14、金属氧化物与量子点在LED和LASER中的应用探索

金属氧化物与量子点在LED和LASER中的应用探索

1. 金属氧化物基激光二极管

1.1 CuO - ZnO核壳纳米线的光探测特性

CuO@ZnO核壳径向/异质结纳米线阵列通过简单方法制备，包含两种经济有效的途径：
- 空气中热氧化制备CuO纳米线阵列，作为p型核心。
- RF磁控溅射在CuO表面涂覆ZnO层，作为n型外壳。

对其结构、形态、成分和光学特性进行了研究。为分析金属氧化物纳米线的光电和电学特性，采用聚焦离子束诱导沉积（FIBID）和电子束光刻（EBL）连接CuO@ZnO核壳和单CuO。光电特性表明，基于单CuO@ZnO核壳纳米线构建的p - n径向异质结二极管作为光探测器表现出色，在520和405nm光照下呈现时间相关的光响应。通过外部量子效率、响应度和探测率等主要参数评估光探测器性能，结果显示CuO@ZnO核壳纳米线阵列是下一代光探测器的潜在构建块。

1.2 SiO₂ - p - CuO/n - Si核壳结构光敏二极管的制备

利用金属氧化物基半导体材料开发了SiO₂ - p - CuO半导体复合结构结二极管。通过共沉淀法有效形成SiO₂ - p - CuO复合组件。使用拉曼光谱和X射线衍射（XRD）检查振动和结构模式，场发射扫描电子显微镜（FESEM）确定其形态。XRD分析证实CuO和SiO₂ - p - CuO中存在单斜结构，拉曼光谱研究显示退火样品中形成单相组件。FESEM分析测试了CuO的交叉纳米片形态及其在SiO₂ - p - CuO复合结构核壳上的形成。制备的SiO₂ - p - CuO/n - Si基结二极管在光照条件下比p - CuO/n - Si具有更好的光响应，改进因子为3.96。