CCD CMOS原理及异同

参考：B站优致谱视觉

CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是图像传感器领域的两种关键技术，

工作原理

• CCD
  • 光电转换：当光子撞击到CCD的感光区域时，光子的能量传递给硅半导体中的电子，使电子从价带跃迁到导带，形成自由电子 - 空穴对，即光生电荷。光子数量越多，产生的光生电荷就越多，从而实现了光信号到电荷信号的转换。
  • 电荷存储与转移：这些光生电荷会被收集到像素单元内的势阱中暂时存储。在时钟脉冲的作用下，电荷以“电荷包”的形式在相邻像素单元的势阱间依次转移，就像接力赛一样，从感光区域逐行或逐列地转移到输出寄存器。
  • 信号读出：到达输出寄存器的电荷信号被转换为电压信号，经过放大和模数转换等处理后，最终变成数字图像信号，可供计算机或其他设备进行处理和存储。
• CMOS
  • 光电转换：与CCD类似，CMOS传感器中的光电二极管在吸收光子能量后，产生光生电荷，实现光电转换。
  • 信号放大与读出：每个像素点都集成了一个放大器和开关电路。在读取信号时，通过控制开关电路，使光电二极管中的电荷流入放大器，将电荷信号转换为电压信号并进行放大。然后，按照一定的顺序逐行或逐列地将这些放大后的电压信号读出，经过模数转换后形成数字图像信号。

相同点

• 光电转换机制：CCD和CMOS都基于半导体的光电效应来工作，都是将入射光的光子能量转化为电信号，从而实现对光信号的探测和量化。
• 基本功能：它们的主要目的都是将光学图像信息转换为可供电子设备处理和存储的数字图像信号，是数字成像系统中的核心部件。

不同点

• 结构与制造工艺
  • CCD：结构相对复杂，需要在芯片上制造出大量的精密电极和电荷转移通道，制造工艺要求较高，成本也相对较高。
  • CMOS：采用了与现代集成电路制造工艺兼容的技术，其结构更易于集成，可将像素单元、放大器、模数转换器等集成在同一芯片上，成本较低，且更适合大规模生产。
• 电荷传输方式
  • CCD：通过统一的时钟脉冲控制，将电荷在像素之间进行逐位转移，这种全局快门的方式使得整个图像的曝光和读取是同步进行的，能较好地避免图像模糊和失真，但传输速度相对较慢。
  • CMOS：通常采用行或列选通的方式进行信号读出，每个像素点可以独立地进行曝光和读出，属于卷帘快门。这种方式在读出速度上有优势，但在拍摄快速运动的物体时，可能会出现图像变形或倾斜的现象。
• 噪声特性
  • CCD：噪声主要来源于电荷转移过程中的损失和热噪声等，由于其电荷传输效率较高，在低噪声性能方面表现较好，特别是在对图像质量要求较高的专业摄影和科学成像领域具有优势。
  • CMOS：由于每个像素都有独立的放大器，放大器噪声相对较大，且不同像素之间的噪声可能存在差异。不过，随着技术的不断进步，CMOS传感器的噪声性能已经得到了很大的改善。
• 功耗
  • CCD：需要较高的电压来驱动电荷转移，且在整个工作过程中，大部分像素都处于工作状态，因此功耗相对较高。
  • CMOS：每个像素点可以独立控制，在不进行曝光和读出时可以处于休眠状态，功耗较低，这使得CMOS传感器更适合于电池供电的设备，如手机、数码相机等。
• 量子效率
  • CCD：在近红外波段的量子效率较高，能够更有效地将光子转换为电荷，从而在低光照条件下获得较好的图像质量。
  • CMOS：早期的CMOS传感器量子效率较低，但近年来通过改进设计和工艺，量子效率已经有了显著提高，与CCD的差距逐渐缩小。