页大小，对应的是512的整数倍，比如2K，4K等，所以，此处，可以按照每个512对应几个字节的oob，然后再算页大小是512的多少倍，即：

此处的extid & 0x01算出来的值，对应上面的8或16，而mtd->writesize >> 9，其实就是

td->writesize /512，到此，才算清楚，为何此处oob是这么算的。

2480 /* Calc oobsize */

2481 mtd->oobsize = (8 << (extid & 0x01)) * (mtd->writesize >> 9);

2482 extid >>= 2;

(3)Block Size：

具体算法很清楚，算出是64KB的多少倍，得出总大小。

2483 /* Calc blocksize. Blocksize is multiples of 64KiB */

2484 mtd->erasesize = (64 * 1024) << (extid & 0x03);

2485 extid >>= 2;

(4)Organization：

X8/X16，表示的是，硬件I/O位宽（Bus Width）是8位的还是16位的。

目前大多数，都是X8的。

2486 /* Get buswidth information */

2487 busw = (extid & 0x01) ? NAND_BUSWIDTH_16 : 0;

2488

2489 } else {

旧的nand flash的一些参数，是知道设备ID后，可以直接从表中读取出来的。

2490 /*

2491 * Old devices have chip data hardcoded in the device id table

2492 */

2493 mtd->erasesize = type->erasesize;

2494 mtd->writesize = type->pagesize;

2495 mtd->oobsize = mtd->writesize / 32;

2496 busw =type->options & NAND_BUSWIDTH_16;

2497 }

2498

根据读取出来的生长厂商的ID，去和表中对应项匹配，找到是哪家的nand flash芯片。

其中，nand_manuf_ids和上面nand_flash_ids类似，也是个预先定义好的数组，其定义和nand_flash_ids同文件：

drivers/mtd/nand/nand_ids.c中：

* Manufacturer ID list

struct nand_manufacturers nand_manuf_ids[] = {

{NAND_MFR_TOSHIBA, "Toshiba"},

{NAND_MFR_SAMSUNG, "Samsung"},

{NAND_MFR_FUJITSU, "Fujitsu"},

{NAND_MFR_NATIONAL, "National"},

{NAND_MFR_RENESAS, "Renesas"},

{NAND_MFR_STMICRO, "ST Micro"},

{NAND_MFR_HYNIX, "Hynix"},

{NAND_MFR_MICRON, "Micron"},

{NAND_MFR_AMD, "AMD"},

{0x0, "Unknown"}

};

比如最对应的宏和结构体定义在：

include/linux/mtd/nand.h中：

* NAND Flash Manufacturer ID Codes

#define NAND_MFR_TOSHIBA 0x98

#define NAND_MFR_SAMSUNG0xec

#define NAND_MFR_FUJITSU 0x04

#define NAND_MFR_NATIONAL 0x8f

#define NAND_MFR_RENESAS 0x07

#define NAND_MFR_STMICRO 0x20

#define NAND_MFR_HYNIX 0xad

#define NAND_MFR_MICRON 0x2c

#define NAND_MFR_AMD 0x01

/**

* struct nand_manufacturers - NAND Flash Manufacturer ID Structure

* @name: Manufacturer name

* @id: manufacturer ID code of device.

struct nand_manufacturers {

int id;

char * name;

};

比如我们读到的是，最常见的0xEC，对照上面的定义，就是Samsung，表示此款nand flash是三星家的。

2499 /* Try to identify manufacturer */

2500 for (maf_idx = 0;nand_manuf_ids[maf_idx].id != 0x0; maf_idx++) {

2501 if (nand_manuf_ids[maf_idx].id == *maf_id)

2502 break;

2503 }

2504

检测你的驱动中的关于位宽的定义，适合和硬件所一致。

2505 /*

2506 * Check, if buswidth is correct. Hardware drivers should set

2507 * chip correct !

2508 */

2509 if (busw != (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)) {

2510 printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:"

2511 " 0x%02x, Chip ID: 0x%02x (%s %s)/n", *maf_id,

2512 dev_id,nand_manuf_ids[maf_idx].name,mtd->name);

2513 printk(KERN_WARNING "NAND bus width %d instead %d bit/n",

2514 (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16) ? 16 : 8,

2515 busw ? 16 : 8);

2516 return ERR_PTR(-EINVAL);

2517 }

2518

此处计算的pagesize，blocksize等的shift，是为了后期的对这些值的除操作更加高效而做的。

对于代码中的除操作，如果直接只是/pagesize，则没有直接算出其是2的多少次方，然后用位移操作，更加高效。因此，此处直接计算好是多少个shift，以后的除于pagesize，blocksize，就可以直接用对应的位移操作了。

2519 /* Calculate the address shift from the page size */

2520 chip->page_shift = ffs(mtd->writesize) - 1;

算出mask，为了后期保证传入的地址不越界，所以会对其mask一下。

2521 /* Convert chipsize to number of pages per chip -1. */

2522 chip->pagemask = (chip->chipsize >> chip->page_shift) - 1;

2523

2524 chip->bbt_erase_shift = chip->phys_erase_shift =

2525 ffs(mtd->erasesize) - 1;

这段，貌似是新的kernel里面新加的，而且把chip->chipsize定义换成uint64_t了，支持超过4GB大小的nand flash了，否则，如果你正好是4GB，对于旧的代码chip->chipsize是uint32_t类型的，那么正好就变成0了。

此处之所以去chip->chipsize & 0xffffffff判断是超过4GB，看起来，估计是ffs函数最多支持32位，所以，没法计算超过此大小的ffs。

简单说一下，ffs是计算一个数值的第一个被置位的位置，全称好像是 find first set bit，其简单解释如下：

ffs

查找第一个已设置的位

int ffs (int x)

x为要搜索的字。

刚百度了一下，好像还有个对应的函数：ffz，找到第一个0的位置，估计就是find first zero bit了。呵呵。

而且，这些，好像是Linux提供的基本函数库里面的，自己之前都没怎么听说过呢。汗一个先。。。

2526 if (chip->chipsize & 0xffffffff)

2527 chip->chip_shift = ffs((unsigned)chip->chipsize) - 1;

2528 else

2529 chip->chip_shift = ffs((unsigned)(chip->chipsize >> 32)) + 32 - 1;

2530

设置坏块的标记位置。

关于nand flash的small block和large block，据我了解，好像就是对应的small pagesize和large pagesize，而此处的大小，是针对于旧的nand flash，其页大小pagesize是512，所以，

Small block就是页大小是512B的nand flash，而larger block就是新的，页大小大于512B的，比如2KB，4KB等的nand flash。

下面的宏定义在

include/linux/mtd/nand.h中：

* Constants for oob configuration

#define NAND_SMALL_BADBLOCK_POS 5

#define NAND_LARGE_BADBLOCK_POS 0

约定俗成的，small block的nand，坏块标记在byte5，而large block的nand flash在byte0。

关于坏块标记，实际情况更复杂些：

【Nand Flash坏块标记位置】

对于2K页的nand flash，标记位置都是页内oob开始处，都是非0xFF表示坏块，

但是，对于是第几页，不同nand flash就有不同的规定了：

有些nand flash，是标记在坏块的第一个页（或者是第二个页，这点是考虑到，万一第一个页是坏的，所以才做此规定的。一般都是在第一个页处做标记），比如三星的多数SLC，Hynix等；另一些，是在一个块内的最后一页或倒数第二页做此标记，比如samsung MLC , Numonyx等。所以，真正比较完整的检查坏块的做法，至少要检测块内第一，第二，倒数第一，倒数第二页，是否是0xFF，才能比较全面的判断是否是坏块的。

2531 /* Set the bad block position */

2532 chip->badblockpos = mtd->writesize > 512 ?

2533 NAND_LARGE_BADBLOCK_POS :NAND_SMALL_BADBLOCK_POS;

2534

获得上面nand id表中的默认设置的那些option：LP_OPTIONS（如果是X16则是，LP_OPTIONS16）。

2535 /* Get chip options, preserve non chip based options */

2536 chip->options &= ~NAND_CHIPOPTIONS_MSK;

2537 chip->options |= type->options & NAND_CHIPOPTIONS_MSK;