【计算机组成原理之存储系统】超级详细

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三、存储系统

3.1存储系统概念

3.2.1存储器芯片的基本原理

• 3.2存储器芯片的基本原理

  mos管接通是有电荷，电容存储电荷，存储元表示1，反之无电荷表示0。多个存储元单位组成一个存储单元，如下10100011；多个存储单元组成一个存储体。一个存储单元也成为存储字长，如10100011也叫做8bit（8位）。因此n位地址，就有2的n次方个地址，总容量等于存储单元个数*存储字长。
  

  译码器通过多个自选线读多个存储单元，

一个内存条包含多个存储器芯片

如果要读取其中一个芯片的数据，就需要通过片选线给芯片高频电信号，其他芯片低频电信号，以区别；

地址线一般是CPU通过数据总线结构控制的；

存储芯片对外暴露的迎角每一条都对应一条线（读写线、片选线、数据线等）

对于整个存储体而已就可以这样表示容量

8k\*8  就是2的13次方\*8比特

1k=1024B=2的十次方

现代计算机都是按字节寻址（1B=8bit）

总量为1KB，地址线为10根的情况下：

按字节寻址 1k个单元，每单元1B;按字寻址256个单元，每单元4B

按半字寻址，512单元，每单元2B；按双字寻址，128单元，每单元8B

3.2.2SRAM和DRAM

• 3.2.2 SRAM和DRAM

  静态RAM(sram)用于cache

  动态RAM(dram)用于主存，有地址复用技术和特有的刷新方法
  
  

  电容和稳态触发器的内容可以去查询电路器件的内容，此处不予深究

  SRAM用触发器存储信息，非破坏性读出，读出后不需要重写，运行速度快，集成度低，成本高，易失存储器，不需要刷新，同时送行列地址，常做cache。

  DRAM用电容存储信息，是破坏性读出，读出后需要重写，运行速度慢，集成度高，成本低，易失存储器（断电后信息消失），需要刷新，分两次送行列地址，常做主存。

  

  DRAM的刷新

  刷新周期：一般为2ms

  刷新单位：行

  刷新方法

  一、集中刷新

  刷新时间固定，存在死区；读写不受刷新影响，存储速度快；死区不能访问存储器（死区是指刷新时停止对存储器的读写操作的这段时间）

  二、分散刷新

  把每行刷新分散到每个工作周期中，没有死区；但是存储周期长，减低速度

  三、异步刷新

  结合上两种方法，缩短死时间又提高速度，具体方法是用刷新周期除行数得到刷新时间间隔T，用逻辑电路每隔T刷新一次。

3.2.3 ROM

• 3.2.3 ROM

  ROM特点：随机存取，非易失性存储器，结构简单，位密度比可读写存储器高。

  ROM类型：

  MROM（掩模式只读存储器）

  PROM(一次性可编程只读存储器)

  EPROM（可擦除可编程只读存储器）可以对内容多次改写

  闪存存储器（flash memory）可长期保存信息，可重