首先有一些关于概念的问题
存储器的分类,性能指标应该没有考点
注意编制是按多大的,再算地址空间
存储器的层次化结构
主要是多级存储体系
cpu-cache-内存-磁盘
这里有一个计算cache访问时间的,一级两级和是否命中,以及是否同时访问,一般默认是同时访问。
半导体随机存储器
sram:静态随机,存储速度快集成度低,功耗大,一般用来组成高速款冲
dram:动态随机存储器,电荷只能维持1-2ms,因此必须再2ms内进行刷新
集中刷新:在一段时间中进行刷新
分散刷新:每次存储时进行刷新
异步刷新:在一定间隔内进行刷新
只读存储器
rom,这里有一个真题
引脚数目:地址线 幂次方的根数,数据线每为一根,读写两跟,片选一根
dram没有说也是复用, 地址复用技术,地址线只要一半,但是要加行选通或者列选通的线。
随机存储器,能随机存储不一定是随机存储器
主存和cpu的连接
子扩展和位扩展,扩展后的图的画法
一般用一个译码器,选芯片,位扩展要注意同时选中。
容量直接用地址减会比较好
实际容量不能代表位数,得按主存空间来
双口RAM和多模块存储器
可以同时读不同地址的数据,如果相同就会冲突,只有读写冲突。
单体多字:一次多一个块出来
多体并行:流水线式读取
高速款冲存储器
cache映射,直接映射,唯一位置,全相连映射各个位置,组相连映射,组内随机位置。
位数:有效位,写回的话会有一个脏位,还有标识那个内存的块的标记位,lru还有一位
虚拟存储器,有页式和段页式还有talb块表。