PMOS管学习应用

首先对自己的应用背景做一下说明,我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电,所以要做一个电子开关,这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管,但是三极管的压降漏电流是系统所不能接受的。所以就要用到MOS,其导通压降较小,一般在豪伏级别,导通电阻在百毫欧级别(例如117毫欧),这样开关在开启后压降不会太大关闭时漏电不会太大,满足应用。

模电学的不是很好,MOS管的知识基本上也已经还给老师了。只能从网上搜资料,重新看一下。我实验用的管子是IRF9540N,原以为后缀带N的应该是N沟道,没成想这个管子是P沟道的。就P沟道增强型MOS管进行一下说明:

  PMOS的特性是当Vgs的值小于一定的值时管子就会导通,适合源极接VCC的情况。下面是增强型PMOS工作特性曲线:

   

  由图可知,Vgs越大,允许的漏极电流越大。管子工作包含四个区:可变电阻区恒流区击穿区截止区,如下图所示:

  

其中恒流区又叫做饱和区,管子正常工作就在这个区。有两个图可知,当Vgs的绝对值高于4V时管子截止,低于这个值时管子导通IRF9540N的这个门限值导通值在-2~-4之间,Vgs只有高于4V管子才能截止。但是我做的系统中电源电压在4V以下,所以这个管子其实是不能用的。

  附上电子开关的电路图:

    当有5V供电时,Vgs绝对值高于4V,管子截止,经过不断地放电,当其电压降到4V以下时,管子导通,电池BAT工作。下面两个电阻可以决定Vgs两端的电压。

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