flzmiao的博客

原创 嘉立创EDA使用流程

原创 11运算放大器基础

对比维度五管OTA（基本型）套筒式OTA折叠式OTA单端OTA（差转单）核心结构差分对 + 电流镜负载在五管OTA基础上叠加Cascode管输入对“折叠”至独立支路，与输出级解耦差分对 + 电流镜（实现差分转单端）增益水平低gmrog_m r_ogm​ro​中高gmro2g_m r_o)^2gm​ro​2中高gmrog_m r_ogm​ro​同五管OTA输出摆幅中等较低（堆叠晶体管多，损失~5Vov）中等（堆叠晶体管较少）中等。

原创 Esxi学习

保留虚拟机，重置root密码：第二个安装ESXi并保留数据文件：Install ESXi，preserve VMFS datastore。升级yum ：sudo yum -y update。

原创 layout常用操作，DFF触发器版图为例

DFF整体的电路图如图所示，由TG、nor2_p2x0d5_n1x0d5、inv_p2x0d5_n1x0d5三个逻辑单元构成，在绘制整体版图前，需要先制作逻辑单元。

原创 负反馈学习笔记

引入环路增益T=afT = afT=af，当开环增益a产生Δa\Delta aΔa的波动时，闭环增益的变化量为：ΔA=dAdaΔa=Δa(1+T)2\Delta A = \frac{\mathrm{d} A}{\mathrm{d} a} \Delta a = \frac{\Delta a}{(1 + T)^2}ΔA=dadA​Δa=(1+T)2Δa​闭环增益的相对变化量为：ΔAA=11+TΔaa\frac{\Delta A}{A} = \frac{1}{1+T} \frac{\Delta a}{a}A

原创 D触发器学习

今天在复习D触发器的时候，首先需要知道RS锁存器，在学习RS锁存器的时候，发现当R=S=1时，出现了非法状态。但是，实际推导的时候发现，R=S=1时，输出。，这两个状态都是确定的，那又为什么说是不定状态，或者是非法状态呐？出发会得出不同的结论，这也就是为什么说处在不定态。也就是所谓的锁存保持状态，推导的时候会发现，从。D锁存器：E=1时Q跟随D；因为这个不定状态不是对当前状态（）而言的，而是对下一个状态，即（，那如果下一个状态的。

原创 晶体管的电压-电流关系推导

本文推导了NMOS晶体管漏极电流$I_D$的表达式。通过分析沟道电荷$Q_n(x)$和载流子速度$v(x)$，建立了$I(x)$与电势$V(x)$的关系式。关键步骤包括：将电流公式转化为单位面积电荷量与载流子速度的乘积；引入栅氧化层电容$C_{ox}$和阈值电压$V_t$表达沟道电荷；通过迁移率$\mu$和电场$E(x)$关联载流子速度。最终积分得到$I_D=\frac{1}{2}\mu C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{gs}-V_t)V_{ds}-0.5V_{ds}^2]$，揭示了漏极电流与器

原创 DAC电流放大器设计

电流舵型DAC，其功能是将N-bits的数字信号Din转换为对应大小的模拟电流量Iout。

原创 layout版图设计学习笔记4_Virtuoso基础介绍

techfile：技术文件，也叫tf文件，暂时没有深入理解Display.dry：定义层次和工具中各种图形演示颜色定义的文件；cds.lib：用来调用保存库的文件，库为library，是集合数据包。Library→Category→Cell→ViewLibrary→Category→Cell→ViewP衬底→N阱光刻与注入→有源区定义→栅极制作→源漏掺杂→接触孔与过孔。

原创 layout版图设计学习笔记3_linux基础指令

原创 layout版图设计学习笔记2_工艺流程

原创 layout版图设计学习笔记1_工艺基础

Schematic→TOPLayout→多个cell任务→单个cell布局布线→DRCLVS→拼片，形成TOP→TOP层布局布线→DRCLVS→抽参、流片给出电路schematic，老员工给出TOP（初步摆放位置）；单个cell设计的关键指标：匹配 > 寄生 > 面积 > 连线，最好的形状是方形；设计完成后，验证calibre：DRC和LVS，验证通过就完成了cell1；

原创 模拟IC设计基础系列10-virtuoso常用快捷键整理（基础操作）

有的操作没有定义相关的快捷键，需要自行设置快捷键，基本的流程是：首先抓取快捷键指令，然后自行设置快捷键抓取操作指令，显示指令名称自定义指令快捷键。

原创 模拟IC设计基础系列9-CMOS逻辑门的电路图实现

​​核心功能​​：1. ​​消除非法状态​​（J=K=1时输出翻转，无冲突）；与门是与非门加非门得到。**电平触发D触发器​​（Level-Triggered D Latch）**是一种同步时序电路，在时钟信号（CLK）为有效电平（高或低）期间，输出​​Q​​会跟随输入​​D​​的变化而变化。可见，电路由一个NMOS管和一个PMOS连接而成，上面的PMOS管源极连接电源电压VDD，下面的NMOS管源极连接地电压GND，然后两个MOS管的漏极同时连接输出端口ZN,两个MOS管的栅极同时接在输入端IN。

原创 版图设计学习4_简单逻辑电路设计及优化流程（未完成）

MOS间设置，这个地方用到了两项DesignRule：一是TO.s.f1：from TB to N+TO ≥ 0.6 um（用于确定PMOS与NMOS之间的距离，y），单由于这个layout单元较多，最低的宽度可能无法满足，可以按照复杂度预留，例如这里预留1um；最近画版图发现，习惯于从最宽的MOS那端（如最右）开始定位，然后定位到中间位置，再从最左端定位，最开始上下留有一定空余，最后如果可行，再缩到最小。从右侧开始连线，还要注意按照连线的复杂度来调整mos位置，查看未连接线方法。DRC无误，最终效果。

原创 版图设计学习3_基础逻辑电路设计及优化流程

MOS间设置，这个地方用到了两项DesignRule：一是TO.s.f1：from TB to N+TO ≥ 0.6 um（用于确定PMOS与NMOS之间的距离，y）；二是SP.s.2：SP outside TO ≥ 0.42 um（用于确定PMOS与PMOS之间的距离，x）；因为这个设计中的PMOS比NMOS宽，所以根据PMOS定位NMOS，NMOS居中对齐PMOS即可。隔离岛尺寸，L(SP) + 2 * L(A1 to TB) = L(SP) + 0.64。DRC无误，最终效果。

原创 版图设计学习1_半导体工艺基础

​​栅氧生长​​：干氧氧化（800-900℃）生成1.2-3nm超薄SiO₂（现代工艺用高κ介质替代）​​起始材料​​：P型硅晶圆（掺杂硼，电阻率1-10Ω·cm）NMOS：砷（剂量5e15/cm²，能量30-50keV）NMOS：低剂量砷注入（5e14/cm², 20keV）CVD沉积Si₃N₄/SiO₂复合层+各向异性刻蚀。PMOS：硼（剂量同等级，能量更低）PMOS：硼氟化物（BF₂）注入。

原创 模拟IC设计提高系列8-运算跨导放大器OTA Operational Transconduct Amplifiers

当输入电压，输出也为电压时，我们称这种放大器为运算放大器。输入是电压——要求运放的输入阻抗要大，保证电压尽可能地落在运放输入端；输出是电压——要求运放的输出阻抗要小，保证电压尽可能地落在下一级输入。对于运放，增益影响主要是闭环增益的准确度。

原创 模拟IC设计提高系列7-layout版图绘制技巧

先打开版图，然后Launch–Layout XL打开Schematic，可以实现元件在不同文件间的映射。MOS的AABB布局的源漏共用设计，为了尽可能紧凑，只保证有源区（AA）为0.28u。不要使用自动生成的连线，保留一个，自行复制，蛇形串联。倾斜连线，选中，然后Shift+C，减去三角部分。schematic修改器件，添加或修改器件。例子中的guardring距离给了1u。添加 Dummy管，可以保证环境一致。MOS排布，有源区AA距离0.28u。电阻和BJT的GuardRing保护。

原创 模拟IC设计提高系列6-virtuoso使用技巧

原创 实战项目6-参数提取及后仿真

版图设计（Layout Design）是集成电路（IC）设计的重要步骤，涉及将电路原理图转换为物理布局以满足制造要求。C：节点到地寄生电容；CC：节点之间的寄生电容。一般使用C+CC，高速电路需要使用R+C+CC。Gate Level：以cell 为单位进行提取，避免的提取多个重复的cell。需要在H-cells中特殊定义。Transistor Level：全部打散，精度最高。Inductance：低速一般使用无电感。流程与LVS类似，rule选择。特殊：output设置。

原创 实战项目5-版图设计

定位：PMOS下的一大块NWell，前面为了解决错误加的包括所有PMOS的NWell，此处忽略。2.填充dummy，具体的W、L尺寸根据版图位置设计，修改dummy管子名称。显示金属层（Ctrl+f）初始状态。2.设置版图最小间距：快捷键e。版图初步设置完成，后面开始布线。1.首先完成电路图设计。版图插入Dummy管子。定位：PMOS边缘位置。

原创 模拟IC设计基础系列8-版图设计基础

下图为加工完成后的工艺总视图正胶光刻后消失，反胶光刻后不消失P衬底加工N阱（Nwell），使用正（光刻）胶刻蚀二氧化硅N阱注入，注入磷（P，外层5个电子，1个电子自由）生长SiO2及氮化硅，涂光刻胶（反胶）使用有源区掩膜（Mask-Active），进行有源区光刻（反胶）氮化硅刻蚀场氧（Field Oxide，FOX）生长，去掉氮化硅薄栅氧生长多晶硅沉积（Polysilicon）以形成栅氧，涂光刻胶（反胶）栅极掩膜，光刻以剩下栅氧。

原创 模拟IC设计基础系列7-MOS电路的频率响应与米勒效应

在前面的文章中我们已经分析了各种单极放大器的特性，但此前的分析都是只考虑了直流情况，而本文的分析将考虑到输入信号的频率，并分析电路的频率响应。电容可以表示为： ZC=1sC{Z_C} = \frac{1}{{sC}}ZC​=sC1​电感可以表示为：ZL=1sL{Z_L} = \frac{1}{{sL}}ZL​=sL1​在知道电路的复阻抗表示后，我们便可以直接用复阻抗计算电路的电流电压关系。对于RC串联电路，我们可以用分压来表示Vout：Vout=ZCZC+RVin=11+sRCVin{V_{out}}

原创 模拟IC设计提高系列5-工艺角与蒙特卡洛仿真

设计需求：输入20uA(吸电流)，输出1.5uA、0.5uA（吸电流），10n、20n、400n（灌电流）1.打开ADEL，新建DC仿真，打开ADE XL。4.设置工艺角，共计3。2.仿真完成，查看结果。

原创 模拟IC设计基础系列6-差动放大器 Differential AMP

在电路的实际工作中，往往存在各种干扰(例如VDD和GND的波动、金属线的电容耦合等)，而模拟电路对干扰非常敏感，所以我们需要一种电路结构来抑制这种影响。图1.一个信号可以被拆解成差分信号表示定义共模电平(Common mode Level)VCM:VCM=Vin1+Vin22=VBV_{CM} : {V_{CM}} = \frac{{{V_{in1}} + {V_{in2}}}}{2} = {V_B}VCM​:VCM​=2Vin1​+Vin2​​=VB​共模电平确定了电路的工作点电压，我们希望它没有

原创 模拟IC设计基础系列5-MOS电路中的电流镜设计

为了让M2的电流复制得足够准确，我们希望Vout对拷贝电流的影响足够小，即无论Vout怎么变化，M2拷贝输出的电流应当不变，这就要求我们的电流镜结构具有一个很大的输出阻抗。二极管连接的M1本质上是一个将电流转换为电压的转换器：二极管的连接方式使得M1栅极电压VGS能根据电流自适应地变化，再将M1的栅极与M2栅极短接，将转化得到的VB输出给需要偏置的管子。而MOS线性区的公式为。实际设计中，为了保证共源管饱和的电压裕度以及节约面积，我们会进一步降低M7的宽长比，使得M7的宽约为1/5的W。

原创 模拟IC设计基础系列4-Cascode stage 共源共栅结构分析与计算

若将Rx换为ro1，则整个电路的等效跨导Gm可以表示为： {G_m} = \frac{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o1}}}}{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o1}} + 1}}*{g_{m1}} \ 随着工艺的进步，进入40nm以下的工艺，ro1会越来越小，使得Gm越来越小，但180nm可以直接认为Gm=gm1。

原创 实战项目1-DAC电路设计

简单的采样电路和MOS开关如图1-1所示。：是指在一个时钟周期内输入信号通过开关对负载电容充放电，使电容上的电压值在时钟有效期结束时刻与输入信号值电压相同。理想的采样电路的工作波形如图1-2所示。图1-1 简单采样电路和MOS开关图1-2 理想开关采样波形：如图10-3所示，展示了输入信号为0，采样电容初始电压为高电平时的采样电路响应。图1-3 输入信号为0，采样电容初始电压为高电平条件下的采样电路响应图1-4 输入信号为0，采样电容初始电压为高电平条件下的采样电路响应仿真图。

原创 模拟IC设计提高系列2-MOS开关电路

上面两个图的主要作用就是为了论证以下几个结论：1. 栅极电压保持不变，

原创 模拟IC设计基础系列3-单级放大器

本章深入探讨了CMOS单级放大器的低频特性，分析了大信号和小信号特性，重点研究四种主要放大器类型：共源级、共栅级、源跟随器和共源共栅级。放大器是模拟和数字电路的核心组件，用于增强信号强度以驱动负载、克服噪声或提供适当电平。本章通过简化模型逐步分析放大器的特性，考虑二级效应（如沟道长度调制和体效应），并强调设计中的权衡与优化。理想放大器的输出为输入的线性放大：y(t)=α0+α1x(t)y(t) = \alpha_0 + \alpha_1 x(t)y(t)=α0​+α1​x(t)其中，α0\alpha

原创 模拟IC设计提高系列4-基准电流源设计

基准电流源是指在模拟集成电路中用作其他电路的电流基准的高精度、低温度系数的电流源。偏置电流源的设计是基于一个已经存在的标准参考电流源的复制，然后输出给系统的其他模块。本章首先研究基准电流源的工作原理，接着介绍常用的基准电流源的几种结构，最后以一种基准电流源的设计为例详细介绍基准电流源的设计流程，并引入一种输出基准电流高阶温度补偿的方法。基准电流源的一个基本要求是输出基准电流不随电源电压VDDV_{DD}VDD​的变化而变化，实际实现中采用输出电流IOUTI_{OUT}IOUT​镜像基准电流IREFI_{RE

原创 模拟IC设计提高系列3-数模转换器DAC设计

图 1 描述了怎样在数字系统中应用 DAC。DAC 的输入是一个码字（Digital Word），它由数字信号处理系统产生的并行二进制信号组成。利用基准电压，这些并行二进制信号被转换成等价的模拟信号。模拟输出信号经过滤波和放大后被应用于模拟信号处理系统中。大部分 DAC 都是电压输出。图1:用于信号处理的数模转换器一个电压输出的 DAC 可以用图 2(a) 的结构来描述。它由一个NNN位的码字b0b1b2⋯bN−2bN−1b0​b1​b2​⋯b。

原创 模拟IC设计提高系列1-gmid设计方法（文末有仿真结果快捷键）

gmg_mgm​fTgm2πCgsfT​2πCgs​gm​​IDI_DID​pID⋅VpID​⋅V，其中VVV通常为定值，V1.8VV=1.8VV1.8VgmIDg_m/I_Dgm​ID​的目的：在有限电流下实现最快速度、最低噪声。Step1：确定放大器gmg_mgm​，例如GBWgm2πCLGBWgm​2πCL​Step2：选择合适的LLL。

原创 模拟IC设计基础系列2-MOS器件物理基础

对MOS的感性认识是一个开关，图1是一个n型的MOSFET的符号，有三个端子：栅（G）、源（S）和漏（D）。MOS是对称器件，S、D可以互换。VG​VG​图1：NMOS器件简图。

原创 从visio图像中查看工作工作簿，表格数据

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原创 VISIO使用技巧汇总

0-3-1.选中线段-选中中心点-shift增加直角+调整合适位置。0-3-0.ALT+F9选项，取消粘附+位置调整。0.连接线拐弯或者连接不合适。

原创 绘图_origin在一个页面上绘制多个图像x1y1和x2y2

origin在一个页面上绘制多个图像x1y1和x2y2

原创 Ansys Maxwell 电学仿真

检测运动物体电容变化情况

原创 专利电子申请客户端CPC安装与使用

问题：主要是因为系统原因，cpc对win、office、ie系统要求比较苛刻。vmware：tools安装，1.火绒修复，我的电脑没有用2.数字签名网络问题：CPC客户端，系统设置--选项--网络设置。