模拟IC设计基础系列4-Cascode stage 共源共栅结构分析与计算

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已于 2025-06-05 21:17:59 修改

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于 2025-06-04 14:42:34 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/flzmiao/article/details/148422545

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1. 模拟电路设计绪论

4.Cascode stage 共源共栅结构分析与计算

在单极放大器的基础上，将共源放大器CS AMP和共栅放大器CG AMP组合起来，即可得到共源共栅结构
在这里插入图片描述
Cascode stage 和带负载RD的Cascode stage

4.1工作过程

在这里插入图片描述
region=0、1、2、3分别代表截止、线性、饱和、亚阈值区，VB=0.9V不变，Vin变化

开始时，M1、M2均处于截止区
随着Vin逐渐增大，但VGS1仍小于VTH1时，M1管进入亚阈值区，电流增大，M2也同步进入亚阈值区
直到VGS1大于VTH1后，M1、M2管都进入饱和区
Vin继续增大，M1的电流持续增加，M2为了于M1同步提高电流，需要不断提高VGS2，导致Vp不断下降，最后使得M1管进入线性区
Vin再继续增大，电流增大，电阻上的压降持续提高，导致M2的漏极电压(Vout)继续降低，可能会导致M2也进入线性区（这里因为RD不够大，分压不多，因此M2管仍在饱和区

4.2 输出阻抗

在这里插入图片描述
Cascode结构的输出电阻分析与带源极负反馈的CS AMP相似， ${r_{o1}}$ 被M2放大了本征增益 ${g_{m2}}{r_{o2}}$ 倍:
${R_{out}} = {r_{o1}} + {r_{o2}} + ({g_{m2}} + {g_{mb2}}){r_{o2}}*{r_{o1}} \approx ({g_{m2}} + {g_{mb2}}){r_{o2}}{r_{o1}}$

4.3. 小信号增益

共源共栅的小信号增益为共源放大器和共栅放大器的增益之积

4.3.1 电阻负载

在这里插入图片描述
共源部分增益： ${A_{v1}} = -{g_{m1}}{R_p}$ 其中，Rp为从P点看进去的阻抗（向上看约为 $\frac{{{R_D}/{r_{o2}} + 1}}{{1/{r_{o2}} + {g_{m2}} + {g_{mb2}}}} \approx \frac{1}{{{g_{m2}} + {g_{mb2}}}}$ ，向下看为 ${r_{o1}}$ ： ${R_p} = {r_{o1}}$

共栅部分增益： ${A_{v2}} = \frac{{{g_m} + {g_{mb}} + 1/{r_o}}}{{1 + {R_D}/{r_o}}}{R_D} \approx ({g_{m2}} + {g_{mb2}}){R_D}$ 两个小信号增益相乘得： ${A_v} = {A_{v1}}*{A_{v2}} \approx -{g_{m1}}{R_D}$ 由上可知，当负载为电阻时，Cascode结构的小信号增益只取决于M1管的跨导与负载RD的大小
在这里插入图片描述

4.3.2 PMOS电流源M3负载

前面的式子变为：

$\left\{ \begin{array}{l} {A_{v1}} = {g_{m1}}{R_p}\\ {R_p} \approx {r_{o1}}\parallel \frac{2}{{{g_{m2}} + {g_{mb2}}}} \approx \frac{2}{{{g_{m2}} + {g_{mb2}}}}\\ {A_{v2}} = \frac{{{g_{m2}} + {g_{mb2}} + 1/{r_{o2}}}}{{1 + {r_{o3}}/{r_{o2}}}}{r_{o3}} \approx \frac{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o3}}}}{2} \end{array} \right.$
解得： ${A_v} = {A_{v1}}*{A_{v2}} \approx - {g_{m1}}{r_{o3}}$ \

无负载的Cascode结构的输出电阻很大，因此其小信号增益的潜力很大，负载电阻越大，越能体现其大Av

4.3.3 负载电阻趋于无穷大

式子变为：

$\left\{ \begin{array}{l} {A_{v1}} = - {g_{m1}}{R_P}\\ {R_p} = \frac{{\infty /{r_{o2}} + 1}}{{1/{r_{o2}} + {g_{m2}} + {g_{mb2}}}}\parallel {r_{o1}} \approx {r_{o1}}\\ {A_{v2}} = \frac{{{g_{m2}} + {g_{mb2}} + 1/{r_{o2}}}}{{1 + \infty /{r_{o2}}}}*\infty \approx \left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o2}} \end{array} \right.$ \ 解得： ${A_v} = {A_{v1}}*{A_{v2}} \approx - {g_{m1}}{r_{o1}}*{g_{m2}}{r_{o2}}$ \ 因此，在负载阻抗足够大时（比无负载的Cascode输出阻抗还要大），Cascode的小信号增益可以达到两个管子的本征增益的大小（非常大）

4.3.4 Cascode电流镜负载

实际中，为了获得较大的负载电阻，负载可以用Cascode结构的PMOS电流镜

其小信号增益为： ${A_v} \approx {g_{m1}}({g_{m2}}{r_{o2}}{r_{o1}}\parallel {g_{m3}}{r_{o3}}{r_{o4}})$

4.4. Cascode的等效跨导

分析这个问题之前，我们先人为并联一个Rx电阻，分析此时的情况：
在这里插入图片描述
此时P点电阻Rp变为： {R_p} \approx \frac{1}{{{g_{m2}} + {g_{mb2}}}}\parallel {R_X} = \frac{{{R_X}}}{{{R_X}\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right) + 1}} \ 共源部分的小信号增益变为：

{A_{v1}} =- {g_{m1}}\frac{{{R_X}}}{{{R_X}\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right) + 1}} \共栅部分的小信号增益为： {A_{v2}} = ({g_{m2}} + {g_{mb2}}){R_D} \ 总的增益为： {A_v} = {A_{v1}}*{A_{v2}} = - {g_{m1}}\frac{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){R_X}}}{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){R_X} + 1}}{R_D} \我们发现，只有当Rx足够大时，才有 [{A_v} = {g_{m1}}{R_D}] ，不然增益倍数会有损失

实际上，这个人为加上的电阻的影响其实就是ro1的影响（单独分Rx只是为了方便分析）

当P点电压Vp提高，ro1便会产生一个向下流入M1的电流，使得M1栅压控制产生的 i_{M1}=g_{m1}v_{in} 电流没有完全流入M2中，使得整个电路的等效跨导Gm始终小于gm1
在这里插入图片描述
两个管子等效为一个管子，并得到他的等效跨导Gm
若将Rx换为ro1，则整个电路的等效跨导Gm可以表示为： {G_m} = \frac{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o1}}}}{{\left( {{g_{m2}} + {g_{mb2}}} \right){r_{o1}} + 1}}*{g_{m1}} \ 随着工艺的进步，进入40nm以下的工艺，ro1会越来越小，使得Gm越来越小，但180nm可以直接认为Gm=gm1。

（而使用等效跨导来分析Cascode结构就变得十分简单了，得出的结论和4中得出来的相同）

4.5. Cascode的优点

4.5.1 大输出阻抗

在这里插入图片描述
对于最左边的单个MOS管而言，其输出阻抗和本征增益可以表达为：\left{ \begin{array}{l} {g_m} = \sqrt {2{I_D}{\mu n}{C{ox}}(W/L)} \ {R_{out}} = {r_o} = 1/\lambda {I_D}\ {A_{{\mathop{\rm int}} }} = {g_m}{r_o} \end{array} \right. \ 若将L扩大四倍，即面积扩大四倍，那么有如下变化： \left{ \begin{array}{l} {g_{m1}} = {g_m}/2\ {R_{out1}} = 4{r_o}\ {A_{{\mathop{\rm int1}} }} = 2{g_m}{r_o} \end{array} \right. \

若不将L扩大四倍，只是多加一个共栅管构成Cascode结构，即面积扩大两倍，那么有： \left{ \begin{array}{l} {G_m} = {g_m}\ {R_{out2}} = {g_m}{r_o}*{r_o}\ {A_{{\mathop{\rm int}} 2}} = {({g_m}{r_o})^2} \end{array} \right. \ 可以看到，Cascode结构可以用更少的面积，实现更大的输出阻抗和本征增益，而只有足够大的输出阻抗，小信号增益“潜力”才会足够大

4.5.2 输入输出的阻隔度

对于普通的共源放大器CS AMP，其栅极和源极之间有电容相连，当输入信号的频率足够高时，栅极电压和源极电压会相互影响，从而干扰放大器的正常工作；

而对于Cascode结构，输入的M1栅极与输出的M2漏极之间没有寄生电容，因此输入输出的阻隔度更高，爆赞

4.5.3 能抗高电压

在某些设计中，我们希望使用更高的VDD来提高信号范围，提高信噪比，Cascode结构中的共栅管的源漏可以承受过大的压降，保证共源管的源漏电压在正常区间内

4.6. 折叠Cascode（Folded Cascode）

如下图所示，对于一个普通的Cascode结构，随着Vin的增加，P点电压Vp会快速下降，从而导致NM0迅速进入线性区，为了解决这一问题，我们引入了折叠的Cascode结构
在这里插入图片描述
这种结构引入了一个尾电流源管NM4，由NM4控制总的电流大小，而总电流被PM0和NM3分配

在这里插入图片描述
尾电流源NM4受到沟道长度调制效应影响，输出电流会随着Vp减小而减小
对于折叠Cascode，随着Vin增大，PM0的电流逐渐减小，而NM3的电流逐渐增大

并且当NM3逐渐分配到电流时，Vp自适应地减小以增大VGS以提高NM3的输出电流，导致电阻RD的压降增加，最后使得Vout降低

为了验证折叠Cascode的效果，我们同时对两个电路进行仿真，VB=0.9V，RD=50K，结果为：
在这里插入图片描述
普通Cascode结构的电压曲线以及工作区域

折叠Cascode结构的电压曲线以及工作区域

4.6.1优点

1、输入管不易进入线性区：在这里可以发现随着Vin的增大，Vp一直在减小，不断提高输入管PM0的饱和深度（普通Cascode结构的输入管反而容易进入线性区）
在这里插入图片描述
折叠Cascode的共源管为PM0，其工作在饱和区的范围明显大于普通Cascode结构
2、偏置电压VB可以更低：为了保证NM3饱和，需要Vout>VB-Vth，所以为了使得Vout能尽量大，所以VB需要尽量小。而对于普通的Cascode结构，随着Vin的增加，NM0所需的过驱动电压将越来越大（大于300mV），而VB太小会导致输入管NM0快速进入线性区，而在折叠Cascode结构中，NM3下方接的是尾电流管NM4，其只需要200mV左右就可以饱和

4.6.2 缺点

在这里插入图片描述
折叠Cascode的输出阻抗等效电路
折叠Cascode也可以视为一个带源极负反馈的共源放大器，直接利用之前的结论可得： {R_{out}} = (1 + {g_{mNM3}}{r_{oNM3}})({r_{oPM0}}\parallel {r_{oNM4}}) + {r_{oNM3}} \approx {g_{mNM3}}{r_{oNM3}}({r_{oPM0}}\parallel {r_{oNM4}}) \ 相比于原来的Cascode结构，被放大本征增益gmro倍的电阻变为了两个ro的并联，说明折叠Cascode的输出阻抗相对变小了