nrf51822 写flash 失败

资源和软件环境：

1. softdevice  7.1.0

2. SDK 6.0.0

一、 写flash

在启动SOFTDEVICE 后，使用uint32_t  sd_flash_write(uint32_t * const p_dst, uint32_t const * const p_src, uint32_t size) 进行flash的写操作，当然在该区域如果已经有数据存在，需要把该页的其他数据拷贝出来，然后使用uint32_t sd_flash_page_erase(uint32_t page_number)擦除该页，再进行写操作。

该例子，该页只有这个数据，所以写前没有拷贝其他数据出来。

void start_dfu_event_process(void)
{
uint32_t retval;
uint8_t flag[8] = “sdfustr”;
uint32_t sdfu_flag_addr_page = SDFU_FLAG_ADDR_PAGE;
uint32_t sdfu_flag_addr = SDFU_FLAG_ADDR_PAGE*FLASH_PAGE_SIZE;
uint8_t * p_data_addr   = (uint8_t *)flag;

retval = sd_flash_page_erase(sdfu_flag_addr_page);
if(retval == NRF_SUCCESS)
{
retval = sd_flash_write(((uint32_t *)sdfu_flag_addr),
(uint32_t *)p_data_addr,
CEIL_DIV(7,sizeof(uint32_t)));
}
}

二、读flash

读flash使用直接地址访问的方式读取。

uint32_t ble_ccs_data_load(curtain_control_t *ccs_data)
{
uint32_t ccs_data_addr;
uint8_t * p_data_addr  = (uint8_t*)ccs_data;

ccs_data_addr = FLASH_LAST_PAGE*FLASH_PAGE_SIZE;

memcpy((uint32_t *)p_data_addr,(uint32_t *)ccs_data_addr,
sizeof(curtain_control_t));

return NRF_SUCCESS;
}

还可以这样读取

uint8_t flag[4];
uint32_t sdfu_flag_addr = SDFU_FLAG_ADDR_PAGE*FLASH_PAGE_SIZE;

// Get the flag of sdfu from the flash
flag[0] = *(uint8_t *)(sdfu_flag_addr+0);

flag[1] = *(uint8_t *)(sdfu_flag_addr+1);

flag[2] = *(uint8_t *)(sdfu_flag_addr+2);

flag[3] = *(uint8_t *)(sdfu_flag_addr+3);

但是在刚连接的时候，如果写Flash，会出现失败。

通过测试发现，在系统收到BLE_GAP_EVT_CONNECTED（0x10）和BLE_GAP_EVT_CONN_PARAM_UPDATE（0x12）事件之间写Flash，就会出现失败（sd_flash_write 返回NRF_ERROR_INVALID_DATA（0x11）），具体原因不是很清楚，应该是在这个时间段里，Flash被写保护了。

缩短BLE_GAP_EVT_CONNECTED（0x10）和BLE_GAP_EVT_CONN_PARAM_UPDATE（0x12）事件之间时间，可以通过修改FIRST_CONN_PARAMS_UPDATE_DELAY 目前我修改到0.2 秒