应用
相比于NMOS,PMOS应用较少,主要原因有导通电阻大于NMOS导通电阻,型号少,价格贵等,但在一些特殊的场合也有应用。
原理介绍
PMOS全称是P型金属氧化物半导体(positive channel Metal Oxide Semiconductor),MOSFET为压控型器件。当电压Vgs低于阈值Vth时,PMOS在场强的作用下导通,当Vgs高于Vth时,内部沟道截止。导通时,电流的方向是可以从D到S,从S到D也可。
由于PMOS的特性,可以作为高端驱动器件,源极S接正极。一般情况下,单管的MOSFET具有寄生二极管,也就是体二极管,而集成器件的MOSFET不具有体二极管。
寄生参数
1、寄生二极管
使用时,要特别注意内部寄生二极管,如果接反,将导致无法关闭PMOS管;另外,某些场合可以巧用寄生二极管。
2、寄生电容
使用时,要特别注意GS管脚的寄生电容Cgs,控制PMOS管的导通与截止,本质上是控制Cgs电容的充放电。有时,为了提高工作频率,需要较大的驱动电流,实现MOS的快速开通关断。
选型
PMOS的Vdss漏源电压一般最高为500V,连续的漏极电流Id可达到上百A,导通电阻RDS一般大于NMOS导通电阻,导通阈值电压一般在0V~3V。
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应用
防反接电路
D1: 稳压二极管,保护使用,使Vgs在安全阈值内。
(使用二极管进行防反接时,由于有0.7V的压降,会有较大的损耗。虽然PMOS导通时有大约100m欧姆时导通电阻,但损耗远远小于二极管损耗)
高端驱动
如果输出电压小于单片机IO的电压,考虑把Q2去掉,直接驱动Q1,要注意单片机驱动电流的问题,设置为推挽模式,提高驱动能力。