ROM RAM FLASH FRAM等区分

最新推荐文章于 2024-08-17 19:14:47 发布

ericghw

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分类专栏：操作系统相关

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存储对一个系统来说必不可少，主要用于存放代码、数据等内容，实际系统根据应用场合、成本考虑等多种因素，会搭配不同的存储组合。由于技术的发展和各方面原因，学术名词很多，笔者在刚刚接触嵌入式行业时，被这些名词搞的云里雾里的，遂决定对这些存储介质的分类、使用场合做些总结。由于水平有限，若有疏漏、错误之处，还请不吝赐教，感激不尽。另外，有部分内容参考自一些文档，但出处难以查找了，对原作者表示抱歉。

一、ROM和RAM

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM可以分为两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，好钢用在刀刃上，所以对一些速度要求比较高的场合下才使用，譬如计算机的的一级缓存L1，二级缓存L2。攒机时考察cpu好坏的一个指标是L1、L2大小，为什么它们只有几M，就是因为这个，成本太高。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的，笔者台式机使用的是ddr2的内存，现在普遍使用ddr3。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。但是，由于flash、铁电等的的兴起，ROM由于操作复杂程度、容量等限制，使用的比较少了。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。但这仅对早期情况，eeprom由于写入代价高，速度慢(常用I2C总线),用的比较少了。

二、FLASH

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用 ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

另外有一点，NOR Falsh采用总线访问方式，Nand Falsh采用I/O访问方式访问。即写程序时，可以像访问普通内存一样直接访问Nor Flash，这也是为什么其可进行片内执行的原因；而Nand Flash采用I/O访问方式，即通过系统总线(I2C、SPI等)访问，访问速度慢。但是，任何东西总是物尽其用即可，充分利用其优点，满足我们的需要就好，不必追求说哪个一定好，哪个一定不好。

三、FRAM

铁电是比较特殊的一类介质，其常用于存储运行中的数据，具有RAM和FLASH的双重特点，访问容易，写入也容易，而且掉电不丢失。有这么多优点，证明其价格一定不便宜，也确实如此，常用铁电有64k、128k、256k等规格，笔者只用过这几类，可能现在有更大容量的达到MB级别的。铁电的一个显著好处是写入次数无限制，使用FLASH时，一个特别大的限制是擦除、写入次数有限，目前出厂的可能达到10k次级别。

一个典型的系统配置是：采用ddr2的内存，配置若干容量的nor flash用于存储bootloader，一定容量的nand flash用于存储内核、文件系统等大容量数据，一定容量的铁电用于存储系统运行中的定植。具体容量和使用场合、成本控制相关，若不记成本全用nor flash做存储也没关系，但没有哪个老板愿意这样。